公开(公告)号：CN117987795A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410377809.X

申请日：2024-03-29

Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司

Inventor： 张陈斌 ,  姜颖 ,  郭俊伟 ,  王世宽

IPC: C23C14/54 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明提出了一种化合物薄膜方阻的线性高精度调控方法，包括：通过高精度气体流量控制装置向磁控溅射真空腔体内通入预设流量的氩气和氮气；通过控制反应气压控制装置调节腔体内的反应压力和气体浓度；调节腔体内的反应压力的过程为：控制反应气压控制装置中的真空阀，调节气囊内部压强，使得与真空阀连接的磁控溅射腔体内部气囊的体积调节至合适大小，从而调控腔体内部的反应压力和氮气浓度。本发明采用高精度气体流量控制装置精密控制向腔体内通入的反应气体流量，并采用反应气压控制装置微调腔体内的反应气压和气体浓度，从而实现化合物薄膜方阻的精细调控，精度明显优于传统方案。

公开(公告)号：CN117230431B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311516808.0

申请日：2023-11-15

Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司

Inventor： 王世宽 ,  姜颖 ,  刘超 ,  宋永辉

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/503 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请公开了一种CVD晶圆镀膜设备，包括工作室、承载机构、第一作业板、第二作业板、供气装置、供电装置、抽气装置、散热板、风扇和加热棒；通过供气装置、第一作业板、第二作业板和抽气装置，能够调控反应腔内的压力、确保反应气体均匀地作用于晶圆；通过散热板、风扇和加热棒，能够调控反应腔内的温度，确保晶圆在所需温度下进行反应；本申请提供的CVD晶圆镀膜设备高效集成了气控、温控和电场发生等机构，能够有效、可靠地构建晶圆气相沉积镀膜所需的环境，提高镀膜效率、优化镀膜效果。

公开(公告)号：CN117497461A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311846883.3

申请日：2023-12-29

Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司

Inventor： 张陈斌 ,  张超 ,  宋永辉 ,  王世宽

IPC: H01L21/67

Abstract: 本申请公开了一种晶圆镀膜前处理装置，包括干燥腔、加热腔和加热装置，加热装置能够加热加热腔和干燥腔；还包括气循环装置、第一吹气装置和第二吹气装置，加热装置还能够加热气循环装置输送的气体，加热过的气体能够通过第一吹气装置吹向晶圆的正面、并能够通过第二吹气装置吹向晶圆的背面；晶圆进入干燥腔后处于高温环境下，热气从两侧吹向晶圆，能够很好地吹扫晶圆、促进晶圆干燥，并能够吹除晶圆表面的杂质、确保晶圆的洁净，晶圆内部的杂气被烘出后，热气还能够吹散杂气、避免杂气重新附着到晶圆上；本申请提供的晶圆镀膜前处理装置集合了高温烘干和热气吹扫，晶圆通过前处理装置实现了高效的干燥和清洁，有利于晶圆后续镀膜。

公开(公告)号：CN116632072A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310382228.0

申请日：2023-04-11

Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司

Inventor： 张陈斌 ,  许磊 ,  王世宽 ,  宋永辉

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/024 ,  H01L31/18 ,  H01L31/09

Abstract: 本申请公开了一种近红外探测器及其制备方法，所述近红外探测器包括由下至上依次层叠设置的衬底、隔热层、绝缘层、第一电极层、电阻层、光吸收层、缓冲层、第二电极层；所述隔热层包括聚酰亚胺层，所述电阻层包括二氧化钒层，所述光吸收层包括Cu2CdxZn1‑xSnSe4，其中，0≤X≤1。本申请提供了一种近红外探测器及其制备方法，该近红外探测器的制备方法简单且成本低廉，可以满足民用需求。

公开(公告)号：CN113846293A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202111080316.2

申请日：2021-09-15

Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司

Inventor： 宋永辉 ,  王世宽

IPC: C23C14/22

Abstract: 本发明公开了一种物理气相沉积源的移动装置及物理气相沉积装置，涉及物理气相沉积技术领域。移动装置包括：第一移动机构，与基座连接，用于带动所述基座在第一方向上往复移动；第二移动机构，与所述第一移动机构连接，所述第二移动机构用于带动所述第一移动机构以及所述基座在第二方向上往复移动，所述第一方向与所述第二方向为不同方向。本发明能够避免增加或更换靶材后带来的PVD SOURCE位置偏移，从而避免对PVD产品质量的影响。

公开(公告)号：CN222135017U

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202420686821.4

申请日：2024-04-07

Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司

Inventor： 俞铭熙 ,  王兆丰 ,  王世宽

IPC: B25J18/00 ,  B25J19/00

Abstract: 本实用新型提供一种晶圆寻边机械臂，上臂；转盘，设置在所述上臂的一侧，所述转盘上的转盘转轴转动连接于上臂；驱动件，用于驱动所述转盘绕所述转盘转轴转动；感应件，用于感应晶圆上的缺口；所述上臂上设置有缺口感应孔，晶圆的缺口在旋转时经过所述感应件的感应元件与所述缺口感应孔之间的连线；通过设置转盘、驱动件和感应件，实现上臂转动的同时驱动件驱动转盘转动，利用感应件感应晶圆的缺口达到晶圆寻边的目的，实现晶圆转运过程中寻边，极大地提高晶圆加工效率。

公开(公告)号：CN216378351U

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202122806544.5

申请日：2021-11-16

Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司

Inventor： 宋永辉 ,  王世宽 ,  徐伟

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/22 ,  C23C14/50

Abstract: 本实用新型公开了一种提高氧化钒沉积均匀度的载片台，应用在物理气相沉积领域，其技术方案要点是：包括真空筒和设置在真空筒内的载片组件，载片组件包括载片盘，载片盘的上表面设置有多个用于氧化钒沉积的衬底，载片盘的下方叠设有加热盘，加热盘上对应多个衬底的位置设置有多个加热腔体，多个加热腔体内设置有用于对衬底加热的电热辐射板，具有的技术效果是：通过在衬底的下方加入电热辐射板，同时配合加热腔体以及聚热腔体，可以实现对衬底进行更具针对性的加热，同时其受热更加均匀，进而实现氧化钒粒子均匀快速地在衬底上沉积。

公开(公告)号：CN216237261U

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202122810707.7

申请日：2021-11-16

Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司

Inventor： 王世宽 ,  宋永辉 ,  史鹏

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/08

Abstract: 本实用新型公开了一种应用于氧化钒物理沉积的载片台，应用在物理气相沉积领域，其技术方案要点是：包括真空筒和设置在真空筒内的载片组件；载片组件包括载片盘，载片盘的下方转动叠设有公转盘，载片盘的中心位置设置有转动轴，转动轴穿出公转盘后设置有自转齿轮；公转盘远离转动轴的一侧固定设置于传动杆，传动杆上设置有传动齿轮，传动齿轮与自转齿轮啮合传动连接，具有的技术效果是：通过将载片盘上的转动轴和驱动其转动的传动杆错位设置，并且传动杆与叠设在载片盘下方的公转盘固定连接，可以实现传动杆驱动载片盘自转的同时通过公转盘带动载片盘绕传动杆公转，从而实现氧化钒可以均匀的生长在衬底上。