公开(公告)号：CN104428877B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201380036621.9

申请日：2013-07-26

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 和田优一 ,  芦原洋司 ,  立野秀人 ,  佐久间春信

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/46 ,  H01L21/22 ,  H01L21/316

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337

摘要： 抑制在反应管内的处理气体的再液化。具有收容衬底的处理容器、封闭所述处理容器的盖体、向所述衬底供给反应物的供给部、加热所述衬底的第1加热部、加热在所述盖体附近流动的气体状态下的所述反应物的第2加热部以及加热所述盖体的发热体。

公开(公告)号：CN106148916A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610312956.4

申请日：2016-05-12

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 特洛伊·艾伦·戈姆 ,  蒂莫西·托马斯

IPC分类号： C23C16/458

CPC分类号： H01L21/68785 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68792 ,  C23C16/4581

摘要： 本发明涉及高温衬底基座模块及其组件。半导体衬底处理装置包括：半导体衬底能在其中被处理的真空室；工艺气体通过其从工艺气体源供给到真空室的处理区域的喷头模块。衬底基座模块包括：台板；杆，其具有限定杆的圆柱形内部区域的侧壁、下表面和支撑台板的上端；和适配器，其具有限定适配器的圆柱形内部区域的侧壁和支撑杆的上表面。杆的下表面包括与位于杆的侧壁中相应的气体通道以及位于适配器的上表面中的环形气体通道中的气体出口流体连通的气体入口。适配器的上表面包括位于气体出口的径向内侧的内槽和位于内槽的径向外侧的外槽。内槽和外槽在其中具有相应的O形环以便在处理期间形成真空密封。台板包括至少一个台板气体通道。

公开(公告)号：CN106098591A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610212878.0

申请日：2016-04-07

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 高桥哲

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/6719 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32844

摘要： 本发明提供一种能够抑制颗粒的产生的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。其具有：处理容器，对衬底进行处理；处理气体供给部，向处理容器供给处理气体；衬底载置台，设置于处理容器内；处理容器侧排气部，与处理容器连接；轴，以上端支承所述衬底载置台；轴支承部，对轴进行支承；开口孔，设置于贯穿有轴的处理容器的底壁；波纹管，具有配置于开口孔与轴支承部之间的可伸缩的波纹管壁，波纹管壁的内侧空间与处理容器的空间连通；波纹管侧气体供给排出部，将非活性气体向波纹管壁的内侧空间的供给与内侧空间的气氛的排气并行地进行。

公开(公告)号：CN105493230A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480046535.0

申请日：2014-07-18

申请人： 应用材料公司

发明人： 乔尔·M·休斯顿 ,  阿伦·库瓦尔齐 ,  迈克尔·P·卡拉津 ,  约瑟夫·尤多夫斯凯

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01J37/32477 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32724

摘要： 于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备包含室主体，该室主体封闭处理空间，该室主体包括室地板、与该室地板耦合的室壁、及与该室壁可移除地耦合的室盖，其中该室地板、该室壁及该室盖的至少一者包括用于热控制介质的流动的通路；加热板，该加热板与该室地板相邻且间隔开来设置；套管，该套管与该室壁相邻且间隔开来设置，该套管由该加热板而受支持；及第一密封性元件，该第一密封性元件在该室壁及该室盖间的第一界面处设置。

公开(公告)号：CN105051860A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480015790.9

申请日：2014-03-14

申请人： 应用材料公司

发明人： J·约德伏斯基 ,  K·格里芬

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/45557 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68785

摘要： 揭示包括盖组件的处理腔室，该盖组件在注入器组件之上形成空间，以减少该注入器组件由于该注入器组件的处理侧与该注入器组件的大气侧之间的压力差所导致的偏移。

公开(公告)号：CN104903990A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201480003837.X

申请日：2014-01-10

申请人： 韩国大家有限公司

发明人： 李载学

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： F16L23/10 ,  C23C16/4409 ,  F16L27/111 ,  F16L2201/30 ,  F16L2201/40 ,  G01M3/042 ,  H01L21/67017

摘要： 本发明涉及一种真空配管用连接件，更具体地说，本发明涉及一种能够探知泄漏与否的真空配管用连接件，其在半导体制程设备能够实时掌握执行抽真空(vacuum？pumping)作业的真空配管的连接部位是否漏气(Gas？leak)。本发明的能够探知泄漏与否的真空配管用连接件包括：夹具，用于多个真空配管相互之间的管连接或上述真空配管与半导体制造装置配管相互之间的管连接；及反应物，处于配备在上述夹具的状态，能够凭借配管连接部位所泄漏的气体而发生化学反应。

公开(公告)号：CN104428877A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201380036621.9

申请日：2013-07-26

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 和田优一 ,  芦原洋司 ,  立野秀人 ,  佐久间春信

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/46 ,  H01L21/22 ,  H01L21/316

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337

摘要： 抑制在反应管内的处理气体的再液化。具有收容衬底的处理容器、封闭所述处理容器的盖体、向所述衬底供给反应物的供给部、加热所述衬底的第1加热部、加热在所述盖体附近流动的气体状态下的所述反应物的第2加热部以及加热所述盖体的发热体。

公开(公告)号：CN102414794B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080018346.4

申请日：2010-04-20

申请人： 应用材料公司

发明人： B·特兰 ,  崔安青 ,  B·L·黄 ,  S·T·恩古耶 ,  A·N·恩古耶 ,  S·M·佐伊特 ,  X·陶

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/6719 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

摘要： 本发明的实施例提供用于诸如藉由化学气相沉积(CVD)在基材上沉积层的改良的设备。在此所揭露的本发明的设备可有利地助于实现以下效果的一种或多种：在给定的处理腔室内沉积具有减少的膜厚度不均匀性的膜、改良的粒子表现(例如，在处理腔室中所形成的膜上的粒子减少)、在多个处理腔室中的腔室对腔室表现匹配以及改良的处理腔室耐用性。

公开(公告)号：CN104233231A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410265319.7

申请日：2014-06-13

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 本间学

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40

CPC分类号： C23C16/4409 ,  H01J37/32513

摘要： 本发明提供一种气体处理装置，其用于向被处理体供给气体来对被处理体进行处理，其特征在于，其包括：气密的处理容器；通孔；喷射器；套筒，其在通孔内嵌合于喷射器的外周面；环状的密封构件，其在通孔内位于比套筒靠处理容器的外侧的位置，并嵌合于喷射器的外周面；卡定面，其在比密封构件靠处理容器的外侧沿着通孔的壁面在周向上形成为环状，并与密封构件相对；按压部，其设于处理容器的内部，用于将套筒向处理容器的外侧按压，按压部为如下的结构：利用套筒的靠密封构件侧的端面将密封构件按压于卡定面并将密封构件压扁，从而对喷射器的内部进行气密地密封，而使喷射器的内部不与外部连通。

公开(公告)号：CN104081512A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201280057466.4

申请日：2012-11-15

申请人： ASMIP控股有限公司

发明人： M·哈平 ,  E·谢罗 ,  C·怀特 ,  F·阿罗扩哉 ,  J·温克勒 ,  T·邓恩

IPC分类号： H01L21/67 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/4409 ,  B01J8/0035 ,  B01J19/0073 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67126

摘要： 一种反应腔室包括用于处理衬底的上部区域、用于加载衬底的下部区域、可在反应腔室内移动的承受器、定位在承受器周界上的第一密封构件、定位在上部区域和下部区域之间的第二密封构件，其中，第一和第二密封构件有选择地彼此啮合，以限制上部区域和下部区域之间的连通。