一种阻变存储器总剂量辐射测试方法和装置

    公开(公告)号:CN115547401A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211139602.6

    申请日:2022-09-19

    IPC分类号: G11C29/56

    摘要: 本申请涉及阻变存储器领域,具体公开了一种阻变存储器总剂量辐射测试方法,包括:将对多个阻变存储器进行分组,得到M组阻变存储器,每组阻变存储器包括N个阻变存储器,M组阻变存储器分别对应M个初始阻态;对M组阻变存储器进行总剂量辐射实验;对M组阻变存储器进行循环耐受性实验,循环耐受性实验的结果用于指示阻变存储器的与总剂量辐射相关的测试结果。通过该测试方法,可以模拟阻变存储器受到总剂量辐射后的耐受性变化,以对阻变存储器在总剂量辐射环境中的应用提供优化方案。

    一种测量单粒子瞬态脉冲宽度的电路结构

    公开(公告)号:CN111487472B

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202010247272.7

    申请日:2020-03-31

    IPC分类号: G01R29/02 G01R1/30

    摘要: 本发明公开了一种测量单粒子瞬态脉冲宽度的电路结构,包括控制电路、衰减单元、延迟单元、驱动Buffer、计数电路。所述的控制电路用于单粒子瞬态脉冲到来后控制此脉冲传输到由此电路和衰减单元、延迟单元、驱动buffer构成的循环结构中。所述的衰减单元用于减小脉冲宽度,延迟单元用于使循环结构的延时宽度大于脉冲宽度。计数电路利用寄存器和加法器实现对脉冲在循环结构中循环的次数的计数,寄存器的时钟信号由脉冲提供不需额外提供,单粒子瞬态脉冲宽度的测量结果是每次循环衰减的量乘以循环的次数。本发明实现的电路结构,可测范围大,测量精度高。

    适用于宇航用FPGA的加固配置存储器阵列及配置方法

    公开(公告)号:CN105741872B

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201610070791.4

    申请日:2016-02-02

    IPC分类号: G11C16/08 G11C16/30

    摘要: 适用于宇航用FPGA的加固配置存储器阵列及配置方法,其中配置存储器阵列采用DICE单元实现配置存储器阵列的单粒子加固,降低了单粒子对配置存储器阵列的影响。配置方法是在配置存储器阵列上电之前,通过列地址译码电路与帧数据寄存器使所有的配置存储器单元处于写0状态,上电时,由于外部工作条件的诱导效应,所有的DICE单元在上电后初始状态全部为0,避免了上电后FPGA互连矩阵由于配置存储器单元初始状态不确定导致的逻辑冲突,从而有效解决了FPGA的上电浪涌电流问题,降低了使用FPGA的系统的设计难度,提高了宇航用FPGA工作的可靠性。

    一种基于信号概率的FPGA用户电路逻辑反转优化方法

    公开(公告)号:CN105656474B

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201610053354.1

    申请日:2016-01-26

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 一种基于信号概率的FPGA用户电路逻辑反转优化方法,将FPGA中的原始用户电路,进行电路后仿真、线网信号概率计算操作,同时将原始用户电路进行线网逻辑检查操作,随后通过线网信号概率识别、前级扇出逻辑反转、后级扇入逻辑调整等操作,完成FPGA用户电路的逻辑反转,得到逻辑优化后的用户电路。本发明利用FPGA的可编程特性,根据线网的信号概率对FPGA中用户电路各线网进行有选择的逻辑反转,在不改变电路逻辑功能的情况下改变目标线网的信号概率,实现用户电路的逻辑优化。使用本发明可以提高FPGA中用户电路的可靠性,且不增加额外的电路资源开销。

    一种具有码流纠检错功能的单粒子加固FPGA配置电路

    公开(公告)号:CN105760250B

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201610079915.5

    申请日:2016-02-04

    IPC分类号: G06F11/10 H03M13/19

    摘要: 一种具有码流纠检错功能的单粒子加固FPGA配置电路,包括总线接口电路、配置总线、配置寄存器、编码纠错电路、配置存储器阵列;总线接口电路解析配置比特码流得到配置寄存器地址、内部数据并通过配置总线送至对应配置寄存器,配置寄存器根据内部指令字进行读写、配置、纠错操作,编码纠错电路接收配置数据字后产生校验码,并送至配置存储器阵列,读取配置数据字、校验码并进行纠错,配置存储器阵列加载配置数据字及对应的校验码。本发明通过增加编码纠错电路,能够在配置完成后读取配置存储器阵列中配置数据字进行检错纠错,解决了SRAM型FPGA芯片在空间辐射环境中由于单粒子翻转容易引入逻辑错误的问题,具有较好的应用价值。

    一种单粒子加固FPGA分布式RAM的写入时序匹配电路

    公开(公告)号:CN105761746B

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201610080515.6

    申请日:2016-02-04

    IPC分类号: G11C11/413

    摘要: 本发明提出了一种单粒子加固FPGA分布式RAM的写入时序匹配电路,包包括与门、单粒子加固触发器、镜像单粒子加固静态随机访问存储器、n级延时链、n选1多路选择器、n位配置单元、反相器、传输门、单粒子瞬态滤波器、二选一选择器、查找表单粒子加固静态随机访问存储器及其配置单元。FPGA的WR和EN信号依次通过与门、单粒子加固触发器,得到选通信号,选通信号通过镜像单粒子加固静态随机访问存储器、n级延时链和n选1多路选择器组成的反馈回路。该电路可以自动测量分布式随机访问存储器所需的写入时间,并允许用户开启或关闭FPGA中单粒子瞬态滤波器时,通过编程n位配置单元的值调整数据写入分布式RAM的宽度,实现SRAM型FPGA单粒子设计加固后的时序匹配。