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公开(公告)号：CN105590971A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610156889.1
申请日：2016-03-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1075 , H01L31/02161 , H01L31/03048 , H01L31/1848
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其结构从下至上依次包括：一维光子晶体层、AlN/蓝宝石模板层、i型AlxGa1-xN层、n型AlxGa1-xN层、i型Aly1Ga1-y1N层、n型AlyGa1-yN组分渐变层、i型Aly2Ga1-y2N层、p型GaN层，在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x满足0.5≤x≤1，所述y1满足0.4≤y1＜1，所述y2满足0.1≤y2＜0.5，所述y1与y2满足y2＜y1＜x，所述组分y沿自下而上方向逐渐降低，且满足y2≤y≤y1。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器，一维光子晶体层中带有周期的抗反射涂层，可以降低日盲紫外雪崩光电探测器日盲区的光反射，提高探测器的性能。
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公开(公告)号：CN105206727A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510645324.5
申请日：2015-10-08
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端的n型GaN层和p型GaN层离金属电极膜的距离在100nm以内或直接接触金属电极膜，且中间的InxGa1-xN/GaN量子阱有源层与金属电极膜隔离，在InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端与金属电极膜接触的部位通过聚焦离子束系统二次沉积金属电极形成欧姆接触。本发明方法的主要特点是使用紫外光光刻和聚焦离子束二次沉积形成纳米柱的欧姆接触，使用该方法能够显著提高电极与纳米柱的对准精度和制备成功率，以及在制备电极的同时，不损伤InGaN/GaN多量子阱，从而实现较好的金属半导体接触，提高电注入的电流密度从而增加发光亮度。该方法适用于制备单纳米柱InGaN/GaN发光二极管，尤其适用于尺度小于紫外光光刻极限的纳米器件。
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公开(公告)号：CN104582134A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410677176.0
申请日：2014-11-21
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 本发明公开了一种车载控制器高精密流控电路，包括开关k101、直流电源、高频干扰源、二极管D5、滤波器、电阻R1、开关K102、电阻R2和电流检测单元；电阻R2上的电流为IS ， AB支路上的电流为ID ，支路BD上的电流为Io；电流检测单元用于检测总线电流 IS ，电流检测单元根据电流IS 的大小，通过开关K102补偿电流ID ，使总线电流IS 维持为IS= ID+ Io。本发明采用了非常巧妙而简洁的电路，避开了各种判断、开关、恒流电路的延时环节，大大提高了电路的响应速度，使能很好的抗击高频干扰，防止输入电流下跌至安全值以下；通过对关键器件的性能优化、集成及补偿，实现了高精密的流控电路。
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公开(公告)号：CN104470091A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410677579.5
申请日：2014-11-21
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种低功率电流自锁LED控制器，包括整流桥、电阻、电容C1、二极管、三极管、恒流控制单元、电压采样单元、电压偏置单元、开关和LED灯串；电压采样单元的输入端与整流桥的输出端连接，电压采样单元采样输入电压，开关K 101根据电压采样单元的输出进行导通和断开的动作；开关K102根据电阻R4上的电压值和电压采样单元的输出进行导通和断开的动作。本发明具有自动自锁功能；LED灯珠能够始终工作，利用率高；电容储能供电，无纹波、无闪烁；电容承载额外的电压，进一步降低功耗；电流+电压法的逻辑判断法，使自适应输入电压变化，效率高，适应输入电压一定范围的变化；可集成化大大降低尺寸和成本。
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公开(公告)号：CN101364482B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810156068.3
申请日：2008-09-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 可见光铟镓氮基光电化学电池的制备方法，采用MOCVD在α-Al2O3衬底上外延生长单晶取向的GaN支撑层和InxGa1-xN合金层，利用GaN层缓解InGaN层与衬底之间大晶格失配；其中GaN层生长采用两步法，先设置50至100nm厚的低温缓冲层，低温缓冲层生长温度为500至550℃，再将生长温度升高至1100℃，生长1μm至2μm厚GaN支撑层；InxGa1-xN合金层生长温度区间从600至850℃，决定InxGa1-xN合金层中In的组分x，合金组分0≤x≤1，厚度从50nm至500nm，在InxGa1-xN合金薄膜表面淀积1至10μm金属铟形成欧姆接触电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100495017C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510094827.4
