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公开(公告)号：CN108027349A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201580080208.1
申请日：2015-09-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 , 斯蒂芬·班格特 , 海克·兰特格雷夫
IPC: G01N29/02 , C23C14/54 , G01N29/24 , G01N29/32 , H01L41/113
CPC classification number: G01N29/022 , C23C14/546 , G01N29/2443 , G01N29/32 , G01N2291/0256 , G01N2291/0426 , H01L41/0533
Abstract: 一种用于测量组件的检测元件，测量组件适于测量在基板上的已蒸发的材料的沉积速率。检测元件包括：振荡晶体，用于检测沉积速率；以及阻挡物层，包括阻挡材料，阻挡材料覆盖振荡晶体的至少一部分，并且被构造以防止已蒸发的材料扩散到振荡晶体中。
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公开(公告)号：CN107592889A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201680027463.4
申请日：2016-05-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 , 斯蒂芬·班格特 , 哈拉尔德·沃斯特 , 德烈亚斯·勒普 , 戴特尔·哈斯
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/04 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/243 , H01L51/00
Abstract: 本文所述的数个实施方式涉及一种用以将已蒸发源材料沉积于基板上的蒸发源(20)。蒸发源(20)包括：一或多个分配管(106)，具有多个喷嘴(22)，其中所述多个喷嘴(22)的每个喷嘴被构造成用于朝向基板(10)导引已蒸发源材料的羽流；和遮蔽装置(30)，包括多个孔(32)，其中所述多个孔(32)的至少一个孔被构造成塑形从单一相关的喷嘴射出的已蒸发源材料的羽流(318)。根据其他方面，描述了一种用于蒸发源的遮蔽装置及数个将已蒸发源材料沉积于基板上的方法。
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公开(公告)号：CN107109621A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580072814.9
申请日：2015-01-12
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/4587 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/50 , C23C16/042 , H01L21/682 , H01L51/0011
Abstract: 本公开提供了用于在处理腔室中的层沉积期间支撑基板载体(130)和掩模载体(140)的固持布置(100)。固持布置(100)包括可连接至基板载体(130)和掩模载体(140)中的至少一个的两个或更多个对准致动器。固持布置(100)被配置为在第一平面中或平行于第一平面支撑基板载体(130)，其中两个或更多个对准致动器中的第一对准致动器(110)被配置为至少在第一方向(1)上使基板载体(130)和掩模载体(140)相对于彼此来移动，其中两个或更多个对准致动器中的第二对准致动器(120)被配置为至少在第一方向(1)上和不同于第一方向(1)的第二方向(2)上使基板载体(130)和掩模载体(140)相对于彼此来移动，并且其中第一方向(1)和第二方向(2)在第一平面中。
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公开(公告)号：CN107002223A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083861.9
申请日：2014-12-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 , 斯蒂芬·班格特 , 奥利弗·海默尔 , 迪特尔·哈斯
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/12 , C23C14/568 , H01L51/001 , C23C14/50
Abstract: 描述一种用于将材料沉积在基板(121)上的真空沉积系统(300；400；500)。真空沉积系统(300；400；500)包括：真空腔室(110)，真空腔室(110)具有腔室容积；以及材料沉积布置(100)，材料沉积布置(100)用于提供将沉积的材料，材料沉积布置(100)在沉积期间位于真空腔室(110)中。真空沉积系统进一步包括基板支撑件(126；600)，基板支撑件(126；600)用于在真空腔室(110)中支撑基板(121)，基板具有基板尺寸。腔室容积对基板尺寸比是15m或更少。另外，描述一种用于在真空沉积系统(300；400；500)中将材料沉积在基板(121)上的方法。
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公开(公告)号：CN107002221A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083241.5
申请日：2014-11-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯蒂芬·班格特 , 安德烈亚斯·勒普 , 托马斯·格比利 , 乌韦·许斯勒 , 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波
IPC: C23C14/12 , C23C14/24 , C23C16/455 , C23C14/04 , H05B33/10
Abstract: 描述一种用于在真空腔室(110)中将已蒸发的材料沉积在基板(121)上的材料沉积布置(100)。所述材料沉积布置包括两个材料沉积源(100a、100b)，它们各自具有分配管道(106a、106b)和一或多个喷嘴(712)。另外，描述一种包括材料沉积布置的真空沉积腔室、以及一种用于在真空沉积腔室中将已蒸发的材料沉积在基板上的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107002219A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480084006.X
申请日：2014-12-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/04 , C23C16/04 , C23C16/458
CPC classification number: C23C14/042 , C23C16/042 , C23C16/4587
Abstract: 提供一种用于在处理腔室中掩蔽基板(10)的掩模布置(100)。掩模布置(100)包括：掩模框架(110)，所述掩模框架具有一个或多个框架元件(112、114、116、118)并且被配置为支撑掩模器件(120)，其中掩模器件(120)可连接到掩模框架(110)；以及至少一个致动器(130)，所述至少一个致动器可连接到一个或多个框架元件(112、114、116、118)中的至少一个框架元件(112)，其中至少一个致动器(130)被配置为向所述至少一个框架元件(112)施加力。
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公开(公告)号：CN103429786A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201180069001.6
申请日：2011-03-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/448 , C23C16/44
Abstract: 提供一种涂布设备(700)，所述涂布设备包括：(i)真空腔室(16)，所述真空腔室用于使用经由金属丝(wire)(14)加热的涂布材料涂布基板(12)；和(ii)致动器系统(18)，所述致动器系统包括机动驱动器(20)。致动器系统配置成用于在涂布期间张紧金属丝(14)。此外，提供一种制造经涂布的基板(12)的方法，所述方法包括以下步骤：(i)由包括机动驱动器的致动器系统(18)张紧金属丝(14)；和(ii)使用涂布材料(28)涂布基板(12)，所述涂布的步骤在真空条件下执行。涂布的步骤包括以下步骤：在涂布材料沉积于基板(12)之上之前，加热金属丝(14)的至少一部分(14b)至用于引起涂布材料的温度升高的操作温度。
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公开(公告)号：CN102046833B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980120576.9
申请日：2009-04-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯蒂芬·班格特 , 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 , 迈克尔·柯尼格 , 尼蒂·M·克里希纳 , 秉-圣·利奥·郭
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明涉及一种清洁方法，所述方法用于将碱金属或碱土金属残余物从向基板(2)上镀碱金属或碱土金属的镀膜设备(1)的真空镀膜室(3)中移除。为达此目的，将选自由N2、O2、或空气所组成的组的气体引入至所述腔室(3)中，所述气体与所述碱金属或碱土金属反应形成相对应的固体化合物。可另外将水引入到所述真空镀膜室(3)中。在所述碱金属或碱土金属与所述气体反应之后，将所产生的相对应的固体化合物从所述真空镀膜室中移除。
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公开(公告)号：CN119604642A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202280098675.7
申请日：2022-07-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯蒂芬·班格特
Abstract: 本文描述了一种用于在基板（10）上沉积材料的蒸发源（100）。所述蒸发源（100）包括用于蒸发材料的坩埚（110）。此外，所述蒸发源（100）包括与坩埚（110）流体连通的分配器（120）。分配器（120）包括温度控制系统（121），用于将分配器（120）的温度控制在温度Td。温度Td等于或高于材料的熔化温度Tmelting并低于材料的蒸发温度Tevap（Tmelting≤Td
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