公开(公告)号：CN103299495A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280004449.4

申请日：2012-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 熊野哲弥 ,  上野昌纪 ,  京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  筑岛克典 ,  田才邦彦 ,  中岛博

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种具有降低的阈值电流的氮化镓基半导体激光器元件和制造氮化镓基半导体激光器元件的方法。所述氮化镓基半导体激光器元件具有n型包覆层15b、n侧光导层29、有源层27、p侧光导层31和p型包覆层23。有源层27的激射波长为400nm以上且550nm以下。n型包覆层15b为InxAlyGa1-x-yN(0

公开(公告)号：CN104488086A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201480001915.2

申请日：2014-04-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 熊野哲弥 ,  吉本晋

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/338 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05075 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10325 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10341 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/10355 ,  H01L2924/10356 ,  H01L2924/10357 ,  H01L2924/10358 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05124 ,  H01L23/488 ,  H01L24/28 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/28105

Abstract: 一种含有焊料的半导体器件(1)包括半导体器件(1D)。该半导体器件(1D)包括衬底(10)，布置在该衬底(10)上的至少一层III族氮化物半导体层(20)，布置在该III族氮化物半导体层(20)上的肖特基电极(40)和布置在该肖特基电极(40)上的焊垫电极(50)。该焊垫电极(50)具有包括至少Pt层的多层结构。该含有焊料的半导体器件(1)还包括具有200至230℃的熔点且布置在半导体器件(1D)的焊垫电极(50)上的焊料(60)。因此，能够安装包括肖特基栅极、布置在肖特基栅极上的焊垫电极和布置在焊垫电极上的焊料的含有焊料的半导体器件，以提供不使半导体器件的性能劣化的安装的含有焊料的半导体器件。

公开(公告)号：CN112310799A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010730086.9

申请日：2020-07-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 熊野哲弥

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/028 ,  H01S5/187

Abstract: 本发明提供面发射激光器及其制造方法，能够抑制因热导致的劣化。面发射激光器具备：基板、设于上述基板上的下部反射镜层、设于上述下部反射镜层上的有源层及设于上述有源层上的上部反射镜层，上述下部反射镜层、上述有源层及上述上部反射镜层形成台面，上述台面具有电流狭窄构造，上述电流狭窄构造具有电流狭窄层，上述电流狭窄层具有从上述台面的周缘部延伸的氧化层及由上述氧化层包围且与上述有源层重叠的开孔，上述开孔具有长轴和短轴，上述长轴的长度为上述短轴的长度的2倍以上。

公开(公告)号：CN104160521B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380008509.4

申请日：2013-02-05

Applicant: 索尼公司 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 田才邦彦 ,  中岛博 ,  风田川统之 ,  簗岛克典 ,  盐谷阳平 ,  熊野哲弥 ,  京野孝史

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

Abstract: 一种半导体器件，其包括：具有半极面的半导体基板，由六方III族氮化物半导体形成；第一导电类型的第一包覆层，由Inx1Aly1Ga1‑x1‑y1N(其中，x1>0且y1>0)形成；第二导电类型的第二包覆层，由Inx2Aly2Ga1‑x2‑y2N(其中，0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07)形成；以及在第一包覆层和第二包覆层之间形成的发光层。该半导体器件配备有在半导体基板的半极面上形成的外延层。

公开(公告)号：CN112290376A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202010708915.3

申请日：2020-07-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 熊野哲弥

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明涉及表面发射激光器及其制造方法。所述表面发射激光器包括下反射器层、有源层、上反射器层和布线。下反射器层、有源层和上反射器层形成台面、平台和连接部。在台面和平台之间设置有第一凹槽。连接部连接台面和平台，并在从衬底的 方向倾斜的方向上延伸。在平台、连接部和台面的外围部分中形成高电阻区域。布线设置在平台、连接部和台面的顶表面上。台面包括从台面的侧表面延伸的氧化区域和电流限制结构，该电流限制结构包括被该氧化区域围绕的孔。

公开(公告)号：CN104160521A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201380008509.4

申请日：2013-02-05

Applicant: 索尼公司 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 田才邦彦 ,  中岛博 ,  风田川统之 ,  簗岛克典 ,  盐谷阳平 ,  熊野哲弥 ,  京野孝史

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

Abstract: 一种半导体器件，其包括：具有半极面的半导体基板，由六方III族氮化物半导体形成；第一导电类型的第一包覆层，由Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(其中，x1>0且y1>0)形成；第二导电类型的第二包覆层，由Inx2Aly2Ga1-x2-y2N(其中，0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07)形成；以及在第一包覆层和第二包覆层之间形成的发光层。该半导体器件配备有在半导体基板的半极面上形成的外延层。