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公开(公告)号：CN103113883A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201210319801.5
申请日：2012-08-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H05B33/12 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施方案，提供了一种发光材料，当用发射峰在250-520nm的波长范围内的光激发时，所述发光材料发出发光峰在550-590nm的波长范围内的光。所述发光材料具有下式1表示的组成：(Sr1-xEux)aSibAlOcNd 式1，其中x、a、b、c和d满足以下条件：0
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公开(公告)号：CN102790165A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210017796.2
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。
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公开(公告)号：CN102623605A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210018042.9
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/42
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/42
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括第一和第二导电层、第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部件。在第一导电层和第一半导体层之间提供第二半导体层。在第一半导体层和第二半导体层之间提供发光部件。第二导电层在第二半导体层和第一导电层之间并与第二半导体层和第一导电层接触。第一和第二导电层能够透射从发光部件发出的光。第一导电层包括具有第一平均晶粒直径的多晶体。第二导电层包括具有小于等于150纳米的第二平均晶粒直径的多晶体，第二平均晶粒直径小于第一平均晶粒直径。
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公开(公告)号：CN102326265A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200980157138.X
申请日：2009-11-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光器件包括：多层结构(1s)，其包括第一半导体层(1)、第二半导体层(2)以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层(3)；第一电极(7)；第二电极(4o)；第三电极(4s)；以及第四电极(4p)。所述第一电极被电连接到所述第一半导体层。所述第二电极与所述第二半导体层形成欧姆接触且透射从所述发光层发射的光。所述第三电极贯穿所述第二电极并电连接到所述第二电极以与所述第二半导体层形成肖特基接触。所述第四电极被形成在所述第三电极的与所述第二半导体层相反的一侧上，并且沿所述多层结构的层叠方向观察时所述第四电极的形状与沿所述层叠方向观察时所述第三电极的形状相同。从而，提供了在提高电流注入效率的同时改善光提取效率的半导体发光器件。还公开了半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法。
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公开(公告)号：CN101232068B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200810008868.0
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种半导体发光元件，包括：由III-V族半导体形成的{0001}n型半导体衬底，其相对于(1-100)方向的倾斜角在0°到45°的范围内，其相对于(11-20)方向的倾斜角在0°到10°的范围内；在所述n型半导体衬底上由III-V族半导体形成的n型层；在所述n型层之上由III-V族半导体形成的n型引导层；在所述n型引导层之上由III-V族半导体形成的有源层；在所述有源层之上由III-V族半导体形成的p型第一引导层；在所述p型第一引导层之上由III-V族半导体形成的p型接触层；以及在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III-V族半导体形成的凹凸层。所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部，并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102194953A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010274410.7
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠的结构体、第一电极和第二电极。所述层叠的结构体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部。所述层叠的结构体具有位于所述第二半导体层侧的第一主表面。所述第一电极被设置在所述第一半导体上。所述第二电极被设置在所述第二半导体层上。所述第一电极包括第一衬垫部和从所述第一衬垫部沿第一延伸方向延伸的第一延伸部。所述第一延伸部包括第一宽度增大部。所述第一宽度增大部的沿与所述第一延伸方向正交的方向的宽度从所述第一衬垫部朝向所述第一延伸部的端部增大。
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公开(公告)号：CN102157648A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010275566.7
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/12 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：n型和p型半导体层、发光部、多层结构体以及n侧中间层。所述发光部被设置在所述半导体层之间。所述发光部包括包含GaN的势垒层以及被设置在所述势垒层之间的阱层。所述阱层包含Inx1Ga1-x1N。所述体被设置在所述n型半导体层与所述发光部之间。所述体包括：包含GaN的第一层以及被设置在所述第一层之间的第二层。所述第二层包含Inx2Ga1-x2N。第二In组成比x2不小于第一In组成比x1的0.6倍且低于所述第一In组成比x1。所述中间层被设置在所述体与所述发光部之间并包括包含Aly1Ga1-y1N(0＜y≤0.01)的第三层。
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公开(公告)号：CN102104106A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010274406.0
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/504 , H01L24/29 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2224/14 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括半导体发光元件、安装构件、第一波长转换层和第一透明层。所述半导体发光元件发射第一光。所述半导体发光元件被设置在所述安装构件上。所述第一波长转换层被设置在所述半导体发光元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述第一透明层被设置在所述半导体发光元件与所述第一波长转换层之间且与所述半导体发光元件和所述第一波长转换层接触。所述第一透明层对所述第一光和所述第二光透明。
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公开(公告)号：CN101101951A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710128603.X
申请日：2007-07-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/46 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体发光元件，包括：半导体衬底，其具有第一表面和朝向第一表面的相反侧的第二表面，该半导体衬底具有形成在第一表面中的凹进部分，并且该凹进部分具有V形横截面；形成在凹进部分的内表面上的反射层；形成在反射层上的第一电极；形成在第二表面上发光层，和形成在发光层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN1989630A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200680000332.3
申请日：2006-02-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00 , H01S5/042 , H01L21/285 , H01L29/45
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：p型氮化物半导体层(14)；以及p侧电极(18)，包括连接到所述氮化物半导体层(14)的表面的氧化钯膜(30)。
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