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公开(公告)号：CN115302344A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211194548.5
申请日：2022-09-29
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B7/22 , B24B49/00 , B24B41/06 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/30 , H01L21/463
摘要： 本发明涉及一种小尺寸软脆晶体材料晶片的研磨方法，将载盘放置到加热台上预热；将至少3片支撑晶片间隔的粘贴到载盘的边缘；将载盘放置到加热台上预热，将数片待加工晶片的A面间隔的粘贴到至少3片所述支撑晶片之间的载盘上；采用研磨液在研磨机上对待加工晶片的B面进行研磨，将待加工晶片B面的厚度研磨至与所述支撑晶片厚度一致时，将待加工晶片取下，去蜡清洗；采用上述方法，将待加工晶片的A面研磨至与边缘支撑晶片厚度一致时，将待加工晶片取下，去蜡清洗，完成待加工晶片的研磨。采用本发明对晶片进行研磨时，同一盘内晶片的厚度偏差≤3μm，晶片的目标厚度控制精度可以达到±5μm，有效的保障了晶片厚度批次的一致性和稳定性。
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公开(公告)号：CN112670183A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011466815.0
申请日：2020-12-14
申请人： 珠海光库科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/477 , H01L21/463
摘要： 本发明提供一种键合剥离后的铌酸锂晶圆的修复方法和铌酸锂晶圆。修复方法包括对键合剥离后的原料铌酸锂晶圆加热退火；对所述原料铌酸锂晶圆的剥离面进行抛光处理，抛光深度等于或大于离子注入深度蔓延范围的一半。该修复方法能够对键合剥离后的铌酸锂晶圆进行修复，从而使得废弃的铌酸锂晶圆得到再次利用，避免浪费。
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公开(公告)号：CN109530845A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811282218.5
申请日：2018-10-29
申请人： 陕西航空电气有限责任公司
IPC分类号： B23K3/08 , H01L21/463 , H01L21/304
摘要： 本申请提供了一种去除整流管芯片表面焊料氧化层的工具。所述去除整流管芯片表面焊料氧化层的工具包括：主轴；固定盘，其套设在所述主轴上，所述固定盘上设置有多个第一通孔；工作盘，其以可拆卸方式设置在固定盘的一面上，工作盘上设置有多个第二通孔，第二通孔与第一通孔对应；刀具旋转组件，其设置在主轴上，刀具旋转组件上设置有刀具；刀具旋转组件能够相对所述主轴旋转；活动盘组件，其套设在主轴上并设置在刀具旋转组件与工作盘之间，活动盘组件与固定盘之间具有可调节尺寸的缝隙；导柱，其设置在活动盘组件上，导柱适于穿过第一通孔伸入第二通孔内。本申请的去除整流管芯片表面焊料氧化层的工具操作简单、方便使用、极大的提高工作效率。
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公开(公告)号：CN104081501B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201380006888.3
申请日：2013-01-25
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/463 , H01L21/461
摘要： 提供了化学机械抛光组合物。所述组合物包含(A)无机粒子、有机粒子或其混合物或复合物；(B)蛋白质；和(C)水性介质。
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公开(公告)号：CN102640275B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201080053661.0
申请日：2010-11-25
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： H01L21/463 , C09G1/02
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要： 一种通过CMP从衬底去除本体材料层并使暴露表面平面化的方法，包括：(1)提供CMP试剂，其在未添加辅助材料的情况下在化学机械抛光结束时呈现：-与其开始时相同的SER和比其开始时更低的MRR，-比初始SER更低的SER以及与初始MRR相同或基本相同的MRR，或-比其开始时更低的SER和更低的MRR；(2)使所述本体材料层的表面与所述CMP试剂接触；(3)用所述CMP试剂对所述本体材料层进行CMP；(4)继续CMP直至从暴露表面去除所有材料残留物；以及一种CMP试剂及其在电和光学器件制造中的用途。
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公开(公告)号：CN101356628A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200680036402.0
