一种镍钒溅射靶材的制备方法

    公开(公告)号:CN111004985B

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN201911164952.6

    申请日:2019-11-25

    IPC分类号: C22F1/10 C22C19/03 C23C14/34

    摘要: 本发明属于金属材料加工和微电子材料制造技术领域的一种镍钒溅射靶材的制备方法。所述镍钒溅射靶材的制备方法,包括对镍钒铸锭依次进行1)热锻造、2)退火、3)冷变形和4)二次退火。所述镍钒溅射靶材中V的含量为7±0.7%,镍钒铸锭的纯度为99.9%‑99.995%。所得镍钒溅射靶材的晶粒度≤150μm,晶粒细小,分布均匀。本发明所述的镍钒溅射靶材,纯度高,在99.9%以上;组织结构致密无气孔,晶粒细小均匀,晶粒度≤150μm,无磁性,溅镀效率高,可广泛应用于电子元器件、通讯、太阳能光伏光电等行业。

    一种溅射环件安装孔位与开口区域的加工方法

    公开(公告)号:CN111015301B

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN201911407364.0

    申请日:2019-12-31

    IPC分类号: B23Q3/06 B23P13/02

    摘要: 本发明公开了一种溅射环件安装孔位与开口区域的加工方法,所述加工方法包括以下步骤:1:根据待加工溅射环尺寸在主体工装上加工出定位孔;2:在主体工装上加工出开口区域、倒角区域以及加工让刀区域;3:将待加工溅射环设置在主体工装和工装内撑之间,盖上紧固盖板,并通过主体工装、工装内撑和紧固盖板上预留的安装孔,将待加工溅射环紧固在加工工装上,在主体工装圆周方向上加工出孔位;4:在开口区域的两端进行固定,通过定位销对待加工溅射环进行定位;5:对开口区域的待加工溅射环加工出开口,使用圆弧成型刀完成开口区域的圆弧加工;6:松开螺栓、垫片和螺母,去除紧固盖板,取出工装内撑,取下溅射环,进行检验并包装备存。

    一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法

    公开(公告)号:CN109536770B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201811471664.0

    申请日:2018-12-04

    IPC分类号: C22C5/02 C22C1/02 C22F1/14

    摘要: 本发明公开了一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法,该方法包括如下步骤:1)以金、铍金属为原料,在真空感应熔炼炉上,先将金完全熔化之后,再添加金属铍,熔炼铸造获得金铍合金铸锭;其中,合金铸锭中铍含量为合金名义成分0.5~2wt.%再多配一定比例,余量为金;2)利用加热炉对步骤1获得的合金铸锭进行热处理;3)利用塑性加工设备将铸锭沿厚度方向进行热塑性加工;4)每完成1~2道次加工将坯料于加热炉进行回火热处理;5)重复步骤3)和4),直到所需的板材厚度尺寸;6)采用冲压模具,加工成所需金铍合金材料。通过本方法得到的金铍合金材料成分均匀,合金稳定,形状规则,可满足半导体器件欧姆接触电极的性能要求。