-
公开(公告)号：CN1241294A
公开(公告)日：2000-01-12
申请号：CN97180858.9
申请日：1997-12-30
申请人： 先进图像技术公司
发明人： 迈克尔·D·波特
摘要： 用作显示元件的器件具有电子发射极和设置用于接收发射极发射的电子的阳极。阳极具有电阻率不同的表面部分,在最低电阻率部分提供电子汇集部分。优选实施例具有,横向场致发射电子发射极,并具有利用特别适于提供包括电子汇集部分的电阻率不同阳极部分的工艺形成的阳极。电子汇集部分优选设置在与器件的电子发射极的发射尖端横向隔开的位置。在具体的优选制造工艺中,通过淀积基层、淀积并构图具有开口的腐蚀停止层,以限定电子汇集部分,向下腐蚀各叠层到腐蚀停止层,加热基层和腐蚀停止层,形成包括一体的电子汇集部分和用于发光的阴极发光荧光体的阳极表面,从而形成阳极。该制造工艺适于制造用于制造平板显示器的多个显示单元器件。
-
公开(公告)号：CN1109205A
公开(公告)日：1995-09-27
申请号：CN94120129.5
申请日：1994-11-29
申请人： 双叶电子工业株式会社
CPC分类号： H01J3/022 , H01J1/3042 , H01J2201/319
摘要： 一种场致发射型电子源，可使阴极布线与每个发射极锥体之间的电阻值保持在实质上相同的水平，并可提高发射极锥体的封装密度。电子源包括设置在绝缘基片上的条状阴极布线。每个阴极布线上形成有多个窗口，以使多个岛状阴极导体和电阻值各不相同的多个电阻层与阴极布线分隔而设。然后，在其上形成电阻层、绝缘层和栅电极。在栅电极和绝缘层按两者共用方式形成开口，其内设置发射极锥体，由此使每个集合单元的发射极锥体的电子发射均匀。
-
-
公开(公告)号：CN117542711A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311512521.0
申请日：2023-11-13
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明属于真空电子器件技术领域，涉及一种多环二维电子气发射的垂直真空三极管，所述垂直真空三极管内设置有真空沟道区域；在真空沟道区域构造出多环二维电子气发射结构。当在垂直真空三极管的中间部位预制两个环形槽时，多环二维电子气发射结构为四环结构；当在垂直真空三极管的中间部位预制一个环形槽时，多环二维电子气发射结构为双环结构。通过在传统单环形结构中构造出多个环形真空沟道，环形内壁便会形成多环二维电子气结构，增加电子发射的面积，相比普通的单环二维电子气发射的垂直型真空三极管，在同样的工作电压下，能获得更大的发射电流，增加栅极对发射电流的控制能力，降低器件的开启电压，整体上改进器件性能。
-
公开(公告)号：CN117059458A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311002981.9
申请日：2023-08-10
申请人： 南京信息工程大学
摘要： 本发明公开了一种垂直结构的钙钛矿基纳米空气沟道晶体管及制备方法，包括自下往上依次连接的第一绝缘层、发射极、中间层和收集极，中间层包括自下往上依次连接的第二绝缘层、第一栅极和第三绝缘层；中间层上设有通孔结构，以使得所述发射极、中间层和收集极之间形成一个真空沟道，且发射极上设置有钙钛矿纳米线。本发明使用了钙钛矿纳米线作为发射材料，可以有效提升发射电流密度，弥补现有场发射器件的劣势。此外，电子在真空沟道中运动，能够缓解甚至避免太空辐射带来的影响的，具有耐高温、抗辐照的特性。
-
公开(公告)号：CN114496686B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202111633265.1
申请日：2021-12-28
申请人： 中山大学
摘要： 本发明涉及真空微电子器件的技术领域，更具体地，涉及一种可寻址的纳米冷阴极电子源阵列及其制作方法，底部阴极电极条平行排布于衬底顶部，底部栅极电极条平行排布于第一绝缘层顶部，实现底部阴极电极条和底部栅极电极条的分层独立布线，且底部阴极电极条与底部栅极电极条垂直排布，顶部阴极电极通过第一刻蚀通孔与底部阴极电极条相连，顶部栅极电极通过第二刻蚀通孔与底部栅极电极条相连，实现器件可行列寻址的电子发射，本发明的可寻址的纳米冷阴极电子源阵列，实现每一行顶部栅极电极的并联，每一个顶部栅极电极的正常工作不受其他顶部栅极电极的影响，提高器件在高压大电流下的工作可靠性。
