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公开(公告)号：CN108132582B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201611095319.2
申请日：2016-12-01
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
摘要： 本发明涉及一种光刻掩模板，其包括：一基板；一碳纳米管层，所述碳纳米管层设置于所述第二基板的表面；一图案化铬层，覆盖于所述碳纳米管层远离第二基板的表面，且所述图案化铬层的图案与所述碳纳米管层中碳纳米管的排列图案相同；一遮盖层，所述遮盖层覆盖于所述图案化铬层远离第二基板的表面。本发明还涉及采用光刻掩模板制备微纳米结构的方法以及制备光刻掩模板的方法。
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公开(公告)号：CN110658676A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910572799.4
申请日：2019-06-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F1/58 , H01L21/033
摘要： 一种极紫外光(EUV)微影光罩的制造方法包含，形成影像图案于极紫外光光罩基底的吸收层中。极紫外光光罩基底包含：多层堆叠包含数个交替钼(Mo)与硅(Si)层设于光罩基板的第一表面的上方，覆盖层设于该多层堆叠的上方，以及吸收层设于覆盖层的上方。边界区围绕影像图案且具有沟渠，其中蚀刻吸收层、覆盖层、与多层堆叠的至少一部分。数个凹侧壁形成于边界区中、或相互扩散部形成在沟渠的多层堆叠中。
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公开(公告)号：CN109643056A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780050888.1
申请日：2017-08-02
申请人： HOYA株式会社
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/26 , G03F1/58 , H01L21/3065
摘要： 本发明将具有由氮化硅材料构成的单层的相移膜中难以实现的20％以上的透过率的相移膜通过具有两组以上的由从透光性基板侧起依次配置的低透过层和高透过层构成为一组层叠结构的结构实现，且提供具备这种相移膜的掩模坯料。在透光性基板上具备相移膜的掩模坯料中，相移膜具有使ArF准分子激光的曝光光以20％以上的透过率透过的功能，相移膜具有两组以上的由低透过层和高透过层构成为一组的层叠结构，且低透过层由氮化硅系材料形成，高透过层由氧化硅系材料形成，设置于最上的高透过层的厚度比设置于最上以外的高透过层的厚度厚，低透过层的厚度比设置于最上以外的高透过层的厚度厚。
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公开(公告)号：CN108803234A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710566316.0
申请日：2017-07-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F1/58
摘要： 一种光罩的制造，方法包含沉积第一吸收层在基材上、利用光阻图案化第一吸收层，以及沿着第一吸收层的表面，沉积共形第二吸收层。
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公开(公告)号：CN103885284B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201310132002.1
申请日：2013-04-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F1/58
摘要： 本发明公开了一种堆叠掩模。该掩模包括：低热膨胀材料(LTEM)衬底、至少两个吸收层以及分离这两个吸收层的间隔层。第一吸收层沉积在LTEM衬底上方。该掩模进一步包括位于吸收层的上方的顶涂层。间隔层的厚度约等于晶圆衬底上的构形部件的高度乘以物镜的缩倍的平方。吸收层包括阶段图案。
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公开(公告)号：CN106575076A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043465.8
申请日：2015-07-27
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： P.休伯
CPC分类号： G03F1/24 , G01N21/33 , G03F1/44 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58 , G03F1/60 , G03F7/70058 , G03F7/70591 , G03F7/70616 , G03F7/70941
摘要： 本发明涉及用于EUV光刻的掩模(M)，包括：基底(7)，由设计用于反射EUV辐射(27)的多层涂层(8)的表面(8a)形成的第一表面区域(A1)，所述表面(8a)背朝基底(7)，以及由设计用于反射DUV辐射(28)并且抑制EUV辐射(27)的反射的另外的涂层(18)的表面(18a)形成的第二表面区域(A2)，表面(18a)背朝基底(7)。另外的涂层是多层涂层(18)。本发明还涉及包括这样的掩模(M)的EUV光刻设备以及用于确定当将掩模(M)成像到光敏层上时由DUV辐射(28)引起的对比度比例的方法。
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公开(公告)号：CN104076599B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310100101.1
申请日：2013-03-26
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
CPC分类号： G03F1/58
摘要： 本发明公开了一种掩膜板，包括基板，所述基板上包括不曝光区域和部分曝光区域；其中，所述基板的不曝光区域上至少形成有不透光材料层；所述基板的部分曝光区域上形成有部分透光材料层；所述部分曝光区域中的部分透光材料层两端部分的厚度大于中间部分的厚度，且所述部分曝光区域中的部分透光材料层与不曝光区域中的不透光材料层相连。本发明还公开了一种掩膜板的制造方法，能随意调整过孔的大小，尤其是能制造出较小尺寸的过孔。
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公开(公告)号：CN104076599A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310100101.1
申请日：2013-03-26
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
CPC分类号： G03F1/58
摘要： 本发明公开了一种掩膜板，包括基板，所述基板上包括不曝光区域和部分曝光区域；其中，所述基板的不曝光区域上至少形成有不透光材料层；所述基板的部分曝光区域上形成有部分透光材料层；所述部分曝光区域中的部分透光材料层两端部分的厚度大于中间部分的厚度，且所述部分曝光区域中的部分透光材料层与不曝光区域中的不透光材料层相连。本发明还公开了一种掩膜板的制造方法，能随意调整过孔的大小，尤其是能制造出较小尺寸的过孔。
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公开(公告)号：CN208351242U
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201821181115.5
申请日：2018-07-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本实用新型公开一种掩膜板、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，为解决采用现有技术制作的显示器件中膜层的坡度角较大的问题。所述掩膜板包括透光基底和设置在所述透光基底上的至少三种不同透过率的部分透光图形，所述至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列。本实用新型提供的掩膜板用于制作膜层。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207924370U
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201820462852.6
申请日：2018-04-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
摘要： 本申请公开一种掩膜版，包括：相对设置的第一基板、第二基板、以及位于所述第一基板与所述第二基板之间的极性粒子，所述极性粒子具有吸光或透光作用；所述第一基板包括朝向所述第二基板设置的呈阵列排布的多个驱动电极，所述驱动电极用于接收电信号，并控制所述极性粒子移动到指定驱动电极上，形成预设图案。本实用新型实施例的掩膜版，通过第一基板上的呈阵列分布的驱动电极来控制极性粒子的移动，可以根据实际掩膜需要，将极性粒子移动到指定的驱动电极上，遮光图案灵活可变，可以形成具有不同掩膜图案的掩膜版，通过一张掩膜版实现多张掩膜版的作用，制作工艺简单，可以大幅度降低光刻工艺掩膜版的成本，提升掩膜版的利用率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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