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公开(公告)号：CN109213086B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201710512379.8
申请日：2017-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B19/418
Abstract: 一种制程系统与制程方法。制程系统包含机台、储存装置、第一数据库与处理器。机台用以在第一晶圆上实施半导体制程。储存装置用以储存多个计算机程序码。第一数据库用以从机台收集程序数据。处理器用以执行储存装置中的计算机程序码以进行下列步骤。校正程序数据以产生校正程序数据。筛选校正程序数据以产生过滤程序数据。根据过滤程序数据产生预测参数以供配方管理系统调整机台对第二晶圆实施半导体制程的至少一配方参数。
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公开(公告)号：CN109585354A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811334229.3
申请日：2012-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 一种用于夹紧弯曲工件的静电卡盘，具有包括介电层的夹紧面。介电层具有由不同介电材料形成的域和一个或多个区域。将一个或多个电极连接至电源，并且控制器控制通过电源提供给一个或多个电极的夹紧电压。感生与静电卡盘的介电层的每一个域和一个或多个区域相关的静电吸引力，其中，静电吸引力基于每一个域和一个或多个区域的介电材料而变化。一个或多个区域中的静电吸引力大于域中的静电吸引力，其中，将工件的弯曲区域吸附至夹紧面并且横跨弯曲工件的表面将弯曲工件夹到夹紧面。本发明还提供了具有多区域控制的静电卡盘。
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公开(公告)号：CN108807271A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810234683.5
申请日：2018-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包含形成第一绝缘膜在第一鳍结构上及形成第二绝缘膜在第二鳍结构上，涂布保护层在第二绝缘膜上，去除第一绝缘膜以暴露一部分的第一鳍结构，以及使用非水溶剂基化学品形成第一氧化物膜在第一鳍结构的暴露部分上。
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公开(公告)号：CN108735659A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201711144415.6
申请日：2017-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体装置，包括非绝缘体结构、至少一个碳纳米管(CNT)、介电层、及基于石墨烯的导电层。碳纳米管是在非绝缘体结构上方。介电层围绕纳米碳管。基于石墨烯的导电层是在至少一个纳米碳管上方。
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公开(公告)号：CN103215549B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201210206723.8
申请日：2012-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/324 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/5806 , H01L21/67115 , H01L21/76838
Abstract: 本发明涉及被配置成加热半导体衬底或晶圆的物理汽相沉积系统。在一些实施例中，所公开的物理汽相沉积系统包括至少一个热源，热源具有加热衬底的一个或多个灯模块。屏蔽装置可以将灯模块和衬底分离。在一些实施例中，屏蔽装置包括一体式装置或分体式装置。所公开的物理汽相沉积系统可以加热半导体衬底，进行在半导体衬底上方沉积的金属膜回流而无需单独的室，因此降低处理时间，需要较少的热预算并且降低衬底损伤。本发明还提供了用于金属气隙填充的屏蔽设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103215565B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210210266.X
申请日：2012-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/45591
Abstract: 本公开涉及CVD共形真空/抽吸引导设计和用于引导室内的气流的引导元件。引导元件包括结构、一个或多个入口、出口和传输区。一个或多个入口形成在结构的第一侧上。入口具有根据去除速率选择的入口尺寸，以减轻室内的气流变化。出口位于与结构的第一侧相对的结构的第二侧上。出口具有根据去除速率选择的出口尺寸。传输区在结构内，并将入口耦合或连接至出口。
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公开(公告)号：CN102288793B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201010551930.8
申请日：2010-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01R1/07307 , G01R1/07314 , G01R3/00
Abstract: 一种探针卡及其制作方法以及测试半导体元件的方法，所述探针卡包括：一接触垫界面，包括多个正面接点与多个背面接点，正面接点与背面接点彼此电性连接，正面接点排列成同时电性连接一晶片上的多个芯片的各自的多个凸块，且背面接点排列成电性连接一测试结构的各自的多个接点。本发明中，探针卡接触垫界面可让探针卡接触同一晶片上的多个芯片，并可让探针卡接触同一晶片上的所有芯片。
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公开(公告)号：CN103456661A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210380758.3
申请日：2012-10-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6776 , H01L21/3105 , H01L21/67115
Abstract: 公开了一种用于处理诸如晶圆的半导体衬底的紫外线(UV)固化系统的实施例。固化系统通常包括：处理室、用于在室中保持晶圆的晶圆支架、设置在室之上的UV辐射源、以及散置在辐射源和晶圆支架之间的UV透明窗。在一个实施例中，晶圆支架由在UV固化期间可操作以将晶圆传输通过室的带式输送器提供。在另一个实施例中，UV辐射源是横跨室的顶部移动的可移动灯单元，用于照射晶圆。在另一个实施例中，UV透明窗包括UV辐射调节器，其减小位于调节器下面的晶圆的多个部分上的UV辐射的强度。通过使晶圆上的UV强度水平正常化，多个实施例提高了晶圆固化均匀度。本发明提供用于半导体的UV固化系统。
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公开(公告)号：CN103247563A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210205957.0
申请日：2012-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/6831 , H02N13/00
Abstract: 一种用于夹紧弯曲工件的静电卡盘，具有包括介电层的夹紧面。介电层具有由不同介电材料形成的域和一个或多个区域。将一个或多个电极连接至电源，并且控制器控制通过电源提供给一个或多个电极的夹紧电压。感生与静电卡盘的介电层的每一个域和一个或多个区域相关的静电吸引力，其中，静电吸引力基于每一个域和一个或多个区域的介电材料而变化。一个或多个区域中的静电吸引力大于域中的静电吸引力，其中，将工件的弯曲区域吸附至夹紧面并且横跨弯曲工件的表面将弯曲工件夹到夹紧面。本发明还提供了具有多区域控制的静电卡盘。
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公开(公告)号：CN113745160A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111038290.5
申请日：2018-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 周友华
IPC: H01L21/8234 , H01L21/324 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861
Abstract: 一种用于形成鳍式底部二极管的方法和结构包括提供具有多个从其上延伸的鳍的衬底。多个鳍中的每个包括衬底部分和衬底部分上方的外延层部分。第一掺杂层形成在多个鳍中的每个的衬底部分的第一区域的侧壁上。在形成第一掺杂层之后，执行第一退火工艺以在衬底部分的第一区域内形成第一二极管区域。第二掺杂层形成在多个鳍中的每个的衬底部分的第二区域的侧壁上。在形成第二掺杂层之后，执行第二退火工艺以在多个鳍中的每个的衬底部分的第二区域内形成第二二极管区域。本发明的实施例还涉及鳍式二极管结构及其方法。
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