公开(公告)号：CN113097314B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202110344754.9

申请日：2021-03-31

申请人： 福州大学

发明人： 邓辉 ,  程树英 ,  陈思伟 ,  孙全震

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种柔性硫化锑薄膜太阳能电池及其制备方法，所述的太阳能电池为底衬型结构，从衬底到表面分别为柔性钼箔衬底、硫化锑吸收层、CdS缓冲层、ZnO/ITO窗口层、金属电极。其中硫化锑吸收层薄膜通过将锑和硫单质溶解在前驱体溶液中，然后进行涂膜和退火获得。本发明开发出新的溶液法制备硫化锑薄膜，能够兼容柔性钼箔衬底，通过控制锑和硫的比例，降低薄膜中缺陷。本发明设计的新型底衬结构的柔性太阳能电池，提高太阳光的吸收利用，器件具有匹配的能带结构和高的柔性性能，可制作成柔性便携式产品；其制造成本低廉、绿色环保，满足了商业化的需求，具有较强的推广与应用价值。

公开(公告)号：CN111146300B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202010051409.1

申请日：2020-01-17

申请人： 中国海洋大学

发明人： 贺本林 ,  朱景伟 ,  巩泽坤

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了基于胺化合物添加CsPbBr3的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用，本发明具体是在FTO导电玻璃上制备电子传输层，然后在其表面旋涂添加胺化合物的溴化铅溶液，再多次旋涂溴化铯溶液，制得高质量的钙钛矿薄膜，最后刮涂碳浆料作为背电极，组装成无机钙钛矿太阳能电池。本发明中通过在溴化铅溶液中添加胺化合物，延缓了CsPbBr3晶粒的结晶和生长速度，获得了大晶粒尺寸且致密均匀的钙钛矿薄膜，另外胺化合物可以有效钝化钙钛矿薄膜表面及内部的缺陷，并提高电池界面能级匹配，从而抑制电荷复合，提升电池的光伏性能。本发明具有制备方法简单易行、成本低廉、可重复性高、高温高湿环境下稳定性突出等优点。

公开(公告)号：CN110634985B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201810648133.8

申请日：2018-06-22

申请人： 鸿翌科技有限公司

发明人： 任明冲

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/02

摘要： 本发明涉及一种CIGS透光太阳能电池组件制备工艺，包括以下工艺步骤：步骤S1：制造CIGS太阳能电池芯片；步骤S2：将步骤S1中制造的太阳能电池芯片切割成多个小的芯片模块；步骤S3：对切割出的多个小的所述芯片模块进行电流‑电压测试，筛选出合格的芯片模块；步骤S4：将筛选出的合格芯片模块按照预定的透光率进行拼接及层压封装处理，形成CIGS透光太阳能电池组件。本发明通过芯片模块的尺寸、位置和空白面积比例调节透光率，具有更宽的透光率调整范围；并且不需要增加二外的激光设备和额外的激光刻蚀工艺，所以降低了透光组件生产中的设备成本和厂务成本等同时，进一步降低了透光组件的综合成本。

公开(公告)号：CN110546117B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201880026906.7

申请日：2018-04-19

申请人： 日本板硝子株式会社

发明人： 小用瑞穗 ,  中泽达洋 ,  河津光宏

IPC分类号： C03C17/25 ,  G02B1/111 ,  H01L31/0392

摘要： 本发明的带低反射膜的透明基板包含透明基板、和在透明基板的至少一个主表面形成的低反射膜。低反射膜为利用以二氧化硅为主成分的粘结剂将实心球状且平均粒径为80～150nm的二氧化硅微粒固定而成的多孔膜。粘结剂还包含铝化合物。低反射膜中的成分的含有率以质量％表示为：二氧化硅微粒55％～70％、粘结剂中的二氧化硅25％～40％、将铝化合物换算为Al2O30.1％～1.5％、有机成分0.25％～3％。低反射膜的膜厚为80～800nm。带低反射膜的透明基板在波长区域380～850nm的平均透射率相对于未形成低反射膜的状态的透明基板在波长区域380～850nm的平均透射率的增量被定义为透射率增益，该透射率增益为2.5％以上。上述有机成分包含选自β酮酸酯和β二酮中的至少任一者。

公开(公告)号：CN114373820A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202210029909.4

申请日：2022-01-12

申请人： 中国科学院电工研究所

发明人： 李辉 ,  李丛梦 ,  古宏伟

IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于光伏技术领域，特别涉及一种薄膜太阳电池及其制备方法。本发明提供的薄膜太阳电池，包括依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、p型光学吸收层、n型窗口层、铁电膜层、第二载流子传输层和金属栅电极层；所述铁电膜层的材质包括BaTiO3、KNbO3、NaNbO3或BiFeO3。本发明同时利用传统光伏器件的p‑n结内建电场和铁电材料的退极化场，通过p‑n结内建电场、铁电退极化场多物理场耦合增强效应提高光生载流子分离与传输能力，降低复合，增加电池的开路电压，提高薄膜太阳电池的光电转化效率。

