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公开(公告)号：CN107293625A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710464683.X
申请日：2017-06-19
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0029 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/24
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件，其结构自下至上依次包括：一衬底；一生长在衬底上的GaN缓冲层；一生长在GaN缓冲层上的AlN插入层；一生长在AlN插入层上的AlxGa1-xN层；并刻蚀形成贯穿AlxGa1-xN层、AlN插入层，深至GaN缓冲层的纳米柱阵列；所述纳米柱阵列中，AlxGa1-xN层的直径小于AlN插入层的直径。并公开了该AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件的制备方法。本发明利用纳米柱结构，释放异质外延薄膜中的应力，提高器件发光效率；通过改变阵列结构参数，调控光场分布，提高紫外光的抽取效率。采用优化的三层胶紫外软压印技术，可克服AlGaN外延片表面粗糙带来的缺陷，压印图形边缘平滑无锯齿，可实现大面积制备，且纳米柱阵列形状、直径大小可调，结构可转移。
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公开(公告)号：CN106206872A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610635841.9
申请日：2016-08-04
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0054 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明公开了一种Si-CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件，其结构自下至上依次包括：蓝宝石衬底、n型GaN层、InxGa1-xN/GaN量子阱有源层、p型GaN层；所述微米柱LED器件刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的微米柱阵列，还包括一p型阵列电极，蒸镀在微米柱阵列的p型GaN层上，一n型电极，蒸镀在n型GaN层上；Si-CMOS阵列驱动电路的阵列电路一一对应的键合到p型阵列电极上，Si-CMOS阵列驱动电路的电极键合到n型电极上。并公开了其制备方法。本发明通过将Si-CMOS阵列驱动电路与微米柱阵列LED器件进行对应连接，可以实现CMOS阵列驱动电路对每个像素点的单独控制，能应用于超高分辨照明与显示，可见光通讯，生物传感等众多领域。
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公开(公告)号：CN103966621A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410026998.2
申请日：2014-01-21
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明涉及一种分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，在衬底从下至上依次包括GaN层、厚度50nm-5um，InGaN层、10nm-1um，从InGaN层暴露出的部分GaN层上设有n电极；衬底另一面为DBR层；所述DBR层由高折射率材料和低折射率材料交替组合构成。GaN层厚度1-5μm、InGaN层厚度100-500nm；DBR层为8-16周期，高折射率与低折射率的材料两者厚度分别为40-70nm和60-90nm。利用生长DBR布拉格反射镜在InGaN电极背面来增强光催化分解水效率的方法，实现了较低的暗电流和低开启电压。
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公开(公告)号：CN103681898A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310680602.1
申请日：2013-12-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/18 , G02B5/20
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02165 , G02B5/3041 , H01L31/18
Abstract: 一种基于SiO2/Si3N4分布式布拉格反射镜的紫外带通滤波器，选用蓝宝石(0001)、氮化铝或铝镓氮衬底，衬底的表面为平整面；在衬底上或者具有紫外探测器件结构的表面生长制备一前一后堆叠的分布式布拉格底镜和顶镜两个反射镜，两反射镜间用中间隔离层隔开，形成紫外带通滤波器；生长分布式布拉格反射镜底镜,以形成带通滤波器反射谱中的长波段右禁带，在底镜上继续生长分布式布拉格反射镜顶镜,形成带通滤波器反射谱中短波段左禁带，选择介质薄膜SiO2与Si3N4、TiO2、HfO2中之一两者组成分布式布拉格反射镜(DBR)的单位结构，顶镜或底镜的反射镜周期数为4～20；整个厚度范围为1.5μm～2μm。
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公开(公告)号：CN101319400B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810024894.2
申请日：2008-05-19
Applicant: 南京大学
