公开(公告)号：CN105940138B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201580006343.1

申请日：2015-01-07

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C23C14/04 ,  B23K26/38

Abstract: 本发明提供成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜。成膜掩膜的制造方法制造将设有预先决定的规定形状的开口图案(4)的树脂制的薄膜层(1)和设有能够包含上述开口图案(4)的大小的缝隙(7)的磁性金属材料层(2)相层叠的构造的成膜掩膜，上述开口图案(4)通过向薄膜层(1)的与上述缝隙(7)对应的部分从两面侧照射激光使上述薄膜层(2)贯通而形成。

公开(公告)号：CN104755648B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201380057122.8

申请日：2013-07-18

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C23C14/04

CPC classification number: B05B12/20 ,  B05C21/005 ,  B05D1/32 ,  C23C14/042 ,  C23C16/042 ,  H01L21/0332 ,  H01L51/001

Abstract: 本发明提供一种成膜掩膜，用于使蒸镀材料覆盖于基板上而形成薄膜图案，在该成膜掩膜中，具备：薄板状的磁性金属部件(1)，其在与上述薄膜图案相对应的位置设置有形状尺寸比该薄膜图案大的贯通孔(4)；和树脂制的薄膜(2)，其与上述磁性金属部件(1)的一个面紧贴而设置，且在上述贯通孔(4)内在与上述薄膜图案相对应的位置形成有形状尺寸与该薄膜图案相同的开口图案(5)，且可见光可透过薄膜(2)，上述开口图案(5)设置于开口图案形成区域(7)内，该开口图案形成区域(7)在上述贯通孔(4)内由上述磁性金属部件(1)的厚度与上述蒸镀材料相对于上述薄膜面的最大入射角度所决定的蒸镀的阴影的区域(6)所包围。

公开(公告)号：CN105209977B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201480026926.6

申请日：2014-04-23

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G03F7/207 ,  G01B11/14 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70725 ,  G03F7/70275 ,  G03F9/703

Abstract: 本发明提供一种曝光装置，该曝光装置(1)具备：支承部(2S、3S)，分别支承沿一轴方向厚度不均匀的基板(3)和掩模(2)；扫描曝光机构(10)，使配置于掩模(2)与基板(3)间的微透镜阵列(12)相对于基板(3)及掩模(2)进行相对移动，使掩模图的一部分成像于局部曝光区域(Ep)，并沿一轴方向扫描局部曝光区域(Ep)；掩模/基板间隔调整机构(20)，调整掩模(2)与基板(3)的间隔(s)；以及掩模/基板间隔测量机构(30)，在扫描局部曝光区域(Ep)之前，测量沿一轴方向的间隔(s)，所述曝光装置(1)根据掩模/基板间隔测量机构(30)的测量结果和扫描曝光机构(10)的扫描位置控制掩模/基板间隔调整机构(20)，使局部曝光区域(Ep)内的间隔(s)与微透镜阵列(12)的成像间隔相匹配。

公开(公告)号：CN104797733B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201380058995.0

申请日：2013-10-29

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C23C14/04

CPC classification number: C23C14/042 ,  B23K26/066 ,  C23C14/048 ,  C23C16/042

Abstract: 本发明包含如下阶段：形成掩模用构件(7)，掩模用构件(7)是形成有贯通孔的薄板状的磁性金属构件和树脂制膜紧贴而成的结构；对上述掩模用构件的上述贯通孔内的上述膜照射激光而形成一定深度的标记；以及以上述标记为基准对预定的位置照射激光而形成贯通上述膜的上述开口图案。

公开(公告)号：CN103270454B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201180053409.4

申请日：2011-08-16

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68

CPC classification number: G03F9/00 ,  G03B17/24 ,  G03B27/53 ,  G03B27/58 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/70791

Abstract: 在薄膜基材（20）的宽度方向的两侧的薄膜基材送给用区域的至少一个区域形成侧部曝光材料膜，通过定位标记形成部（14），照射曝光光来形成定位标记（2a），使用该定位标记（2a）检测薄膜弯曲行进，调整掩模（12）的位置。由此，将薄膜进行连续曝光时的定位标记的形成很容易，且高精度地修正薄膜的弯曲行进，能够得到能稳定地曝光的薄膜曝光装置以及薄膜曝光方法。

公开(公告)号：CN105612271A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480055662.7

