公开(公告)号：CN1315003C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200310123124.0

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  中井淳一 ,  富久胜文

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  G02F1/133553 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子器件及其制造方法、溅射靶，所述电子器件用以下部分构成：由金属氧化物构成的第一电极；与所述第一电极直接接触、电连接的由铝合金膜构成的第二电极；这里，在所述第一电极和所述第二电极直接接触的接触界面中，构成所述铝合金膜的合金成分的至少一部分作为析出物或浓化层存在，所述铝合金膜，含有0.1～6原子%的从由Au、Ag、Zn、Cu、Ni、Sr、Sm、Ge、Bi构成的一组中选择的至少一种作为合金成分。根据本发明，能提供使铝合金膜和金属氧化物电极直接接触，能省略阻碍金属的电子器件及其制造技术。

公开(公告)号：CN1917218A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610114890.4

申请日：2006-08-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 钉宫敏洋 ,  后藤裕史

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中，所述源极/漏极电极包括铝合金薄膜，所述铝合金含0.1－6原子％的镍作为合金元素，并且直接连接到所述的薄膜晶体管半导体层上。

公开(公告)号：CN1804110A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510138116.2

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  中井淳一 ,  富久胜文

IPC: C23C14/34 ,  C22C21/00

Abstract: 一种由铝合金构成的溅射靶，其中：作为合金成分，包含0.1～6原子％的从由Ag、Zn、Cu、Ni构成的一组中选择的至少一种，并且包含0.1～6原子％的从由Nd、Y、Fe、Co构成的一组选择的至少一种。

公开(公告)号：CN1683980A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510064947.X

申请日：2005-04-12

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  富久胜文

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G02F1/133 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/124

Abstract: 一种显示装置，它包括绝缘基材、安置在绝缘基材上的薄膜晶体管、包含透明电极的象素电极以及作为用于电连接薄膜晶体管和象素电极之间的连接线路部分的铝合金膜。所述铝合金膜是包括不含氮铝合金层以及安置在第一层上并含有氮的另一个铝合金层的多层铝合金层膜。所述含氮层保证了对碱溶液的耐腐蚀性。所述含氮铝合金层至少在与象素电极的连接区域中被去除，以使象素电极直接连接第一铝合金层。

公开(公告)号：CN105900216B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201580004042.5

申请日：2015-01-21

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  岩成裕美

IPC: H01L21/28 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明的平板显示器用配线膜，由如下第一层和第二层层叠而成的层叠结构构成：第一层，其含有从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择的至少一种以上的高熔点金属；第二层，其由含有0.01原子％以上且低于0.2原子％的稀土类元素、Ni和Co之中至少一种以上的Al合金构成。该配线膜即使经受400℃以上且500℃以下的高温的热过程，仍可抑制配线电阻的上升，也不会发生小丘等，耐热性优异。

公开(公告)号：CN108886060A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021338.7

申请日：2017-04-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  越智元隆 ,  北山巧 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786

Abstract: 一种在基板上按顺序至少具有氧化物半导体层、栅绝缘膜、栅电极、源‑漏电极和保护膜，此外还含有保护层的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层，由以特定的原子数比含有In、Ga、Zn、Sn和O的氧化物构成，所述保护层含有SiNx，并且迁移率为15cm2/Vs以上。

公开(公告)号：CN104603919B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201380045020.4

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴辰玄 ,  金连洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，其在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN104904017B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201380067793.2

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  广濑研太 ,  田尾博昭 ,  高梨泰幸

IPC: H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G19/00 ,  H01L21/465 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型(BCE型)的薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管TFT的氧化物半导体层对TFT制造时的源‑漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。所述薄膜晶体管的特征在于，在基板上至少依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极、以及保护所述源‑漏电极的保护膜，所述氧化物半导体层由Sn、选自In、Ga及Zn中的1种以上的元素、和O构成，在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源‑漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚‑氧化物半导体层中央部的膜厚)/源‑漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚]求得的值为5％以下。

公开(公告)号：CN103972246B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410205558.3

申请日：2010-07-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  前田刚彰 ,  岩成裕美 ,  平野贵之

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种密接性优良，且能够实现低电阻、低接触电阻的新的布线结构。本发明的布线结构在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，上述半导体层由氧化物半导体构成。

公开(公告)号：CN105683884A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480058893.3

申请日：2014-11-12

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 志田阳子 ,  越智元隆 ,  后藤裕史

IPC: G06F3/041 ,  C22C21/00 ,  C22C22/00 ,  G06F3/044 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B32B15/016 ,  C22C21/00 ,  C22C21/12 ,  C22C22/00 ,  C22C27/04 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/086 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H01J37/3429

Abstract: 本发明提供一种优选用于以电容方式的触控面板传感器等为代表的输入装置中的电阻率低且反射率低的新型电极；及其制造方法。该电极是具有如下层叠结构的电极：由Al膜或Al合金膜构成的第1层；以及包含Al及选自Mn、Cu、Ti和Ta中的至少一种元素的Al合金的第2层，其一部分氮化。