Abstract: Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料合成方法是：采用MOCVD生长方法，(1)在蓝宝石衬底上高温氮化处理衬底材料，在MOCVD生长系统中通入H2、N2或H2和N2气体对蓝宝石衬底进行1000-1100℃温度下衬底表面处理，(2)生长低温GaN缓冲层，(3)生长高温GaN缓冲层，低温和高温GaN缓冲层的厚度均为0.5um-2um；(4)在GaN高温缓冲层上通过Fe掺杂控制合成生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料，在900-1150℃温度下通入流量范围分别为0.1-5slm、1-10sccm和15-200sccm的氨气、三甲基镓和二茂铁(CP2Fe)，生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料；生长腔压力保持5-500Torr。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101307485B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810018876.3
申请日：2008-01-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 用于半导体材料气相淀积生长系统的氮源离化方法，在CVD、MOCVD、HVPE以及MBE等半导体材料生长系统中采用外加射频场的方式对氮源进行离化。采用高频电流加到电容或电感线圈的电极上，通过平行电容板间或电感线圈对其包围的气路进行高频电场的施加；加速电子，离化气体分子，从而产生等离子体。装置包括金属法兰(1)、冷却水管路(2)、石英外罩(3)、石英整流罩(5)、金属盖(6)、平等板电容器(7)、热电偶(8)、石墨(9)、抽气孔(10)、射频匹配器(11)、射频功率源(12)、进气口的(13)构成，金属法兰(1)和金属盖(6)装在石英外罩(3)的两端，在包围进气口(13)气路上或生长平台的气路上设有电容或电感耦合元件。
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公开(公告)号：CN101740778A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810234836.2
申请日：2008-11-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明低温水热合成有机膦酸类锂电池正极材料提出一类组成为LixMmR(PO3)n(其中R＝有机基团，M＝过渡金属离子)的新型金属有机膦酸锂配位化合物作为锂离子电池正极材料，通过改变有机基团R，可实现这类材料组成结构的调控，达到优化锂离子在正极材料中的脱嵌。制备方法采用的是成本低廉的低温低压水热合成技术，产率高、纯度高。得到具有三维孔道结构的膦酸铑锂配合物，该材料首次放电容量达到82.73mAh/g，20次充放电之后，比容量还是维持在82mAh/g左右，几乎没有下降。这表明由此法合成的该材料具有较好的充放电稳定性。
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公开(公告)号：CN101714603A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910212662.4
申请日：2009-11-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种GaN基量子阱红光LED结构的生长方法，利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，得到GaN基GaN/InGaN量子阱红光LED结构材料，其中量子阱中InxGa1-xN材料In组份控制组份x在0.1到0.5之间。本发明实现了III族氮化物的红光长波长发光，针对高In组份InGaN材料生长困难的问题，本发明通过在MOCVD系统中，对有机镓源和铟源的流量，生长温度、时间，氨气流量，N与Ga之摩尔比等条件的控制和调整，解决了这一问题。本发明整个生长过程中，通过对温度和反应物流量比等条件的严格控制，确定量子阱的发光波长，实现长波长发光，得到GaN基GaN/InGaN量子阱红光LED结构。
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公开(公告)号：CN100533077C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710022225.7
申请日：2007-05-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 染料敏化太阳能电池转换效率及单波长量子效率测量方法，包括如下步骤：定染料敏化纳米薄膜太阳能电池受光面积的大小，搭建平衡电桥补偿电路，得到电流一电压曲线，直接通过计算机程序得到开路电压，短路电流，填充因子，转换效率等参数；在相同单色光照条件下，测量已知参数的标准参比电池与实验染料敏化纳米薄膜太阳能电池的短路电流信号，并且将二者进行对比计算，得到实验染料敏化纳米薄膜太阳能电池的单波长外量子效率；在染料敏化太阳能电池受光之前的空间位置放置积分球进行光积分，测量得到短路电流信号，与标准参比电池的电流信号进行对比计算，得到实验染料敏化纳米薄膜太阳能电池的单波长内量子效率。
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公开(公告)号：CN101364482A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810156068.3
申请日：2008-09-19
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 可见光铟镓氮基光电化学电池的制备方法，采用MOCVD在α－Al2O3衬底上外延生长单晶取向的GaN支撑层和InxGa1－xN合金层，利用GaN层缓解InGaN层与衬底之间大晶格失配；其中GaN层生长采用两步法，先设置50至100nm厚的低温缓冲层，低温缓冲层生长温度为500至550℃，再将生长温度升高至1100℃，生长1μm至2μm厚GaN支撑层；InxGa1－xN合金层生长温度区间从600至850℃，决定InxGa1－xN合金层中In的组分x，合金组分0≤x≤1，厚度从50nm至500nm，在InxGa1－xN合金薄膜表面淀积1至10μm金属铟形成欧姆接触电极。
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