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公开(公告)号：CN105374757A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510680798.3
申请日：2015-10-19
申请人： 中国科学院微电子研究所
发明人： 叶甜春
IPC分类号： H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11568
摘要： 一种半导体器件制造方法，包括步骤：在伪栅极侧面形成主要包含氮化物的垫层；将垫层转变为主要包含氧化物的第一阻挡层；在第一阻挡层上依次形成存储层、隧穿层、沟道层；去除伪栅极，在暴露的第一阻挡层上形成第二阻挡层；在第二阻挡层上形成栅极导电层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，将氮化物垫层转变为氧化物阻挡层，能够有效减少缺陷态、抑制阈值电压漂移，改善存储层内电荷横向扩散，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105226066A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510514552.9
申请日：2015-08-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
发明人： 叶甜春
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/10 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L29/10
摘要： 一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅介质层和第一非晶沟道层；减薄第一非晶沟道层；刻蚀第一非晶沟道层、栅介质层直至暴露衬底；在第一非晶沟道层和衬底上形成第二非晶沟道层；退火，使得第一非晶沟道层和第二非晶沟道层转变为多晶沟道层；减薄多晶沟道层。依照本发明的半导体器件制造方法，沉积非晶厚膜再减薄退火以提高多晶薄膜的晶粒大小，并利用额外的保护层避免侧壁刻蚀损伤，能够有效地降低多晶沟道层的界面态、损伤缺陷，从而提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105097822A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510580584.9
申请日：2015-09-12
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/762 , H01L27/115
摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，在共源区与其下方的衬底之间嵌入了隔离结构，其能够在进行共源区注入时抑制杂质产生不期望的扩散，避免了由于杂质过度扩散而引起的操作失效；在三维存储器件编程和读状态时候，电子从共源区向位线流动，而在擦除时，空穴从衬底注入，由于隔离结构的存在，三维存储器件实现了编程/擦除时候需要的电子和空穴在空间上的分离，提高了擦写的效率，也有利于提高集成度。
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公开(公告)号：CN104282571A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310286545.9
申请日：2013-07-09
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L29/785
摘要： 本发明提供一种鳍型场效应晶体管的及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极堆叠，所述栅极堆叠依次包括栅下介质层和栅极材料层；在所述栅极堆叠两侧形成侧墙；形成贯穿栅极材料层和侧墙的鳍空位；在鳍空位中形成栅极介质层；形成位于鳍空位中的鳍结构以及位于鳍结构两侧的源漏区。本发明能够简单、高效地形成用于隔离栅极堆叠和源/漏区的高质量侧墙，有效提高器件生产良率。
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公开(公告)号：CN102468333B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201010532003.1
申请日：2010-10-29
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66045 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/78684
摘要： 本发明公开了一种石墨烯器件结构及其制造方法，所述器件结构包括：石墨烯层；形成于石墨烯层上的栅极区；形成于栅极区一侧的、与石墨烯层相接触的半导体掺杂区；其中所述半导体掺杂区为所述器件结构的漏极区，位于所述栅极区另一侧的石墨烯层为所述器件结构的源极区。通过所述半导体掺杂区来提高石墨烯器件的开关比，而不必增大石墨烯材料本身的带隙亦即不牺牲材料的迁移率和器件的速度，从而使石墨烯材料在CMOS器件中的得到更好的应用。
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公开(公告)号：CN103728025A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210383276.3
申请日：2012-10-10
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明实施例提供一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器，包括透明衬底（1）以及以非嵌套的方式平铺在所述透明衬底（1）上的多个微悬臂梁单元（2）；所述透明衬底（1）对与所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器相配套的读出光路的光线透明。本发明实施例提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，对目标物体进行检测时，由于衬底透明，避免了硅衬底对于来自目标物体的红外光的遮挡和反射引起的能量损失，可有效提高检测灵敏度；同时，因为衬底透明，也无需对衬底进行镂空，避免了制作全镂空结构所需的长时间体硅腐蚀工艺，简化制作流程，提高产品成品率。
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公开(公告)号：CN102390036B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110335135.X
申请日：2011-10-28
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明实施例提出了一种基于浅沟道隔离技术的化学机械研磨终点检测方法，包括：建立晶圆表面微元与研磨垫间相对滑动速度和微元所受摩擦力之间的函数方程；求解函数方程，将微元所受摩擦力代入研磨垫转矩公式，建立晶圆和可调节研磨垫转矩与研磨驱动装置机械参数间的函数关系；依据材质差异所导致的摩擦系数的不同，分析研磨垫表面特征对晶圆形貌变化的影响，通过研磨垫转矩与研磨驱动装置机械参数间的函数关系识别研磨终点，实现终点检测。本发明提出的上述方案，通过考察晶圆和研磨垫间的摩擦因素来分析转矩变化，深入分析研磨工艺制程中晶圆与随机波动粗糙垫板间的相互作用关系，直接通过研磨垫转矩即可识别因材质差异所导致的研磨去除率的不同，从而可以灵活地实现终点检测。
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公开(公告)号：CN103681840A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210333081.8
申请日：2012-09-10
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0615 , H01L29/66681
摘要： 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。根据一示例，半导体器件可以包括：半导体层；半导体基体，位于半导体层上，所述半导体基体包括延伸穿过该半导体基体的空腔；源极和漏极，在半导体层上形成，且分别接于半导体基体的相对的第一侧面和第二侧面；栅极，分别接于半导体基体的相对的第三侧面和第四侧面。
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公开(公告)号：CN103632922A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210298158.2
申请日：2012-08-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
CPC分类号： H01L23/53276 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：a）提供基层；b）刻蚀所述基层形成有底的开口（201）；c）形成填充所述开口（201）的金属塞（202）；d）在所述基层上形成与所述金属塞（202）的上平面相接触的石墨烯层（300）。相应地，本发明还提供根据上述制造方法形成的半导体结构。上述方法和结构通过将石墨烯结晶形成在预定区域中，增加了石墨烯结晶的颗粒尺寸，并结合最优化沉积石墨烯的步骤，有助于提升石墨烯材质的均匀度，因此提升了石墨烯材质在半导体结构中的工作性能以及稳定性。
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公开(公告)号：CN102542119B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210008543.9
申请日：2012-01-12
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明提供的冗余金属填充方法包括将版图划分为若干不重叠的窗格；根据基于规则的填充方法粗调所述窗格内的金属密度；根据基于模型的填充方法对所述窗格内的金属密度进行细调修正。本发明还提供一种冗余金属填充系统包括窗格划分模块、第一填充模块、第二填充模块。本发明提供的一种冗余金属填充方法及其系统，将金属密度分级别进行填充，将金属密度范围分级，在不同的级别内选择用不同金属密度的填充模板进行填充，既能够保证冗余填充的精确度又能保证数据计算量不大。
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