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公开(公告)号：CN104050977B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201410088312.2
申请日：2014-03-11
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/23
CPC分类号： G11B5/235 , G11B5/1278 , G11B5/187 , G11B5/23 , G11B5/232 , G11B5/3116 , G11B5/3143 , G11B5/3163 , G11B5/332 , G11B5/6082 , Y10T428/115 , Y10T428/1193
摘要： 根据一个实施例，可配置一种装置，该装置包括：磁性材料的主极层；第二磁性材料层；设置在主极层和第二磁性材料层之间的第一非磁性材料间隙层；设置在主极层和第二磁性材料层之间的第二非磁性材料间隙层，其中第二非磁性材料间隙层直接毗邻第二磁性材料层设置。根据一个实施例，这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例，这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例，也可利用制造该设备的方法。
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公开(公告)号：CN107886971A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710441449.5
申请日：2017-06-13
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 一种诸如PCB连接器的电馈通件，包括连接器部分，该连接器部分包含外壳，第一和第二定位凸缘从该外壳的相对端延伸。一种数据存储装置包含壳体基座，电馈通件与该壳体基座耦合，其中基座包括：环形凹陷表面，其围绕被电馈通件包围的孔口；以及第一和第二凹陷定位表面，其在从环形凹陷表面的相应的纵向端向外的方向上延伸，其中凹陷定位表面中的每个都具有从其垂直地延伸的对应的壁。在组装时，电馈通件的每个定位凸缘与基座的对应的凹陷定位表面机械地配合，使得电馈通件的位置由每个凹陷定位表面的壁约束。
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公开(公告)号：CN103578485B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310293831.8
申请日：2013-07-12
申请人： 希捷科技有限公司
发明人： M·T·约翰逊 , M·C·艾纳亚杜弗瑞斯恩 , 郑譞 , D·刘
IPC分类号： G11B5/23
CPC分类号： G11B5/607 , G11B5/6076
摘要： 本发明公开了利用第一和第二电阻式传感器偏置电平检测头盘接触和/或间隙。将偏置信号施加至靠近磁传感器的磁介质读取表面定位的电阻式热传感器。偏置信号在第一和第二偏置电平之间被调制。测量对应于第一和第二偏置电平的电阻式热传感器的第一和第二电阻。基于由随着磁头更靠近介质在磁传感器与介质之间的热导率的增加引起的第一和第二电阻之间的差异，确定磁传感器与介质之间的间距和接触中的至少一个。
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公开(公告)号：CN102354503B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201110148873.3
申请日：2011-05-27
申请人： 西部数据(弗里蒙特)公司
CPC分类号： G11B13/04 , B24B37/013 , G11B5/314 , G11B5/3169 , G11B2005/001 , G11B2005/0021 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要： 本发明关于制造具有气垫面(ABS)的换能器的方法和系统。所述方法和系统包括提供至少一个近场换能器(NFT)膜和提供与至少一个NFT膜的一部分大致共面的电子研磨引导(ELG)膜。所述方法和系统还包括从至少一个NFT膜的一部分限定NFT的盘片部分和从ELG膜限定至少一个ELG。盘片部分对应于NFT离ABS位置的临界尺寸。所述方法和系统还包括研磨至少一个换能器。研磨基于来自ELG的信号终止。
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公开(公告)号：CN103544965A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310284501.2
申请日：2013-07-08
申请人： 希捷科技有限公司
发明人： R·A·巴德
IPC分类号： G11B5/23
CPC分类号： G11B5/607 , G11B5/6076
摘要： 本发明公开了利用温度传感器的频域特征确定头－盘接触和/或间距。将高频、经AC调制的加热器电流施加至磁头的加热器。确定位于接近磁介质的区域处的温度传感器的电阻变化。电阻变化响应于加热器电流而产生。基于电阻变化的频域特征确定磁头与磁介质之间的间距和接触中的至少一个。
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公开(公告)号：CN102280110A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110126734.0
