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公开(公告)号：CN112103305A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010991401.3
申请日：2020-09-21
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了基于微图案化石墨烯的Micro‑LED阵列及其制备方法、显示装置，该阵列包括：衬底；图案化石墨烯层，其阵列分布在衬底一侧；电子注入层，位于衬底靠近图案化石墨烯层一侧，电子注入层在衬底上投影位于相邻图案化石墨烯层之间；多量子阱层，位于电子注入层远离衬底一侧；空穴注入层，位于多量子阱层远离衬底一侧；n型接触电极，位于图案化石墨烯层远离衬底一侧；p型接触电极，位于空穴注入层远离衬底一侧。本发明Micro‑LED阵列，石墨烯良好的导电性还能够直接作为Micro‑LED的底电极，图案化石墨烯层与电子注入层之间接触形成良好的导电通路，实现电子由图案化石墨烯层到Micro‑LED的有效注入。
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公开(公告)号：CN109309131B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201811072896.9
申请日：2018-09-14
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 石墨烯透明电极双台面碳化硅辐射探测器及其制备方法，属于半导体探测器领域，解决了现有碳化硅辐射探测器存在的探测效率低、漏电流大的问题。该探测器包括：碳化硅衬底；设置在碳化硅衬底上的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层为双台面结构；设置在碳化硅外延层上的石墨烯透明电极；设置在碳化硅外延层上的二氧化硅钝化层；设置在石墨烯透明电极上的阴极金属电极和阳极金属电极；分别键合在阴极金属电极和阳极金属电极上的电极引线。本发明将石墨烯透明电极应用到辐射探测器中，采用双台面工艺，提供一种具有高有效探测区域、高探测效率、低漏电流、耐高温、耐辐射的石墨烯透明电极双台面碳化硅辐射探测器及其制备方法。
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公开(公告)号：CN112038448A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010854740.7
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供的AlGaN单极载流子日盲紫外探测器，基于AlGaN极化效应，利用p-AlzGa1-zN/i-AlyGa1-yN/n-AlxGa1-xN(0.45＝
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公开(公告)号：CN111952382A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010800435.X
申请日：2020-08-11
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种光伏型紫外红外双色探测器，包括：衬底；三维氮化硼层，其生长在衬底上；AlN薄膜层，其生长在三维氮化硼层上；二维氮化硼层，其生长在AlN薄膜层上；紫外探测电极，其位于三维氮化硼层表面；红外插指电极，其位于二维氮化硼层表面。本发明的光伏型紫外红外双色探测器，其中利用二维氮化硼光学声子在中红外光照下具有声子极化和传播效应在二维氮化硼表面形成的空间电势差，形成光伏型红外探测信号，紫外探测基于三维氮化硼层的常规光电效应，在三维氮化硼层表面的紫外探测电极探测光生电流。本发明利用三维氮化硼层的本征的紫外吸收性能和二维氮化硼层光学声子共振的红外吸收性能，来实现双色探测。
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公开(公告)号：CN109713091B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811634478.4
申请日：2018-12-29
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L33/00 , H01L31/18 , H01L33/46 , H01L31/0232 , H01L31/153 , H01L31/173
Abstract: 本发明公开了一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法，属于半导体技术领域。本方法主要针对GaN基集成波导光损耗问题，提出采用高反膜来提高GaN基集成波导的光耦合效率。包括以下关键步骤：多量子阱脊形光波导结构设计、GaN材料生长、多量子阱InGaN/GaN结构的生长、电极套制技术、多量子阱LED侧面镀高反膜等关键技术。通过本发明能够有效提高集成波导的光耦合效率，为提高GaN基集成波导光耦合效率提供了有效途径。本发明工艺简单，成本低廉，具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110752260A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911050585.7
