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公开(公告)号：CN1270946C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN01808784.1
申请日：2001-04-18
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 迈克尔·J·坦圭
CPC分类号： H01L21/6732 , C23C14/56 , C23C16/54 , H01L21/67326 , H01L21/67781 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 一种半导体基片加工系统，所述半导体基片加工系统包括可以布置进反应器中的单基片反应器和多晶片支座。所述系统在运行方面还包括自动基片传送组件(144)，所述的自动基片传送组件(144)包括操作杆阵列，用于把相应的多个晶片从反应器传送进和传送出，还包括多晶片盒(100)，用于向多个操作杆阵列同时地提供多个晶片。所述的多晶片改装使之易于把现有的单个晶片反应器升级，并且显示出提高反应器的生产能力，同时保留单个晶片反应器系统的膜均匀性和淀积加工控制上的优点。
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公开(公告)号：CN1816644A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480018752.5
申请日：2004-09-24
申请人： 霍尼韦尔国际公司
发明人： J·D·米泽
CPC分类号： C23C14/564 , B08B3/08 , B24C1/08 , B24C7/0046 , C23C14/56 , H01J9/50 , H01J37/321 , H01J37/32862 , H01J37/34 , H01J37/3405 , Y02W30/828
摘要： 一种经过使用的物理气相沉积部件的重新磨光方法包括提供在部件表面上具有沉积层的经过使用的物理气相沉积部件例如射频线圈(120)并且使用第一种含酸蚀刻剂对所述沉积层进行一次蚀刻。在所述一次蚀刻后，所述方法包括使磨料颗粒夹带在气体流中、使所述颗粒撞击所述蚀刻层并对所述蚀刻层进行磨蚀。在磨蚀后，所述方法包括使用第二种含酸蚀刻剂对所述磨蚀层进行二次蚀刻。
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公开(公告)号：CN1229660C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN02102697.1
申请日：2002-03-06
申请人： 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
IPC分类号： G02B6/124
CPC分类号： C23C14/3442 , C23C14/46 , C23C14/56 , G02B6/12009 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B2006/12038 , G02B2006/12061 , G02B2006/12176
摘要： 一种制造阵列波导光栅器件的方法及装置，是采用高密度等离子体技术，以消除传统加工方法如金属有机化学气相沉积(MOCVD)与等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)使用有毒的化学物质而产生的污染。
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公开(公告)号：CN1229513C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN00118721.X
申请日：2000-04-14
申请人： 应用菲林股份有限两合公司
IPC分类号： C23C14/00
CPC分类号： C23C14/56 , C03C17/002
摘要： 本发明涉及一种用于平基片的真空室，其内设有用于输送平基片的输送辊，所述输送辊的两端分别由一中间轴承(5)支撑，所述输送辊被设置在真空室的一底板的上方，其特征在于：在两外轴承(3)之间，输送辊(4)至少由一个所述中间轴承(5)辅助地支撑着，各中间轴承设置在一个支柱(8)上，该支柱密封地穿过真空室(2)的底板(1)上的一个通孔(10)，并支撑在底板(1)下面的一个支座(9)上。
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公开(公告)号：CN1681745A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821784.8
申请日：2003-09-13
申请人： 肖特股份公司
CPC分类号： G02B5/285 , C03C17/3417 , C03C2217/734 , C03C2218/156 , C03C2218/322 , C23C14/0078 , C23C14/022 , C23C14/34 , C23C14/56 , C23C28/042 , C23C28/42 , G02B1/105 , G02B1/14 , Y10T428/12576 , Y10T428/12611
摘要： 为制备具有功能层的基材，该基材具有高的光学性能和/或高的表面平滑度，特别是低的浊度和显著更低的粗糙度，本发明提供对基材涂敷至少一个功能层的溅射方法，其中涂敷功能层的溅射方法被中断至少一次并施加厚度小于20nm的夹层，本发明还涉及由该方法制备的涂敷的基材。
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公开(公告)号：CN1533347A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN01808784.1
申请日：2001-04-18
