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公开(公告)号:CN104158525B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201410433626.1
申请日:2014-08-29
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H03K17/567 , H03K17/78
摘要: 本发明公开了一种基于单根光纤供电与脉冲信号传输的光驱动IGBT装置,包括用于产生光信号的光信号发生器、对光信号进行转换和控制的光控制器、对光信号进行传输的光纤介质,所述光信号发生器的光出射端通过光纤介质连接光控制器的光接收端,光控制器的信号输出端作为驱动输出端驱动外部变流系统。本发明通过光信号来控制IGBT的通断,采用浮电位的形式使控制信号不受受控功率器件的发射极电压的影响,具有结构简单、电气隔离性好、抗干扰能力强、控制方便且易于大功率控制等优点。本发明适用于动车、高铁等电车牵引传动,开关电源、电子开关、及各类电动机的调速等大功率变流系统中。
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公开(公告)号:CN106549586A
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201611121405.6
申请日:2016-12-08
申请人: 电子科技大学
CPC分类号: H02M7/02 , H02M3/33515 , H02M3/33523
摘要: 本发明公开了一种基于AC/DC控制芯片的轻载响应控制系统。其包括原边部分和副边部分,所述副边部分包括二极管和由第一电解电容、第二电解电容及第一电阻组成的并联电路;所述二极管的负极与所述并联电路的一端连接,所述二极管的正极和所述并联电路的另一端与所述原边部分的功率管连接;所述二极管的两端还并联有电容和第二电阻组成的串联电路。本发明通过在AC/DC控制芯片内部添加数字电路替换副边控制芯片,并利用比较器将VCPC负载感应信号在LL-MODE状态下划分为四个阶段,通过在四个阶段进行切换实现对AC/DC控制芯片的轻载响应的稳定控制,大大减小了系统功耗,降低了系统成本,具有广阔的应用推广前景。
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公开(公告)号:CN106098552A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610562746.0
申请日:2016-07-18
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H01L21/329 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/29
CPC分类号: H01L29/6609 , H01L21/56 , H01L23/293 , H01L23/3114
摘要: 本发明涉及半导体器件的芯片尺度封装领域,具体为一种半导体分立器件CSP封装技术。本发明采用聚酰亚胺材料来实现一体化钝化封装,无需专门的邦定封装设备,且具有更好的绝缘性,耐高温,耐辐射,热阻小等优良性能;采用无引线的倒装结构和多层金属化技术,使得封装电容从引线邦定的1‑3pF下降到0.5‑1pF,引线电感从2‑4nH下降到0.5‑1.5nH,由于采用倒装散热结构,热阻也将下降为原来正装结构的一半,从而使得封装性能大大提升,并使PIN二极管的体积重量降低。
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公开(公告)号:CN102201449B
公开(公告)日:2013-01-09
申请号:CN201110139824.3
申请日:2011-05-27
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H01L29/78 , H01L23/31 , H01L23/367
CPC分类号: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 一种功率MOS器件低热阻封装结构,属于功率半导体器件技术领域。本发明结合硅芯片倒装桥夹技术和常规TO封装技术,采用倒装散热结构,使得功率MOS器件产生的热量直接流向金属热沉,解决了功率MOS器件常规TO封装所带来的热阻过大的问题;同时桥夹技术的大面积接触除了进一步降低热阻,还可以增大电流容量,减小寄生电感。本发明提供的功率MOS器件低热阻封装结构,具有常规TO封装的外形,可以利用现有的TO封装生产线,无需添加封装设备、仅适当增加桥夹与倒装工艺相关设备的情况下封装出性能优异的功率MOS器件。经实际检测证明,本发明提供的功率MOS器件低热阻封装结构,比常规TO封装结构可使热阻下降约80%、电流容量增加约两倍,而寄身电感大大减小。
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公开(公告)号:CN113380182B
公开(公告)日:2022-05-03
申请号:CN202110429901.2
申请日:2021-04-21
IPC分类号: G09G3/32
摘要: 本发明属于显示技术领域,具体为一种栅控类MOS发光LED像素驱动电路。本发明采用恒流控制发光单元的方式,提升了显示稳定。在本发明的电路中,由于负反馈回路的设置,对共源共栅电流源的电流起到了调节作用,使得发光显示的灰度调节可以由其栅控电压或片外电阻实现。通过在像素单元中插入一个反相器,并将该反相器与驱动晶体管连接,使其集成后的整个驱动电路中行线和每个像素都构成一个独立的扫描缓冲器,增强了像素驱动能力,提升了集成后器件显示的可靠性。本发明适用于各类发光显示设备,尤其是对于微显示设备。