申请日：2011-05-11
申请人： 西部数据(弗里蒙特)公司
CPC分类号： G11B5/1272 , G11B5/1278 , G11B5/1878 , G11B5/3116 , G11B5/315 , G11B5/3163 , Y10T29/49041 , Y10T29/49046 , Y10T29/49052
摘要： 本发明涉及使用低能量研磨提供垂直磁记录换能器的方法和系统。描述一种磁换能器的制造方法和系统。该方法和系统包括提供具有底部和比底部宽的顶部的主磁极。该方法和系统还包括在与所述主磁极的顶部的法线形成的角度以第一能量进行高能离子研磨。高能离子研磨去除主磁极的顶部的一部分并且从主磁极露出顶部斜角表面。该方法和系统还包括在与所述顶部斜角表面形成的掠射角以第二能量进行低能离子研磨。掠射角度不大于十五度。第二能量低于第一能量。该方法和系统还包括沉积非磁性间隙。
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公开(公告)号：CN100346393C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410100355.4
申请日：2004-12-09
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 阿普里尔·D·希克森-戈德史密斯 , 杰弗里·S·利勒
CPC分类号： G11B5/235 , G11B5/187 , G11B5/3116 , G11B5/313 , Y10T29/49046
摘要： 本发明公开了一种磁头，包括第一和第二磁极，且写入间隙层置于二者之间。在第一实施例中，写入间隙层包括非磁性、不导电第一次层，该第一次层优选由Ta或Ti构成，其淀积在第一磁极上以作用为粘结层。写入间隙层还包括第二次层，该第二次层由非磁性、导电材料形成，该材料优选由Rh或Ru构成。P2极尖在第二次层上电镀，其中，导电的第二次层用于导通电镀电流。在另一实施例中，写入间隙层包括第三次层，该第三次层在活性离子蚀刻(RIE)过程中可蚀刻，并且形成在第一和第二次层之间。第三次层优选由Ta或Ti构成。
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公开(公告)号：CN1262997C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200310102614.2
申请日：2003-10-27
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 任暎勋
CPC分类号： G11B5/245 , G11B5/012 , G11B5/02 , G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/23 , G11B5/3153 , G11B2005/0013
摘要： 一磁记录头包括一端分成彼此面对的两部分其间具有一个预定的间隙的头部体，第一和第二磁极放置在所述头部体的所述两部分上以形成一个磁通路并且其间具有一个间隙地彼此互相面对，一个插在所述第一和第二磁极之间的磁性各相异性介质。进入所述预定间隙内的一个磁场减小而使得所述磁场被引导进入预定的磁记录方向。
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公开(公告)号：CN1728238A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510082230.8
申请日：2005-07-01
申请人： 阿尔卑斯电气株式会社
发明人： 秋山透
摘要： 本发明提供一种磁头，特别设有相对于支架的基准位置不仅限制磁芯的高度尺寸、还限制上述壳体的高度尺寸的定位机构，能够使研磨工序中的上述壳体的研磨量比以往减少。当以支架(24)的预定部位作为基准位置(C)时，在上述支架(24)上设有定位机构，该定位机构限制从上述基准位置(C)到上述壳体(20)和磁芯(13)、(14)的各自在滑动面的高度方向的尺寸。即，用支架基准定位上述壳体和磁芯的两者的高度尺寸，因此，组装时，在各产品之间抑制上述壳体的高度尺寸的偏差，其结果，可以在研磨滑动面的最后工序中，比以往减少削去上述壳体的滑动面的量。
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公开(公告)号：CN1190776C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN01111867.9
申请日：2001-03-22
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G11B5/3925 , G11B5/00 , G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B2005/0002 , G11B2005/0021 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49055 , Y10T29/49067
摘要： 在此提供一种即使在较短磁通路长度和较短波长信号的情况下也能够有效执行磁头的记录或再现操作的磁头。该磁头包括：一对软磁性材料的磁质部分，每个磁质部分的主平面作为一个与记录介质相对的表面；以及位于该对磁质部分之间的一个磁隙，其被形成使得在主平面的相对侧上的该对磁质部分之间的距离大于在主平面上的该对磁质部分之间的距离，并且该对磁质部分之间的距离从主平面一侧到主平面的相对侧连续变化。
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