申请日：2014-10-07

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 工藤修二 ,  斋藤雄二 ,  水村通伸

IPC: C23C14/04 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H05B33/10 ,  C23C14/042 ,  H01L51/0011

Abstract: 本发明涉及成膜掩膜及其制造方法。上述成膜掩膜通过具备掩膜板(1)和磁性金属构件的金属掩膜(2)而构成，其中，掩膜板(1)具备：树脂制的薄片(5)，其与被成膜在基板上的薄膜图案对应地形成多个开口图案(4)；以及磁性金属薄膜(7)，其在上述薄片(5)的一面(5a)被设置在形成了上述多个开口图案(4)的有效区域内，并在其上设置了内含上述多个开口图案(4)中的至少一个开口图案(4)的大小的贯通孔(6)，磁性金属构件的金属掩膜2在上述掩膜板(1)的上述磁性金属薄膜(7)侧与上述掩膜板1分离而独立地被设置，在其上形成了内含上述磁性金属薄膜(7)的大小的开口部(9)。

公开(公告)号：CN103052917B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201180040182.X

申请日：2011-07-22

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2002 ,  G03F7/201 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70358

Abstract: 本发明提供一种使用了微透镜阵列的扫描曝光装置，即使起因于曝光装置特性和温度条件等制造条件的变动而使得被曝光基板的大小产生变动，也能够使掩模图案的像对准规定位置。在扫描曝光装置中，多个微透镜阵列2在要曝光的基板1的上方排列在与扫描方向垂直的方向上并被支承基板支承。而且，各微透镜阵列以能够相对于其排列方向从平行于曝光基板的方向倾斜的方式被支承基板支承。这些微透镜阵列的倾斜角度构成为关于上述排列方向逐渐变大或变小。

公开(公告)号：CN105492650A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480046504.5

申请日：2014-08-18

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/40

CPC classification number: H01J37/34 ,  C23C14/042 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3467

Abstract: 本发明为一种溅射成膜装置，其对阴极电极施加高电压的阴极电压而在靶(10)与基板(12)之间生成等离子体，经由掩膜(11)在基板(12)成膜，该溅射成膜装置具备脉冲偏压电源(6)，其在向上述基板(12)的成膜过程中，能够对上述掩膜(11)施加脉冲状的负电压。由此，能够边成膜边进行掩膜的清洗。

公开(公告)号：CN105209976A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480027536.0

申请日：2014-06-16

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  畑中诚

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/7015 ,  G03F7/201 ,  G03F7/70275

Abstract: 本发明涉及通过利用微透镜阵列将掩模上的图案成像在基板上而曝光基板的曝光装置等，并使射出曝光光的照明单元小型化。微透镜阵列(30)具有包含朝向与移动方向(A)相交的方向的排列且以二维方式配置的多个微透镜(31)，照明单元具有：排列有多个激光二极管的LD阵列条；以及照明光学系统，其将从构成该LD阵列条的多个激光二极管射出的多个发出光转换成缝形状的曝光光束，并利用该曝光光束的曝光光(170)对排成一列的多个微透镜上进行照明，关于与移动方向相交的方向，该曝光光束以跨越在该方向上排列的多个微透镜的方式扩展，并且关于移动方向，该曝光光束被限制为不会波及排列于在该移动方向上相邻的列上的微透镜的宽度。

公开(公告)号：CN103262213B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201180059322.8

申请日：2011-11-22

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  斋藤雄二

IPC: B23K26/064 ,  B23K26/067 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67115 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0676 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/477

Abstract: 本发明涉及一种激光退火装置，向形成在TFT基板(10)上的非晶硅膜照射多个激光束(Lb)而进行退火处理，其具备：掩模(3)，其形成有与TFT基板(10)上的被退火区域的形状相似的形状的多个开口；微型透镜基板(4)，其经由形成在一面上的多个微型透镜使分别通过了掩模(3)的多个开口的多个激光束(Lb)会聚到TFT基板(10)上，从而向非晶硅膜施加一定的光能；一对引导件(25)，它们呈半圆柱状的形状，隔着微型透镜基板(4)以轴心大致平行的方式对置配置在微型透镜基板(4)的两缘部的位置，且顶部比微型透镜的顶部的位置向TFT基板(10)侧突出；薄膜(22)，其以能够移动的方式张设在一对引导件(25)间并使激光束(Lb)透过。由此，容易进行激光束的照射能量的维持管理，且能抑制照射图案的形状紊乱。