-
公开(公告)号：CN115172118A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210505561.1
申请日：2017-11-28
申请人： 光学实验室公司(瑞典)
发明人： 乔纳斯·迪伦
IPC分类号： H01J1/304 , H01J19/24 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J63/06 , B82Y30/00 , C02F1/32 , C09K11/77
摘要： 本发明一般涉及一种场发射光源，具体地涉及一种适用于发射紫外(UV)光的场发射光源。该光源具有紫外发射构件，该构件设有可电子激发的紫外发射材料。该材料为LuPO3:Pr3+、Lu2Si2O7:Pr3+、LaPO4:Pr3+、YBO3:Pr3+和YPO4:Bi3+中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN114724905A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210270004.6
申请日：2022-03-18
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开一种基于悬空石墨烯/氮化硼异质结的真空晶体管及其制备方法、应用，该制备方法包括制备金属电极、刻蚀沟道以及转移六方氮化硼‑石墨烯复合结构三个步骤，直接利用硅基底作为集电极，极大的简化了制备工艺。本发明中设计的真空晶体管器件结构极具创新性，充分利用氮化硼与石墨烯之间的结合力，将石墨烯/氮化硼异质结整体悬浮在沟道上方，有效降低了石墨烯断裂、塌陷、卷曲和褶皱的概率，克服了传统制备悬空石墨烯器件成功率极低的困难，极大提高了悬空石墨烯器件制备的成功率，且制备得到的真空晶体管结构稳定性更强。使用新的转移方法，避免了石墨烯与其它溶液等介质的接触，有效地解决了现有掺杂的问题。
-
公开(公告)号：CN109065428B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810935160.3
申请日：2018-08-16
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明涉及真空电子器件技术领域，公开了一种双栅控制式冷阴极电子枪及其制备方法。通过本发明创造，提供了一种工艺简单、使用寿命长和性能优良的新型电子枪，即采用冷阴极作为真空电子器件的发射源，并利用阴极栅网阵列化冷阴极表面，可有效削弱大面积冷阴极材料发射电子的静电屏蔽效应，提高大面积冷阴极材料的发射电流，同时将阴极衬底表面设计为一整个平面，不但可规避加工毛刺等问题，改善边缘效应及打火等现象，还可以使阴极衬底表面的电场分布较为平坦，有利于提高发射电流密度的均匀性，实现大电流发射目的，进而可适用于真空电子辐射元器件或产生大电流及高密度电子注的器件中。
-
公开(公告)号：CN110211855B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201910480337.X
申请日：2019-06-04
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于微波、毫米波以及太赫兹频段电真空器件领域，具体提供一种基于冷阴极的多极多电子注辐射源。本发明主要包括阴极挡板、辐射源芯、馈电系统、金属外壳以及输出窗片；通过多级发射和多极调制的方式，充分利用高频结构中部较强的高频场作用在冷阴极表面，从而增加发射电流并加深电子注调制深度，使得电子注有显著的预调制效果。本发明能够得到非常优质的场发射预调制电子注，注波互作用效率得到了明显改善，输出功率明显提高；无需电子光学系统这一优势很大程度地减小了器件的复杂度，通过精细加工，器件尺寸可以达到微米量级，实现毫米波、亚毫米波、太赫兹辐射源的集成性和小型化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
82 条记录 (耗时 0.023 秒)