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 迈克尔·J·坦圭
CPC分类号： H01L21/6732 , C23C14/56 , C23C16/54 , H01L21/67326 , H01L21/67781 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 一种半导体基片加工系统，所述半导体基片加工系统包括可以布置进反应器中的单基片反应器和多晶片支座。所述系统在运行方面还包括自动基片传送组件(144)，所述的自动基片传送组件(144)包括操作杆阵列，用于把相应的多个晶片从反应器传送进和传送出，还包括多晶片盒(100)，用于向多个操作杆阵列同时地提供多个晶片。所述的多晶片改装使之易于把现有的单个晶片反应器升级，并且显示出提高反应器的生产能力，同时保留单个晶片反应器系统的膜均匀性和淀积加工控制上的优点。
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公开(公告)号：CN1495285A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03140988.1
申请日：2003-05-23
申请人： 肖特·格拉斯公司
发明人： 格雷戈尔·阿诺尔德 , 斯特凡·贝勒 , 安德烈亚斯·吕特林豪斯-亨克尔 , 马蒂亚斯·比克尔
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： C23C16/4409 , B05D1/62 , B08B7/00 , B08B9/426 , B29C49/421 , B29C2049/4221 , B29C2791/001 , B65D23/02 , B65G29/00 , B65G2201/0244 , C03C17/004 , C03C17/005 , C08J9/0004 , C08J2300/14 , C23C14/046 , C23C14/505 , C23C14/56 , C23C16/045 , C23C16/401 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/511 , C23C16/54 , H01J37/32733
摘要： 为了经济有效地进行长时间的化学气相沉积涂料，本发明提供了一种化学气相沉积涂料设备，该设备包括一个传送装置；至少一个用于涂料工件的涂料站；至少一个抽空装置以及一个用来至少在涂料站的一个子区域内形成等离子体的装置；在该设备中，该至少的一个涂料站内至少能接收两个工件。
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公开(公告)号：CN1428817A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02154229.5
申请日：2002-12-12
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： C23C14/5806 , B05D1/60 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/56 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C16/45514 , H01L51/001 , H01L51/5008 , H01L51/56 , Y10S438/905
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够形成高密度和高纯度EL层的膜形成装置和清洁方法。本发明为通过加热衬底的加热装置加热衬底10、借助连接到膜形成室的减压装置(如涡轮分子泵、干泵、低温抽气泵等的真空泵)将膜形成室的压力减小到5×10－3乇(0.665Pa)或以下，优选减小到1×10－3乇(0.133Pa)或以下并通过从淀积源淀积有机化合物材料进行膜形成，形成高密度EL层。在膜形成室中，通过等离子体进行淀积掩膜的清洁。
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公开(公告)号：CN1316543A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN01111885.7
申请日：2001-03-23
申请人： 株式会社小糸制作所
发明人： 稻叶辉明
CPC分类号： G02B5/0866 , C23C14/205 , C23C14/56 , F21S41/37 , F21V7/22 , G02B1/105 , G02B1/111 , G02B1/14 , Y10T428/12028
摘要： 一种线型薄膜成形方法，用于在多个合成树脂基材料上依次形成铝金属化薄膜和硅酮等离子体聚合保护性薄膜。这些薄膜通过使容纳合成树脂基材料的壳体连续通过铝金属化腔室和等离子体聚合薄膜成形腔室而形成，从而形成可以安在放电前灯中的反射器。
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公开(公告)号：CN106661725B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201480079978.X
申请日：2014-06-12
申请人： 深圳市大富精工有限公司
摘要： 本发明公开了一种真空镀膜设备，该真空镀膜设备包括气相沉积室、支架以及与支架连接的磁性转动组件，支架设置于气相沉积室内且用于放置待镀膜工件，磁性转动组件包括设置于气相沉积室外侧的第一旋转磁体以及设置于气相沉积室内侧的第二旋转磁体，第一旋转磁体与所述第二旋转磁体磁性耦合，第一旋转磁体在同步电机带动下转动，并能够带动第二旋转磁体转动，进而带动支架转动。通过这样的设计，能够避免漏气现象，而且能够对待镀膜工件进行批量真空纳米镀膜，有效提高待镀膜工件真空纳米镀膜的效率以及镀膜效果。
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