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公开(公告)号：CN103493316A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280019471.6
申请日：2012-02-07
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/3201 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种缩小光封闭性的降低且可实现驱动电压的下降的氮化物半导体激光器。在半导体区域（19）中，发光层（13）的活性层（25）、第一包覆区域（21）及第二包覆区域（23）设置在主面（17a）上。第二包覆区域（23）包含第一p型III族氮化物半导体层（27）及第二p型III族氮化物半导体层（29）。第一p型III族氮化物半导体层（27）由InAlGaN层构成，第二p型III族氮化物半导体层（29）由与该InAlGaN层不同的半导体构成。该InAlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层（27）设置在第二p型III族氮化物半导体层（29）与活性层（25）之间。第二p型III族氮化物半导体层（29）的比电阻（ρ29）低于第一p型III族氮化物半导体层（27）的比电阻（ρ27）。
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公开(公告)号：CN103959580B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201280051908.4
申请日：2012-06-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/3403 , H01S5/3407 , H01S5/34333
Abstract: 本发明能够提供一种氮化物半导体发光元件，具有能够降低来自半导体隆脊的载流子的横向扩散的构造。在｛20－21｝面上的半导体激光器中，在空穴能带中在该异质结生成二维空穴气。生成二维空穴气的异质结从半导体隆脊位置偏离时，该二维空穴气引起p侧的半导体区域中载流子的横向扩散。另一方面，在c面上的半导体激光器中，在空穴能带中该异质结不产生二维空穴气。异质结HJ包含在半导体隆脊中时，在从半导体隆脊流出的载流子，不存在因二维空穴气的作用而产生的横向扩散。
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公开(公告)号：CN104303381A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025897.7
申请日：2013-02-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/34333
Abstract: 能够提供一种可减少为了得到所希望的光输出所需的工作电流的III族氮化物半导体激光元件。根据III族氮化物半导体激光元件(11)，将光谐振器的第一反射膜(43a)以具有小于60％的反射率的方式形成，并将光谐振器的第二反射膜(43b)以具有85％以上的反射率的方式形成。因而，能够避免阈值电流的增加引起的振荡特性的劣化，并且能够避免光谐振器内的光密度的空间的不均匀的发生。在两端面(26、28)的反射率过低时，由于镜面损耗的增加而阈值电流增加。在两端面(26、28)的反射率过高时，由于光谐振器内的光密度的空间的不均匀的生成而激光增益下降。由于该光密度不均匀(空间的烧孔效应)的发生，不仅是在I-L特性观察到扭曲的现象，而且也会使电力/光输出转换效率下降。
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公开(公告)号：CN103999305A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280062606.7
申请日：2012-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/30 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 提供能够缩小光封闭性的降低并且降低驱动电压的氮化物半导体激光器。在半导体区域(19)中，发光层(13)的活性层(25)、第一包覆区域(21)以及第二包覆区域(23)设置在主面(17a)上。第二包覆区域(23)包括第一p型III族氮化物半导体层(27)以及第二p型III族氮化物半导体层(29)。第一p型III族氮化物半导体层(27)由AlGaN层构成，第二p型III族氮化物半导体层(29)由与该AlGaN层不同的半导体构成。该AlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层(27)设置在第二p型III族氮化物半导体层(29)与活性层(25)之间。第二p型III族氮化物半导体层(29)的电阻率(ρ29)低于第一p型III族氮化物半导体层(27)的电阻率(ρ27)。
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公开(公告)号：CN103959580A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280051908.4
申请日：2012-06-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/3403 , H01S5/3407 , H01S5/34333
Abstract: 本发明能够提供一种氮化物半导体发光元件，具有能够降低来自半导体隆脊的载流子的横向扩散的构造。在｛20－21｝面上的半导体激光器中，在空穴能带中在该异质结生成二维空穴气。生成二维空穴气的异质结从半导体隆脊位置偏离时，该二维空穴气引起p侧的半导体区域中载流子的横向扩散。另一方面，在c面上的半导体激光器中，在空穴能带中该异质结不产生二维空穴气。异质结HJ包含在半导体隆脊中时，在从半导体隆脊流出的载流子，不存在因二维空穴气的作用而产生的横向扩散。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103299495A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201280004449.4
申请日：2012-03-06
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种具有降低的阈值电流的氮化镓基半导体激光器元件和制造氮化镓基半导体激光器元件的方法。所述氮化镓基半导体激光器元件具有n型包覆层15b、n侧光导层29、有源层27、p侧光导层31和p型包覆层23。有源层27的激射波长为400nm以上且550nm以下。n型包覆层15b为InxAlyGa1-x-yN(0
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公开(公告)号：CN103650263A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280032130.2
申请日：2012-06-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/14 , B82Y20/00 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/0421 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种包含无损结晶性而具有比较小的接触电阻及比较高的载流子浓度的p型接触层的III族氮化物半导体元件及其制造方法。该III族氮化物半导体元件包括：接触层(25a)，设置于发光层(17)上；接触层(25b)，设置于接触层(25a)上，与接触层(25a)直接接触；及电极(37)，设置于接触层(25b)上，与接触层(25b)直接接触。接触层(25a)及接触层(25b)由p型的相同氮化镓系半导体构成，接触层(25a)的p型掺杂剂的浓度低于接触层(25b)的p型掺杂剂的浓度，接触层(25a)与接触层(25b)的界面J1自与沿c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面(Sc)以50度以上且小于130度的角度倾斜，接触层(25b)的膜厚为20nm以下。
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公开(公告)号：CN103975491A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280060441.X
申请日：2012-12-07
Applicant: 索尼公司 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/2206 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/176
Abstract: 一种半导体激光元件，包括：由六方晶系III族氮化物半导体形成的具有半极性面的半导体基板；外延层(2)，形成在半导体基板的半极性面上并包括发光层，外延层具有脊部(18)；第一电极(14)，形成在脊部之上；绝缘层(12)，覆盖脊部的周围(18a)和脊部的侧面(18b)的外延层同时从外延层侧连续覆盖第一电极的侧面的至少一部分；焊盘电极(13)，被形成为覆盖在第一电极和绝缘层之上，并且该焊盘电极电连接到第一电极；以及第二电极(15)，形成在半导体基板的、与形成外延层的表面相对的表面上。
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公开(公告)号：CN104160521A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201380008509.4
申请日：2013-02-05
Applicant: 索尼公司 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种半导体器件，其包括：具有半极面的半导体基板，由六方III族氮化物半导体形成；第一导电类型的第一包覆层，由Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(其中，x1>0且y1>0)形成；第二导电类型的第二包覆层，由Inx2Aly2Ga1-x2-y2N(其中，0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07)形成；以及在第一包覆层和第二包覆层之间形成的发光层。该半导体器件配备有在半导体基板的半极面上形成的外延层。
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公开(公告)号：CN104160521B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201380008509.4
申请日：2013-02-05
Applicant: 索尼公司 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种半导体器件，其包括：具有半极面的半导体基板，由六方III族氮化物半导体形成；第一导电类型的第一包覆层，由Inx1Aly1Ga1‑x1‑y1N(其中，x1>0且y1>0)形成；第二导电类型的第二包覆层，由Inx2Aly2Ga1‑x2‑y2N(其中，0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07)形成；以及在第一包覆层和第二包覆层之间形成的发光层。该半导体器件配备有在半导体基板的半极面上形成的外延层。
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