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公开(公告)号:CN113488529A
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN202110787200.6
申请日:2021-07-13
申请人: 电子科技大学
摘要: 本发明公开了一种基于多级场板的超结终端结构,从器件边缘向器件元胞方向依次为终端区和元胞区,其中终端区主要包括多个第二导电类型重掺杂掺杂柱区、第一导电类型漂移区、截至环、场氧层和多层金属场板;其中多个第二导电类型重掺杂掺杂柱区和第一导电类型漂移区组成超结结构,从而降低导通电阻;将多层金属有序层叠,使多层金属场板和场氧层互补排列,增加了金属场板末端下的场氧层厚度,降低了终端表面峰值电场,使器件终端具有更为平坦的电场分布,达到增加器件终端击穿电压的目的。
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公开(公告)号:CN113380182A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202110429901.2
申请日:2021-04-21
IPC分类号: G09G3/32
摘要: 本发明属于显示技术领域,具体为一种栅控类MOS发光LED像素驱动电路。本发明采用恒流控制发光单元的方式,提升了显示稳定。在本发明的电路中,由于负反馈回路的设置,对共源共栅电流源的电流起到了调节作用,使得发光显示的灰度调节可以由其栅控电压或片外电阻实现。通过在像素单元中插入一个反相器,并将该反相器与驱动晶体管连接,使其集成后的整个驱动电路中行线和每个像素都构成一个独立的扫描缓冲器,增强了像素驱动能力,提升了集成后器件显示的可靠性。本发明适用于各类发光显示设备,尤其是对于微显示设备。
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公开(公告)号:CN109685113A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201811448592.8
申请日:2018-11-30
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: G06K9/62
摘要: 一种基于改进型神经网络的特征分类预测方法,属于信号的特征分类技术领域。首先对原始数据进行特征浮点量化,然后参考结果对网络参数进行修正,最后通过FPGA进行网络实现。本发明针对目前神经网络结构复杂的问题,提出了一种改进型的网络拓扑结构,使得训练网络所需的样本数量大幅度减小;针对传统的神经网络局限性较大,并不能很好的处理随机性比较高的信息的问题,提出了对特征进行量度化处理,匹配到神经网络的浮点接入层的方案。本发明提出的特征分类预测方法有效解决了对随机性较大的信号的分类预测,分类预测准确度高,网络拓扑复杂度低。
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公开(公告)号:CN104967195A
公开(公告)日:2015-10-07
申请号:CN201510241565.3
申请日:2015-05-13
申请人: 遂宁市东乘车辆有限公司 , 电子科技大学 , 四川绿然科技集团有限责任公司
摘要: 本发明公开了一种智能变频控制的电动汽车充电系统,包括AC-DC整流滤波模块、功率因数校正模块、DC-AC逆变模块、隔离变压器、充电模块,AC-DC整流滤波模块的电压输入点连接外部市电,电压输出端通过功率因数校正模块连接DC-AC逆变模块的电压输入端,DC-AC逆变模块的电压输出端通过隔离变压器连接充电模块的电压输入端,充电模块的电压输出端连接电动汽车电池的正、负电极;还包括缓启动模块,缓启动模块的输入端连接DC-AC逆变模块的半桥输出端,电源输出端连接DC-AC逆变模块的半桥驱动电路的电源端,缓启动输出端连接DC-AC逆变模块的缓启动输入端。本发明能够为电动汽车电池进行安全、稳定的充电,防止电池过充电或充电不足,延长电动汽车电池的使用寿命,本发明适用于对跟中电动汽车进行充电。
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公开(公告)号:CN104538417A
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201510008847.9
申请日:2015-01-08
申请人: 电子科技大学
摘要: 本发明公开了一种基于二极管链的LED开路保护集成芯片及其制造方法,所述基于二极管链的LED开路保护集成芯片包括由结构完全相同的若干个二极管正向串联而形成的正向二极管链,还包括一个与正向二极管链反向并联的反向并联二极管,正向二极管链的两端作为基于二极管链的LED开路保护集成芯片的正负极。当LED组正常工作时,芯片关断。当有LED开路时,芯片中正向串联的二极管链导通以保证与之串联的LED正常工作;当LED两端出现过高反向电压时,芯片中反向二极管导通泄放电流,防止LED灯烧毁。本发明的基于二极管链的LED开路保护集成芯片结构简单、性能稳定、成本低,能广泛应用于LED开路保护和芯片的ESD保护。
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