公开(公告)号：CN104198004A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410491316.5

申请日：2014-09-23

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张召 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  倪立华

IPC分类号： G01F1/88

摘要： 本发明涉及一种气体质量流量计，依次包括加热电桥传感器、第一放大器、电压比较器以及第二放大器，所述加热电桥传感器检测气体管道中的气体流量并转换为电压信号，所述的电压信号经过第一放大器放大，与初始的设定电压值在所述电压比较器中进行比较，二者的差值经过所述第二放大器的放大，作为执行机构的第一反馈控制信号；还包括压力传感器，所述压力传感器设置于所述气体管道内，所述压力传感器检测到的气体的压力信号，作为执行机构的第二反馈控制信号，所述第一、第二反馈控制信号共同调节所述气体管道中的气体流量。本发明利用压力传感器与加热桥传感器相互关联，实现对气体质量流量计的零点监控，确保实际的气体质量流量与设定值相符。

公开(公告)号：CN103646907A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310600963.0

申请日：2013-11-22

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张召 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  张旭昇

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/28158

摘要： 本发明公开了一种改善栅氧击穿电压的方法，具体为提供一个浅沟道栅氧层，栅氧层预清洁后，生长氯处理牺牲氧化层；使用酸槽将生长的牺牲氧化层去除；于栅氧层表面生长栅氧结构层。本发明所述的方法，通过添加一层氯处理牺牲氧化层，然后去除的工艺方式来对浅沟道隔离层边角进行优化，使栅氧的边角圆滑的效果，从而避免因为浅沟道隔离层的边角尖锐导致栅氧的击穿电压变低的问题，使用本发明所述的方法制得的半导体器件，其栅氧厚度达到浅沟道隔离层边角也是圆滑的，没有明显的尖角，栅氧层的击穿电压也在正常的范围之内。

公开(公告)号：CN103643220A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310597941.3

申请日：2013-11-22

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 吴加奇 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  张旭昇

IPC分类号： C23C16/44

摘要： 本发明公开了一种减少低压炉管内杂质颗粒的方法，其具体是采用对低压炉管进行升降温的处理，控制低压炉管的温度、升降温速率、气体类型，并根据一定间隔时间和清洗时间通入恒定压力的清洗气体的方法来达到改善低压炉管颗粒状况的目的，从而减少低压炉管工艺过程中产生的杂质颗粒，尤其是减少了炉管内壁的上的杂质颗粒。本发明所述的方法可有效改善低压炉管的杂质颗粒状况，与相同沉积工序相比，其产出的晶圆控片杂质颗粒明显减少，解决了由于多次沉积工序后残留的杂质颗粒引起的产品缺陷问题，延长低压炉管安全稳定作业的批次，提高相关扩散工艺的稳定性，减少对产品造成的缺陷影响，提高生产效率。

公开(公告)号：CN103295880A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310220481.2

申请日：2013-06-04

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张乐成 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  张旭升

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/033

摘要： 本发明涉及一种多晶硅炉管工艺中控片的改进结构及其制备方法和使用方法，其中，控片制备方法包括以下步骤：于一硅衬底的上表面上制备一保护层；于保护层上表面上制备二氧化硅薄膜。该制备方法构成本发明中控片的改进结构。使用方法包括以下步骤：步骤1、对控片前值测量；步骤2、判断前值是否超出规定；若超出规定，则进行步骤3；若未超出规定，进行步骤6；步骤3、去除控片的二氧化硅薄膜和保护层；步骤4、制备保护层覆盖硅衬底；步骤5、制备二氧化硅薄膜覆盖保护层，并对控片进行步骤1；步骤6、对控片进行多晶硅炉管工艺；步骤7、去除多晶硅层和二氧化硅薄膜，并进行步骤4、步骤5。本发明有效解决了衬底与酸液直接接触的问题。

公开(公告)号：CN103035495A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210494123.6

申请日：2012-11-28

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 祁鹏 ,  王智 ,  张旭昇

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06

摘要： 本发明提供用于多晶硅炉管工艺的挡片，所述挡片从下到上依次为半导体硅层、二氧化硅层和氮化硅层；所述二氧化硅层的厚度为10~100纳米，氮化硅层的厚度为20~200纳米。本发明提供的挡片采用在硅衬底基片上生长二氧化硅后再次淀积氮化硅所形成的特殊结构的挡片，解决传统多晶硅炉管挡片由于淀积硅衬底基片上氮化硅与硅衬底基片的热膨胀系数不同产生的应力会导致挡片变形和边缘破损，对产品硅片的颗粒会有影响，改善之后消除氮化硅与硅衬底基片的应力。

公开(公告)号：CN102856175A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210352952.0

申请日：2012-09-19

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 任川 ,  王智 ,  张旭升

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/0603 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32055

摘要： 本发明提供了一种炉管挡片结构及其制造方法。炉管挡片结构包括：硅衬底基片、布置在所述硅衬底基片上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的二氧化硅层。在硅衬底基片上形成氮化硅层以形成硅-氮化硅结构；并且在第一步骤得到的硅-氮化硅结构上形成二氧化硅层，以得到形成硅-氮化硅-二氧化硅结构。根据本发明的具有特殊结构的炉管挡片消除挡片对生产片膜厚造成的影响，使产品片上得到的薄膜有良好的片与片之间的均匀性，同时不影响挡片正常的使用、回收。根据本发明的炉管挡片，其结构特点是在硅-氮化硅的结构上再覆盖二氧化硅，使炉管挡片与产品片表面的材料一致，消除淀积过程中的淀积速率差异，使产品片得到更好的片间均匀性。