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公开(公告)号：CN113659967B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110969945.4
申请日：2021-08-23
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687
摘要： 用于优化碳化硅MOSFET开关特性的驱动电路及方法，包括输入单元、隔离单元、驱动单元、电感单元、连接单元和保护单元，所述输入单元的电压信号和脉冲信号经过隔离单元的隔离和电平转换后输入到驱动单元；所述驱动单元通过接收脉冲信号完成对电压信号的切换，经连接单元向碳化硅MOSFET施加正负驱动电压；所述电感单元采用带螺纹的软磁铁氧体，通过旋转改变软磁铁氧体在线圈中的位置，改变线圈的磁导率，进而改变线圈的电感值，最终实现驱动回路总寄生电感值的调整。
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公开(公告)号：CN109671686B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201910084700.6
申请日：2019-01-29
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了一种压接型IGBT的封装结构。该装置包括第一支撑片、散热装置、弹性元件、铜片和IGBT芯片结构；第一支撑片设置在散热装置上，用于支撑安装于压接型IGBT的封装结构上的电子器件；散热装置设置在第一支撑片与铜片之间，用于对IGBT芯片结构散热；弹性元件贯穿设置在散热装置内部，弹性元件一端与第一支撑片连接，另一端与铜片连接；弹性元件用于补偿IGBT芯片结构因发热产生的压力差；铜片设置在散热装置与IGBT芯片结构之间，铜片用于将IGBT芯片结构产生的热量传递至散热装置，还用于将弹性元件的弹力传递至IGBT芯片结构。本发明的装置，在实现IGBT芯片表面压力均匀分布的同时能有效的降低芯片表面温度，具有提高IGBT芯片寿命的优点。
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公开(公告)号：CN107305852B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201610262775.5
申请日：2016-04-25
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，包括上端盖、下端盖和发射极金属电极；上端盖和下端盖均为凹形盖，上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架；发射极金属电极设置在长方体框架内，其包括圆盘形金属电极，及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台，凸台上放置IGBT模块；圆盘形金属电极布置在下端盖上，其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比，本发明提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，可以在主回路参数一致的条件下，测量多个并联的IGBT芯片的开关波形，从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。
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公开(公告)号：CN108387774B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201810565149.2
申请日：2018-06-04
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01R21/02
摘要： 本发明公开一种基于750A半导体器件的功率循环试验系统，包括：循环试验装置、750A直流电源、n个半导体开关、n‑1个待测半导体器件组、辅助旁路、水冷系统、温度传感器组和测量与控制系统；所述测量与控制系统包括：数据采集装置、移动终端；本发明将测量系统区、开关控制区、电源放置区、待测器件放置区、水冷系统放置区集成在一个循环试验装置内，不同区域放置不同的器件，不仅满足了功能性的要求，还满足了产品实用性和便携性的要求，提高了功率循环试验系统的集成度与可靠性。
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公开(公告)号：CN116184146A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211476746.0
申请日：2022-11-23
申请人： 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
发明人： 郭亚慧 , 孙鹏 , 李焕林 , 蔡雨萌 , 赵志斌 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
摘要： 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。
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公开(公告)号：CN115579334A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211234864.0
申请日：2022-10-10
申请人： 南方电网科学研究院有限责任公司 , 华北电力大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L21/48 , H01L23/427 , H01L23/473
摘要： 本发明提供一种用于气液混合态介质内的散热装置及其制备方法，属于散热领域，散热装置包括：散热板及多个支撑结构。散热板竖直方向的一侧与热源接触；散热板与热源相对的一侧设置多个支撑结构；多个支撑结构在散热板的水平方向上均匀设置，且水平方向的各支撑结构的面积相等；多个支撑结构的面积在竖直方向上从上至下依次变大；散热板、支撑结构及热源均位于气液混合态介质内。通过合理设置支撑结构的位置及大小，能够准确掌握不同区域的散热面积，进而提高了散热装置压力分布的一致性及散热的均匀性。
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公开(公告)号：CN114927428A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210568697.7
申请日：2022-05-24
摘要： 本发明涉及一种高致密硅凝胶灌封方法，属于弹性压接型功率器件领域，通过逐层灌封与分阶段脱气相结合的方法，减小每层要脱气的硅凝胶厚度，降低狭小缝隙处硅凝胶的压强，使气泡更容易膨大，进而使其容易脱离缝隙，减少器件封装用硅凝胶中残存气泡，提高封装材料的绝缘能力，进而提升器件的整体耐压能力。
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公开(公告)号：CN114545184A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210159329.7
申请日：2022-02-22
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法，属于压接型IGBT器件领域，罗氏线圈阵列板获取压接型IGBT器件内部各芯片的电流微分信号，模拟多路复用器在主控机的控制下接收被测芯片的电流微分信号，通过积分器还原为被测芯片的电流比例信号，模数转换器将被测芯片的电流比例信号转换为被测芯片的数字电流比例信号，从而主控机获得被测芯片的电流数据。本发明只需要1个积分器和1个模数转换器即可实现多芯片电流的测量，减少硬件资源占用，降低系统复杂度。且本发明充分利用电流周期性和电流波形跨周期基本不变的特性，实现了多芯片电流的跨周期分时测量，同时在电流稳态阶段将模数转换器休眠，降低了系统运行成本。
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公开(公告)号：CN114362491A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210028848.X
申请日：2022-01-11
申请人： 华北电力大学
摘要： 阻性负载下的碳化硅MOSFET半桥串扰电压峰值计算方法，包括：在上桥器件导通后，联立上桥驱动回路和主功率回路KVL方程获得上桥栅压表达式；应用饱和区电流公式获得上桥漏电流表达式；基于损耗守恒将下桥驱动电阻等效至漏源极支路，根据等效后下桥器件与负载组成回路的KVL方程获得下桥漏源电压表达式；根据下桥驱动回路KVL方程获得串扰电压表达式，对串扰电压表达式求最值获得串扰电压峰值。本发明每个步骤均只存在单变量，实现了阻性负载下，上下桥器件驱动电压、母线电压量的解耦，获得了阻性负载下串扰电压峰值表达式；本发明可有效评估阻性负载下串扰电压的影响因素，并对保证下桥器件安全运行的参数选取范围给出指导和建议。
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公开(公告)号：CN113110681B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110509529.6
申请日：2021-05-11
申请人： 华北电力大学
摘要： 本发明涉及一种电压钳位电路和碳化硅MOSFET导通损耗的测量系统及方法，所述电压钳位电路包括：场效应晶体管、栅极电阻、驱动信号源、源极电阻和齐纳二极管；当待测碳化硅MOSFET关断时，齐纳二极管击穿导致场效应晶体管断开，由场效应晶体管承担待测碳化硅MOSFET的大部分关断电压，电压测量正极端子和电压测量负极端子之间只有小部分的关断电压，将待测碳化硅MOSFET的关断电压限制为一个较小的值，从而可减小示波器的测试量程，在提高导通电压测量精度的同时避免示波器的饱和现象。
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