申请日：2019-10-31
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 新型GaN结势垒肖特基二极管及其制备方法利用新颖的设计及相对简单易达成的工艺为提高肖特基二极管的性能提供了新途径。新型GaN结势垒肖特基二极管，二极管由下到上依次包括：阴极、衬底、n+型GaN外延层、n型GaN外延层、在n型GaN外延层的外沿上环形注入等离子体形成的高阻区、梳状的p型GaN外延层、梳状的p+型GaN外延层和阳极。本专利无需在n型GaN层内再生长p型GaN以及后续的激活工艺，大大降低了工艺难度和复杂程度。通过4层外延GaN结构，能形成良好的欧姆接触以及更好的PN结，降低了正向导通电阻及增加了反向击穿电压，有效提高了器件的性能。另外，N2 Plasma形成的高阻区能有效抑制器件在高压下位于电极边缘的击穿，增强了击穿性能。
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公开(公告)号：CN109904276A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910097597.9
申请日：2019-01-31
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种GaN基垂直集成光电子芯片及其制备方法，解决现有GaN集成光电子集成密度不能进一步提高和水平结构结构相同，性能不能达到最优的技术问题。本发明的GaN基垂直集成光电子芯片能实现LED和PD之间的光通讯，在两块蓝宝石上分别生长外延层，并在外延层上生长设计好的探测器和发光二极管的结构，然后将蓝宝石减薄，将两块蓝宝石没有生长器件的一面通过Bonding键合在一起，可以用于垂直方向建立光通讯，进一步提高GaN基材料光通信的集成密度。这种结构通过分别单独设计探测器PD和发光二极管LED，可实现垂直结构器件之间的信息传输。本发明工艺简单，成本低廉，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109378361A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811151586.6
申请日：2018-09-29
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/107
Abstract: 一种实现低电压下AlGaN探测器雪崩倍增的方法属于半导体技术领域，解决了AlGaN探测器在高电场下性能崩塌，难以实现雪崩探测的问题。该方法包括如下步骤：选择蓝宝石、硅、碳化硅等用于氮化物外延的衬底材料；在步骤一所述的衬底材料上制作AlN模板；在步骤二所述的AlN模板制作Al组分从1逐渐变为0.4的p型AlGaN层，温度从1300℃梯度减小到1200℃变化；在步骤三所述的p型AlGaN层上制作Al组分为0.4的本征AlGaN层结构，温度保持在1200℃；在步骤四所述的本征AlGaN层结构上制作Al组分从0.4逐渐变为1的n型AlGaN层，温度保持在1200℃，三甲基镓梯度减小；在p型AlGaN层和n型AlGaN层分别制备电极，并且在电极上加负偏压，实现低电压下雪崩倍增。本发明具有工艺简单，效果显著，应用前景广阔等优点。
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公开(公告)号：CN107703718A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710887679.4
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种大面积玻璃衬底上倒梯形截面光刻胶掩膜的制备方法，涉及半导体光电子器件技术领域。解决现有图像反转工艺无法应用于大面积玻璃衬底制备倒梯形截面光刻胶掩膜的技术问题。本发明提供的一种大面积玻璃衬底上倒梯形截面光刻胶掩膜的制备方法，在普通的烤箱下即可以得到光刻胶截面的倒梯形，避免了加热板引起大面积玻璃基板炸裂，解决了无法在大面积玻璃基板上实现反转光刻，形成光刻胶倒梯形截面的问题。同时该技术制备光刻胶倒梯形截面的工艺条件宽泛，重复性好，简便易行，无毒无害，便于推广。
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公开(公告)号：CN119433692A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411736365.0
申请日：2024-11-29
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及氮化铝单晶生长装置技术领域，尤其涉及一种可调过饱和度的PVT‑AlN单晶生长装置及方法。装置包括用于放置烧结体原料的坩埚本体、设于坩埚本体顶部的坩埚上盖；坩埚上盖外沿的内径与坩埚本体的外径匹配；坩埚本体包括坩埚内腔和坩埚外腔；坩埚内腔壁上设有n个内腔壁凹口，内腔壁凹口相对于坩埚本体呈中心对称；n为≥2的偶数；坩埚上盖上设有n个上盖凸块，和内腔壁凹口一一对应；通过旋转坩埚上盖带动上盖凸块的转动，使内腔壁凹口被部分遮挡或全部覆盖；内腔壁凹口被上盖凸块全部覆盖时，坩埚内腔和坩埚外腔不联通。优点在于：能够有效调控AlN晶体长晶时的表面过饱和度，从而提高单晶生长成功率及生长效率。
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