申请日：2006-08-07
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/463 , H01L21/461
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , H01L21/3212
摘要： 化学机械抛光的方法，包括单个步骤I的CMP浆料制剂，用于对其上优选沉积铜的微电子器件结构进行平坦化。该方法包括使用具有氧化剂、钝化剂、磨料和溶剂的第一CMP浆料制剂进行的铜层体相去除，以及使用包括第一CMP浆料制剂和至少一种额外添加剂的制剂进行的微电子器件结构的软抛光和过抛光。本文所述的CMP方法提供了高的铜去除速率、相对低的阻挡材料去除速率、合适的材料选择性范围，从而在开始暴露阻挡材料时最大程度地减少铜凹陷，得到良好的平坦化效率。
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公开(公告)号：CN1670265A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200410044167.4
申请日：2004-12-24
申请人： 哈尔滨工业大学
发明人： 翟文杰
IPC分类号： C25F3/16 , B24B9/06 , H01L21/304 , H01L213/6 , H01L21/463 , H01L21/465
摘要： 硬脆材料的摩擦电化学研抛方法，它是对传统抛光技术的改进。它按照下述步骤进行：将需要进行抛光处理的硬脆材料固定在抛光机的夹具下端，硬脆材料的被抛光面与研磨盘表面形成摩擦副，摩擦副在不含磨料的液体介质下相互对磨，摩擦的同时对摩擦副施加外电场。本发明较现有含磨料技术可避免磨粒去除法不可避免会带来的机械缺陷如裂纹、划痕等缺陷，从而使材料强度和疲劳寿命提高；材料的去除只发生在实际表面凸峰接触处的摩擦点，研磨盘采用金属材料制成，可避免CMP软磨盘引起的表面塌陷，更有利于全局平坦化；采用适当加电方式可使金属研磨盘表面形成硬质钝化层，从而提高陶瓷等材料的研抛效率；可通过对现有抛光机进行少许改进即可实现。
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公开(公告)号：CN1384534A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02119818.7
申请日：2002-03-28
申请人： 株式会社迪斯科
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/463 , B24B7/22 , B24B1/00
CPC分类号： B24D11/00 , B24B7/228 , B24D13/147
摘要： 一种打磨工具,其包括支撑件和固定到该支撑件上的打磨装置。该打磨装置包括毡制品和散布到该毡制品中的磨粒,该毡制品的密度为0.20克/厘米3或以上,其硬度为30或以上。一种在转动工件和打磨工具时将该打磨工具压靠到被打磨工件表面上的打磨方法和设备。
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公开(公告)号：CN1246725A
公开(公告)日：2000-03-08
申请号：CN98117452.3
申请日：1998-08-31
申请人： 长兴化学工业股份有限公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/463
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463
摘要： 本发明提供一种用于半导体制程中的化学机械研磨组合物,其包含70—95重量%的水性介质;1—25重量%的研磨颗粒;及0.1—20重量%的研磨促进剂,该研磨促进剂包含含单羧基的化合物或含酰胺基的化合物与视需要使用的硝酸盐。本发明化学机械研磨组合物可进一步包含例如聚羧酸或聚丙烯酸共聚物,或其盐类的阴离子表面活性剂以降低研磨组合物的粘度。
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公开(公告)号：CN210092031U
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201920953193.0
申请日：2019-06-24
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/463 , H01L21/67
摘要： 本实用新型涉及冷却装置领域，具体涉及一种用于陶瓷盘贴片的冷却装置。包括水冷底盘，水冷底盘呈环形迷宫状，上部与水冷盖板相连，下部与防护罩相连；防护罩底部连接冷却盘安装板，冷却盘安装板下端面与底板相连，底板外缘通过轴承连接竖向的导向轴；升降气缸伸缩杆端部与底板相连；直线导轨有两根，平行安装在底座上；底座上安装电动机，电动机和丝杆相连，支撑架安装在直线导轨上，支撑架侧部连接水平的手臂杆，手臂杆前端安装挂板，冷却组件设于挂板旁侧；丝杆与最末端的支撑架通过丝杠螺母相连。本实用新型分级冷却，连续降温，缓和了冷却不均匀的现象；节约成本，并且更节约时间；可同时冷却多个陶瓷盘，加快了冷却速度，提高了生产效率。
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