公开(公告)号：CN110257770B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201910540528.0

申请日：2019-06-21

申请人： 铜仁梵晖新能源有限公司

发明人： 邹臻峰 ,  成志华 ,  陈少逸 ,  劳宏彬 ,  吴建邦 ,  黄宏利 ,  陈方才

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392

摘要： 本发明公开了一种PVD法制备V型掺杂铜铟镓硒吸收层的方法，包括如下步骤：S1：以不锈钢柔性材料为衬底，采用PVD溅射法在衬底的表面沉积第一层铜铟镓薄膜，同时进行低温硒化处理，形成第一层铜铟镓硒薄膜层；S2：采用PVD溅射法在第一层铜铟镓硒薄膜上沉积第二层铜铟镓薄膜，同时在高温下进行硒化处理，形成第二层铜铟镓硒薄膜吸收层；S3：采用PVD溅射法在第二层铜铟镓硒薄膜上沉积第三层铜铟镓薄膜，同时进行低温热退火处理和硒化处理，形成第三层铜铟镓硒薄膜界面层。通过控制镓的掺杂含量，实现了V型双梯度能带分布。工艺流程简单，可控性和稳定性程度高，实现工艺优化后的CIGS电池转换效率提升1.0％以上。

公开(公告)号：CN113948596A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202111102058.3

申请日：2021-09-18

申请人： 中山德华芯片技术有限公司

发明人： 李明阳 ,  牛文龙 ,  刘建庆 ,  杨文奕

IPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种红外探测器芯片及其制备方法与应用，一种红外探测器芯片，其特征在于：包括透明衬底；所述透明衬底表面设有透明键合层；所述透明键合层表面设有外延层；其中，所述透明键合层的厚度≥1000nm。本发明在工艺过程中采用透明衬底做支撑进行工艺，大大降低了工艺过程中碎片率；同时透明衬底还可用作封装时的窗口保护，免去了后端的正面封装过程，简化了正面封装工艺。

公开(公告)号：CN112909102B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202110065123.3

申请日：2021-01-18

申请人： 中山德华芯片技术有限公司

发明人： 杨文奕 ,  何键华 ,  黄嘉敬 ,  杜伟 ,  胡丹

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法。一种太阳能电池，其特征在于，包括柔性衬底(1)；置于柔性衬底(1)表面的粘结层(2)；设置于粘结层(2)表面的背金属层(3)；设置于背金属层(3)表面的电池材料层(4)；等间隔设置于电池材料层(4)表面的正面电极层(5)；设置于背金属层(3)表面的截止层(6)，且截止层(6)与电池材料层(4)相邻；嵌设于截止层(6)中的背电极(7)；设置于正面电极层(5)之外的电池材料层(4)表面，以及背电极(7)之外的截止层(6)表面的减反膜层(8)。本发明提供的太阳能电池制备方法，成本低、良率高、功重比高。

公开(公告)号：CN113764534A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110846519.1

申请日：2021-07-26

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 朱卫东 ,  巴延双 ,  张泽阳 ,  张春福 ,  陈大正 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种纯相高性能CsPbBr3太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：选取带有FTO电极阴极的玻璃衬底；在FTO电极阴极上制备TiO2电子传输层，获得FTO/TiO2基底；在TiO2电子传输层上形成CsPb2Br5二维钙钛矿薄膜，获得FTO/TiO2/CsPb2Br5基底；利用CsBr水溶液通过原位相变将CsPb2Br5二维钙钛矿薄膜转变为CsPbBr3钙钛矿光吸收层，获得FTO/TiO2/CsPbBr3基底；在CsPbBr3钙钛矿光吸收层上沉积碳电极阳极，获得纯相高性能CsPbBr3太阳能电池。该制备方法基于原位相变，利用PbBr2和CsBr生成二维钙钛矿CsPb2Br5，而后通过原位相变方法将二维钙钛矿CsPb2Br5转变为纯相的三维钙钛矿CsPbBr3，依照该方法可以得到纯相的CsPbBr3薄膜，且制备工艺简单、成本较低。

公开(公告)号：CN109273550B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201810617737.6

申请日：2018-06-15

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 增田泰造 ,  峯元高志 ,  新泽雄高

IPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供一种CIS太阳能电池的制造方法，其包括：准备层状构件的工序，所述层状构件是在具有第一温度以上的耐热性的基板上形成第一电极层，在第一温度以上的条件下将CIS层成膜于第一电极层上，并在CIS层上形成第二电极层而成的；使层状构件的温度成为比第一温度低的第二温度的工序；在第二电极层上形成固体状态下的线膨胀系数比基板大的层形成物质的层的工序；和将层状构件冷却的工序，随着由层状构件的冷却实现的层形成物质的层的收缩，使CIS层从第一电极层剥离，得到薄膜状CIS太阳能电池。