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公开(公告)号：CN107077071A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580055292.1
申请日：2015-10-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物具有下述特征：在高低差基板上的平坦化性能优异，向微细孔隙图案填埋的填埋性能良好，可使得成膜后的晶片表面平坦。其解决手段为包含含有下述式(1)表示的单元结构的聚合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。
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公开(公告)号：CN106233206A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580020531.X
申请日：2015-05-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题在于提供用于形成抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物，该抗蚀剂下层膜在从上层转印图案、基板加工时能够干蚀刻，在基板加工后能够用碱性水溶液除去。解决手段为一种包含具有丙烯酰胺结构或丙烯酸酯结构的聚合物(A)、具有封端异氰酸酯结构的聚合物(B)以及溶剂(C)的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。聚合物(A)为包含下述式(1)的结构单元的聚合物。聚合物(B)为包含下述式(2)的结构单元的聚合物。一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案对无机硬掩模层进行蚀刻的工序；通过图案化的无机硬掩模层对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；以及通过图案化的抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105874386A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480070504.9
申请日：2014-12-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G12/08 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的在于提供具有良好的硬掩模功能、并能够形成良好的图案形状的抗蚀剂下层膜。本发明提供了用于光刻工序的抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有通过具有仲氨基的芳香族化合物与醛化合物的反应而得的酚醛清漆聚合物。酚醛清漆聚合物为含有式(1)所示的结构单元的聚合物。本发明还提供了半导体装置的制造方法，包括下述工序：利用本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；进而在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射和显影来形成抗蚀剂图案的工序；利用所形成的抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序；利用图案化了的硬掩模对该抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；及利用图案化了的抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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公开(公告)号：CN104508558B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201380040983.5
申请日：2013-08-05
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08G8/04 , C09D161/12 , G03F7/094 , G03F7/16 , H01L21/02112 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/32139
Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述聚合物和溶剂，所述聚合物具有下述式(1a)、式(1b)和式(1c)所示的重复结构单元中的任1种或2种以上，式中，2个R1各自独立地表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R2各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R3表示可以具有取代基的芳香族烃基，R4表示氢原子、苯基或萘基，在式(1b)中2个R3所表示的基团和2个R4所表示的原子或基团可以彼此不同，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，n、n1和n2表示2～500的整数，p表示3～500的整数，X表示单键或杂原子，2个Q各自独立地表示结构单元。
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公开(公告)号：CN104136997B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201380011378.5
申请日：2013-02-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G63/00 , C08G65/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/092 , C08G63/6856 , C08G63/91 , C08G65/40 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/31144
Abstract: 本发明的课题是提供用于形成提高了与抗蚀剂的密合性的抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的手段是，一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含主链具有下述式(1)所示的重复结构单元的聚合物和有机溶剂。式(1)中，R1表示氢原子或甲基，Q1表示下述式(2)或式(3)所示的基团，v1和v2各自独立地表示0或1。式(2)(3)中，R2、R3、R5和R6各自独立地表示氢原子或碳原子数1～4的直链状或支链状的烃基，R4表示氢原子或甲基，R7表示碳原子数1～6的直链状或支链状的烃基、碳原子数1～4的烷氧基、碳原子数1～4的烷硫基、卤原子、氰基或硝基，w1表示0～3的整数，w2表示0～2的整数，x表示0～3的整数。
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公开(公告)号：CN104854205A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201380066230.1
申请日：2013-12-13
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09D201/00 , B05D1/38 , B05D3/10 , B05D7/24 , C09D5/00 , C09D125/00 , C09D139/04 , C09D145/00 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: C08J5/18 , B05D1/005 , B05D1/322 , B05D3/0254 , C08F212/32 , C08J2325/02 , C08J2325/08 , C08J2325/14 , C08J2333/12 , C08J2339/04 , C09D139/04 , C09D145/00 , C09D153/00 , C09D201/00 , G03F7/0002 , Y10T428/24802 , C08F2220/281 , C08F2220/325 , C08F220/20 , C08F212/14 , C08F226/06 , C08F220/14 , C08F212/06
Abstract: 本发明的课题是提供一种不会与上层的自组装膜发生互混(层混合)而在自组装膜上形成垂直图案的自组装膜的下层膜。解决手段是一种自组装膜的下层膜形成用组合物，其特征在于，含有在聚合物的全部结构单元中具有0.2摩尔％以上的多环芳香族乙烯基化合物结构单元的聚合物。所述聚合物为聚合物在全部结构单元中具有20摩尔％以上的芳香族乙烯基化合物的结构单元，且芳香族乙烯基化合物在全部结构单元中具有1摩尔％以上的多环芳香族乙烯基化合物的结构单元的聚合物。所述芳香族乙烯基化合物包含可分别被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑，所述多环芳香族乙烯基化合物为乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑。另外，所述芳香族乙烯基化合物包含可被取代的苯乙烯、和可分别被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑，多环芳香族乙烯基化合物为乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑。
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公开(公告)号：CN101821677B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880111027.0
申请日：2008-10-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/14 , H01L21/027
CPC classification number: C08G63/664 , C08G59/1438 , C08L63/00 , G03F7/091
Abstract: 本发明的目的在于提供用于形成干蚀刻速度的选择比大、且在诸如ArF准分子激光的短波长下的k值和折射率n显示期望值的抗蚀剂下层膜的组合物。该形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物包含线状聚合物和溶剂，所述线状聚合物的主链具有介由酯键和醚键引入了2，4-二羟基苯甲酸的单元结构。
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