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公开(公告)号：CN101859704B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010185685.3
申请日：2010-05-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/365 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种基于p型掺杂单晶金刚石薄膜的高温、高功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明的主要特点是：在p型硼掺杂单晶金刚石薄膜上，制作源电极、漏电极和栅电极；源、漏电极采用金电极，而栅电极采用铅电极；在栅电极与p型金刚石薄膜之间采用SiOx作为绝缘层。采用微波等离子体化学气相沉积方法(MPCVD)沉积p型硼掺杂单晶金刚石薄膜，并以此为基础制备出半导体场效应晶体管器件，该器件稳定工作温度可达到690℃。
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公开(公告)号：CN101950769A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010215805.X
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种CdTe薄膜太阳能电池欧姆接触背电极的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该背电极为CuxO/Cu复合电极，电极结构如图所示；电极制备方法是：采用磁控溅射仪在CdTe薄膜上溅射电极，溅射靶材为高纯Cu电极；溅射时先通入氩气和氧气的混合气体，采用直流磁控法溅射Cu靶从而在CdTe薄膜表面形成CuxO电极；溅射一定时间后关闭氧气气源，继续溅射，从而形成CuxO/Cu复合电极；CuxO/Cu复合电极制备后，将薄膜真空高温退火。采用该复合电极及电极制备方法可以使CdTe薄膜太阳能电池的效率得到提高，促进其应用。
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公开(公告)号：CN101881809A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010215748.5
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种20倍聚光电池的测量系统装置，属于太阳能电池测试方法技术领域。本发明的20倍聚光太阳电池测试系统装置是利用传统的商业化太阳电池测试仪的光源和测量部件，加装了经过设计的聚光单元，改造了电接触部分，由铜板平行接触与电池电极相连。组成了能够测量20倍标准以下聚光电池的测量仪。
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公开(公告)号：CN101692468A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910196564.6
申请日：2009-09-27
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于自支撑金刚石薄膜的金属Pb-氰化物SiO2-P型金刚石薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于光电探测器件制造工艺技术领域。本发明的特点是：(1)利用具有p型导电类型金刚石薄膜作为表面p型沟道层，其是p型金刚石薄膜不是通过掺杂获得，而是采用氢等离子体刻蚀的方法在自支撑金刚石的成核面获得H终端P型金刚石薄膜半导体导电层。(2)去除了一般常用的硅衬底，采用了具有一定厚度的自支撑金刚石薄膜。本发明的金刚石薄膜光敏晶体管可适用于高温、高频、大功率及恶劣环境条件下的应用；并具有较高的稳定性能，响应速度快，抗辐照能力强。
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公开(公告)号：CN100593842C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200810040004.7
申请日：2008-07-01
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/338
Abstract: 本发明涉及一种纳米晶金刚石薄膜场效应晶体管的制备方法，该方法主要步骤：硅衬底预处理后放入微波等离子体化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；在甲烷与氢气的混合反应气体中进行金刚石薄膜生长，然后用进行氢等离子体刻蚀，即得p型纳米晶金刚石薄膜；再采用离子束溅射仪及光刻掩模技术在p型纳米晶金刚石薄膜表面制作场效应晶体管的源、漏和栅电极。本发明不需抛光处理就可以直接进行器件制作，具有制作工艺简便和成本较低，有利于促进金刚石基器件的大规模应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101325153A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810040637.8
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种半导体基片热沉复合材料的制备方法，该方法主要步骤：钽丝预处理，硅衬底预处理，硅片预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；抽真空后通入反应物氢气和丙酮，进行微米晶金刚石薄膜成核；调节丙酮和氢气流量及温度等条件，进行微米晶金刚石薄膜生长；然后进行纳米晶金刚石薄膜生长：调节丙酮和氢气的流量，衬底温度控制在600～650℃，薄膜生长时间3～5小时，由此获得表面比较光滑的金刚石复合薄膜，即为半导体基片热沉的复合材料。本发明设备简单、生长速度快、质量较好、易实现大面积沉积等优点。
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公开(公告)号：CN1900356A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610029242.9
申请日：2006-07-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种强磁场下金刚石薄膜的制备方法，它是先对基片进行预处理，然后放入带有超导磁铁线圈的热丝化学气相沉积装置的真空反应室中，通入氢气和丙酮，经过氢等离子体清洗、表面碳化、偏压增强成核和生长四个过程制得高质量高度定向金刚石膜，后两个过程施加1～14T的强磁场。本发明是一种高效制备高质量高度定向CVD金刚石膜的方法。
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公开(公告)号：CN119947271A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411911435.1
申请日：2024-12-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种全透明氧化镍/氧化镓PN结型日盲紫外探测器及其制备方法与应用，所述日盲紫外探测器自下而上依次包括柔性衬底、底电极层、NiO薄膜层、Ga2O3薄膜层、上电极层，所述底电极层、NiO薄膜层、Ga2O3薄膜层、上电极层呈阶梯状设置，所述柔性衬底包括PET柔性衬底，所述的底电极层和上电极层均为BGZO电极层。本发明采用磁控溅射法，在透明衬底上生长电极，并选择适当的溅射功率，实现高性能全透明氧化镍与氧化镓薄膜的制备。与现有技术相比，本发明得到的日盲紫外探测器具有自供电、全透明、柔性性能，具有便携可穿戴的特点，能够更好地应用在紫外探测等领域。
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公开(公告)号：CN113151901B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110307620.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 中广核工程有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司 , 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种CZT晶体及其后处理方法、CZT晶片、核辐射探测器件及其制备方法。上述CZT晶体的后处理方法，包括如下步骤：采用移动加热器法生长CZT晶体；将CZT晶体先在870℃～930℃下进行原位退火处理50h～70h，然后在50h～80h内将温度降至400℃～420℃，最后在400℃～420℃下保温40h～50h。上述CZT晶体的后处理方法利用热迁移机制消除热应力、减少Te夹杂和Te沉淀，获得的CZT晶体质量高、Te夹杂等相关缺陷密度减小，最终提高CZT晶体用于探测器时的光电性能。
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公开(公告)号：CN118006903A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410174270.8
申请日：2024-02-07
Applicant: 河北龙凤山辰昕新材料科技有限公司 , 上海大学(浙江)高端装备基础件材料研究院
Abstract: 利用连续式UHV垂直浮区区熔制备超纯金属工艺，利用真空预处理室和超高真空区熔工艺室相结合的双真空室结构，能够在全程真空环境下对金属棒材进行等离子表面清洗和n道次垂直区熔提纯以得到更高纯度级别的提纯金属棒材，有利于发挥杂质蒸发效应、杂质分凝效应或偏析效应、和杂质熔渣去除效应，实现连续式的金属棒材提纯作业，可应用于工业化生产。
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