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公开(公告)号：CN115663064A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211261871.X
申请日：2022-10-14
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/113
Abstract: 本发明公开了一种基于硅掺杂六方氮化硼的半导体器件制备方法，涉及微电子技术领域，包括如下步骤：(1)清洗衬底，将六方氮化硼转移至待用衬底上；(2)将硅或二氧化硅与衬底上的六方氮化硼进行物理接触；(3)将附有硅或二氧化硅的衬底放入高温退火炉中进行高温退火；得到硅掺杂六方氮化硼；(4)随后在所制备的六方氮化硼层部分表面以及二氧化硅层标面制备电极；针对氮化硼材料用于器件中存在的劣势，如电阻率过高，光吸收率低等，本发明对氮化硼材料进行硅掺杂，形成n型半导体氮化硼材料，该结构设计简单，能够充分发挥氮化硼材料的本征紫外吸收特点。
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公开(公告)号：CN112713189B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202011600632.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有氮化镓高阻层的HEMT器件的外延结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN帽层，本发明提供一种具有氮化嫁系高阻层的HEMT，提供了一种新的结构及长法，实现在不牺牲晶格质量的同时获得自动掺杂C的氮化镓高阻层。
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公开(公告)号：CN111564490B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202010465882.4
申请日：2020-05-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 一种P‑GaN增强型HEMT器件及其制备方法，属于半导体技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、ALN成核层、ALGaN缓冲层、GaN沟道层、ALN插入层、ALGaN势垒层、低温饱和P型GaN、P‑GaN、钝化层、源极（110）、漏极、栅极。在P‑GaN层和势垒层之间生长一层低温饱和P型GaN（LTPGaN层），该层的生长阻止了P‑GaN层的mg扩散至沟道层，从而降低器件的导通电阻，提升HEMT器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN112713190B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202011603997.1
申请日：2020-12-29
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法，属于微电子技术领域，从下至上依次层叠设置的衬底、石墨烯层、N型氮化镓层、本征氮化镓层、P型氮化镓层、本征氮化镓沟道层、AlN层、AlGaN势垒层以及P帽层，本发明采用石墨烯作为过渡载体上外延氮化镓可以解决氮化镓自支撑衬底昂贵的问题，还可以解决氮化镓自身诸多方面不足的问题，例如散热性能差等问题。传统垂直型GaN基HEMT器件的承受高压主要部分是P型电流阻挡层(CBL)和N型缓冲层组成的PN结，采用PIN结构替代传统的PN结可以有效的提高击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112701162A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011592523.1
申请日：2020-12-29
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石衬底的MOSFET器件的结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括金刚石衬底、设于金刚石衬底上下两端的氢终端层、分别设于金刚石衬底两侧的源电极和漏电极、在氢终端层的表面设置的栅介质层以及设置在栅介质层表面的栅电极，采用本方法形成的双栅金刚石器件，可以在保持阈值电压基本不变的情况下提高金刚石器件的最大饱和电流和跨导，将器件的开关比提高近3个数量级，降低器件的输出电阻，大幅度提高金刚石器件的截止频率，而且制造工艺简单，重复性好的特点。
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公开(公告)号：CN112133749A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010964501.7
申请日：2020-09-15
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种P型帽层增强型HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层、P‑GaN帽层，本发明提供了一种新的结构及长法，实现增强型HEMT器件的外延制备同时保证其性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN111584620A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010465628.4
申请日：2020-05-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种降低P型MOSFET源漏电极接触电阻的制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的硅衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、低温GaN位错阻隔层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，本发明利用低温GaN位错阻隔层能够有效降低氮化镓外延层中的位错密度，同时有效控制外延薄膜中的应力，得到Si衬底上无裂纹、低翘曲度的高质量AlGaN/GaN异质结外延材料。
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公开(公告)号：CN111063726A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911322780.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778
Abstract: 一种Si基氮化镓器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中，成核层是由ALN/GaN循环生长组成，缓冲层是由InN/SiN/GaN循环生长组成，包括InN晶核层、网状结构SiN薄层、GaN填平层，本发明通过循环生长ALN/GaN成核层主要作用是缓解衬底与外延层的晶格失配和热失配，InN/SiN/GaN缓冲层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN109585544A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811384297.0
申请日：2018-11-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/45 , H01L21/335
Abstract: 一种基于氮化镓增强型HEMT器件低电阻欧姆接触的结构及其制作方法，属于微电子技术领域，包括衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，其中漏电极和源电极分居栅电极的两端，栅电极与铝镓氮势垒层之间还设有介质层，本发明制造工艺简单，重复性好，适用于GaN HEMT器件应用。
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