申请日：2005-10-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 半导体材料的高温霍尔测量方法，在抽真空条件下进行加温测量半导体材料的参数。测量装置，包括磁场装置、测量控制电路、样品台、真空装置、加热电阻、样品台构成，设有密封容器，将样品台置于密封容器内、密封容器连接抽真空装置，在密封容器内的样品台设有加热电阻并与容器外的温控装置连接，且密封容器置于外加电磁铁的磁场内；样品台上设有电极探针，密封容器盖上设有用于通过电极探针向样品施加电流并测量从样品输出信号的电极引出孔，本发明装置可以在77K到773K温度范围内直接测量出或计算得到半导体样品的一些重要参数。
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公开(公告)号：CN101349641A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810196207.5
申请日：2008-08-28
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 有机污染物的紫外光电动态污染监测的方法，a)、针对具体的监测地点与环境，在数据处理系统(3)中预置一个参考紫外光谱图与几个具体的特征污染物的参考吸收谱图数据库；b)、根据不同的紫外光源(1)的波长，测量一个至几个不同紫外波长处的紫外光吸收值数据，需要的不同紫外波长光源个数要根据需要动态监测的特征污染物的个数，不同波长的光源个数等于所需要动态监测的特征污染物个数加一，通过数据处理系统(3)与预置的参考紫外光谱图比较，得到一组吸光度差值数据；c)、根据吸光度差值及比值，比对数据处理系统(3)中预置的特征污染物的参考吸收谱图数据库，得到污染物的种类和浓度。可实时监测环境污染情况及具有预警功能。
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公开(公告)号：CN101101933A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710025126.4
申请日：2007-07-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/05 , H01L31/052
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02E10/544
Abstract: 铟镓氮(InGaN)p-n结型多结太阳电池的结构的设置方法，采用p-n结型太阳电池的电流-电压方程、InxGa1-xN禁带宽度与In组分关系式和InxGa1-xN材料的相关参数，计算InGaN多结(含单结)太阳电池的最大转换效率以及获得此转换效率时的其中各结材料的最佳禁带宽度和对应的In组分值，用这些不同In组分的InxGa1-xN为其中各结电池材料，在各结电池之间用隧道结垂直串联起来，在第1结的n(或p)-Inx1Ga1-x1N和最后第i结的p(或n)-InxiGa1-xiN上设有金属导电电极，入射表面覆盖减反射膜。
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公开(公告)号：CN1971949A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610098234.X
申请日：2006-12-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/078 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 铟镓氮表面势垒型太阳电池，选用半导体材料InxGa1－xN(0≤x≤1)为光吸收区和InxGa1－xN MS或MIS结构表面势垒型太阳电池，在蓝宝石衬底材料上生长20－200nm厚度的低温GaN缓冲层，退火后接着外延生长1000－2000nm厚度的高温GaN缓冲层和200－1000nm厚度的InxGa1－XN光吸收层，然后在InxGa1－xN上设有肖特基接触金属Ni和厚引线金属Au形成肖特基结构，以及在InxGa1－xN上淀积2－20nm厚度的Si3N4绝缘薄膜后再设肖特基接触金属和厚引线金属形成金属－半导体－金属结构，并在n－InGaN材料上设有Ti/Al/Ni/Au多层金属导电电极，形成MS和MIS两种结构的表面势垒InGaN太阳电池。
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公开(公告)号：CN119470598A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510058540.3
申请日：2025-01-14
IPC: G01N27/414 , B01L3/00
Abstract: 本申请提供一种半导体场效应晶体管液体传感器及其制造方法，包括：基板、半导体场效应晶体管和微流道结构。微流道结构包括基片、参比电极和盖片。基片包括沟槽，沟槽用于放置参比电解液，参比电极至少覆盖沟槽的侧壁。盖片设置于基片远离基板的一侧表面，盖片覆盖沟槽，盖片用于进行参比电解液和待测溶液之间的离子交换，从而实现液体传感器进行检测的功能。由此可见，本申请通过利用包括沟槽的基片，覆盖沟槽侧壁的参比电极以及密封参比电解液的盖片形成集成度较高的微流道结构，微流道结构和半导体场效应晶体管集成在同一个基板上，进一步提高集成度，从而最终实现半导体场效应晶体管液体传感器的微型化，从而满足多种场景的检测需求。
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