公开(公告)号：CN101911322B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980101538.9

申请日：2009-08-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L21/02458 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。

公开(公告)号：CN103299495A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280004449.4

申请日：2012-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 熊野哲弥 ,  上野昌纪 ,  京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  筑岛克典 ,  田才邦彦 ,  中岛博

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种具有降低的阈值电流的氮化镓基半导体激光器元件和制造氮化镓基半导体激光器元件的方法。所述氮化镓基半导体激光器元件具有n型包覆层15b、n侧光导层29、有源层27、p侧光导层31和p型包覆层23。有源层27的激射波长为400nm以上且550nm以下。n型包覆层15b为InxAlyGa1-x-yN(0

公开(公告)号：CN101661986B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200910170459.5

申请日：2009-08-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及制造氮化物半导体光学器件和外延晶片的方法。本发明提供通过在氮化镓基半导体区域的半极性主面上生长半导体而制造具有令人满意的发光性能的氮化物半导体光学器件的方法；以及制造用于氮化物半导体光学器件的外延晶片的方法。其中，在步骤S106中，在将生长炉内的温度保持为TW的同时，在时刻t4和t5之间在半极性主面上生长InXGa1-XN阱层。在步骤S107中，在所述阱层的生长完成之后，立即在温度TW下开始生长保护层以覆盖所述阱层的主面。所述保护层由氮化镓基半导体构成，所述氮化镓基半导体的带隙能量大于所述阱层的带隙能量且等于或小于阻挡层的带隙能量。

公开(公告)号：CN102318152B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980156981.6

申请日：2009-12-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  善积祐介 ,  住友隆道 ,  盐谷阳平

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3404 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种利用半极性面可提供低阈值的III族氮化物半导体激光器。半导体衬底13的主面13a相对于与GaN的c轴方向的基准轴Cx正交的基准面以50度以上且70度以下的范围的倾斜角AOFF向GaN的a轴方向倾斜。第一覆层15、有源层17和第二覆层19设置在半导体衬底13的主面13a上。有源层17的阱层23a包含InGaN。在该半导体激光器达到激光振荡之前自有源层出射的LED模式下的偏振度P为-1以上且0.1以下。III族氮化物半导体激光器的偏振度P使用LED模式下的光的该X1方向的电场分量I1与该X2方向的电场分量I2，由P＝(I1-I2)/(I1+I2)进行规定。

公开(公告)号：CN101556917B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200910134808.8

申请日：2009-04-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  中西文毅

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/52 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供了形成量子阱结构的方法以及制造半导体发光元件的方法，所述量子阱结构能够降低In组成在阱层厚度方向上的变化。在通过在GaN衬底主面上交替生长阻挡层和阱层而形成量子阱结构(有源层)的步骤中，通过生长InGaN而形成各个阱层，在第一温度下生长各个阻挡层，在低于所述第一温度的第二温度下生长各个阱层，且当形成各个阱层时，在供应Ga的原料气体(三甲基镓)之前，供应In的原料气体。

公开(公告)号：CN102549860A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043448.1

申请日：2010-09-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  德山慎司 ,  住友隆道 ,  上野昌纪 ,  池上隆俊 ,  片山浩二 ,  中村孝夫

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3202 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/14

Abstract: 本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。

公开(公告)号：CN102474076A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031731.2

申请日：2010-07-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  京野孝史 ,  中村孝夫

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3202

Abstract: 本发明提供包含低电阻化的p型氮化镓基半导体层的III族氮化物半导体光元件。支撑体13的主面13a相对于基准平面Sc形成40度以上且140度以下的角度ALPHA，基准平面Sc正交于在该III族氮化物半导体的c轴的方向上延伸的基准轴Cx。主面13a显示出半极性及无极性中的任一种。n型GaN基半导体层15设置在支撑体13的主面13a上。n型GaN基半导体层15、有源层19及p型GaN基半导体层17排列在法线轴Nx的方向上。p型GaN基半导体层17中添加有镁作为p型掺杂剂，p型GaN基半导体层17含有碳作为p型掺杂剂。p型GaN基半导体层17的碳浓度为2×1016cm-3以上且1×1019cm-3以下。

公开(公告)号：CN102473805A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002448.1

申请日：2011-01-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/34333

Abstract: GaN基半导体发光器件11a包含：由GaN基半导体构成的衬底13，其具有以63度以上且小于80度的倾斜角α从c面向m轴倾斜的主面13a；GaN基半导体外延区域15；有源层17；电子阻挡层27及接触层29。有源层17由含铟的GaN基半导体构成。衬底13的位错密度为1×107cm-2以下。在具有含铟的有源层的GaN基半导体发光器件11a中，能够减轻在电流注入高的情况下的量子效率的降低。

公开(公告)号：CN102422497A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020695.X

申请日：2010-02-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  京野孝史 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道 ,  中村孝夫

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01S5/32341 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光二极管，其具有能够提供较高的光限制及载流子限制的覆层。在(20-21)面GaN衬底(71)上，以产生晶格弛豫的方式生长n型Al0.08Ga0.92N覆层(72)。在n型覆层(72)上，以产生晶格弛豫的方式生长GaN光导层(73a)。在光导层(73a)上，以不产生晶格弛豫的方式生长有源层(74)、GaN光导层(73b)、Al0.12Ga0.88N电子阻挡层(75)及GaN光导层(73c)。在光导层(73c)上，以产生晶格弛豫的方式生长p型Al0.08Ga0.92N覆层(76)。在p型覆层(76)上，以不产生晶格弛豫的方式生长p型GaN接触层(77)，从而制作半导体激光器(11a)。结(78a)～(78c)的位错密度大于其它结的位错密度。

公开(公告)号：CN101984774A

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200980104006.0

申请日：2009-07-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道 ,  德山慎司 ,  片山浩二 ,  中村孝夫 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/14

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此，可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成，与c面、m面或a面等现有的解理面不同。