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公开(公告)号：CN101138047A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200580045171.5
申请日：2005-12-16
申请人： 桑迪士克3D公司
IPC分类号： G11C5/06
CPC分类号： G11C8/10 , G11C16/08 , Y10T29/49002
摘要： 一种包括耦合到存储器单元的第一类型和第二类型阵列线的存储器阵列包含第一分层解码器电路，所述第一分层解码器电路用于解码地址信息和选择一个或一个以上所述第一类型阵列线。所述第一分层解码器电路包含至少两个分层级的多头解码器电路。所述第一分层解码器电路可包含：第一级解码器电路，其用于解码多个地址信号输入和产生多个第一级经解码的输出；多个第二级多头解码器电路，每一相应的第二级多头解码器电路耦合到相应的第一级经解码的输出，每一第二级多头解码器电路用于提供相应的多个第二级经解码的输出；和多个第三级多头解码器电路，每一相应的第三级多头解码器电路耦合到相应的第二级经解码的输出，每一第三级多头解码器电路用于提供耦合到所述存储器阵列的相应多个第三级经解码的输出。
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公开(公告)号：CN1906700A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200480040896.0
申请日：2004-12-02
申请人： 桑迪士克3D公司
发明人： 陈恩星 , 安德鲁·J·沃克 , 罗伊·E·朔伊尔莱因 , 苏切塔·纳拉姆莫图 , 阿尔佩尔·伊尔克巴哈尔 , 卢卡·G·法索利 , 詹姆斯·M·克里夫斯
IPC分类号： G11C16/04
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C8/08 , G11C16/08 , G11C16/3418 , G11C16/3427
摘要： 本发明揭示一种实例性的NAND串存储阵列，其可实现对半选存储单元沟道的容性升压以减轻所述半选单元的编程扰动影响。为减轻泄漏电流使所述升高的电平降低的影响，对于未选定NAND串的及所选定的NAND串二者而言，每一NAND串的一端或两端处的多个串联选择装置均使经过这些选择装置的泄漏降低。一实例性存储阵列包括由具有一电荷存储介电层的存储单元晶体管构成的串联连接的NAND串，并包括形成于一衬底上的多于一个存储单元平面。
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公开(公告)号：CN102804277B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201080027431.7
申请日：2010-06-08
申请人： 桑迪士克3D公司
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C7/00 , G11C8/12 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0076 , G11C2013/0088 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72
摘要： 本发明描述了使用可逆电阻切换元件的存储系统以及该存储系统的操作方法。本发明公开了用于改变编程条件以考虑到存储器单元具有的不同电阻的技术。这些技术能够以更少的尝试对存储器单元编程，这能够节省时间和/或功率。本文公开了用于获得高编程带宽同时减小最差情况电流和/或功率消耗的技术。在一个实施例中，提供了页面映射方案，该页面映射方案以减小最差情况电流和/或功率消耗的方式对多个存储器单元并行编程。
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公开(公告)号：CN102612748B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201080040859.5
申请日：2010-07-13
申请人： 桑迪士克3D公司
CPC分类号： H01L27/1021 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/149 , H01L45/16
摘要： 一种制造半导体器件的方法，其包括：在底层之上形成包括籽晶材料的第一层；在第一层之上形成包括牺牲材料的第二层，牺牲材料不同于籽晶材料；将第一层和第二层图形化为多个分离的特征部；在多个分离的特征部之间形成绝缘填充材料；从分离的特征部中去除牺牲材料，从而在绝缘填充材料中形成多个开口，使得籽晶材料暴露于多个开口中；以及在多个开口中暴露的籽晶材料上生长半导体材料。
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公开(公告)号：CN102077293B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN200980124527.2
申请日：2009-06-26
申请人： 桑迪士克3D公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C16/3481 , G11C2013/0066 , G11C2213/32 , G11C2213/72
摘要： 一种存储器系统，包括：基底；在基底上的控制电路；包括多个具有可逆电阻切换元件的存储器单元的三维存储器阵列(在基底之上)；以及用于检测可逆电阻切换元件的设置和复位的电路。
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公开(公告)号：CN101553925B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200780042606.X
申请日：2007-11-13
申请人： 桑迪士克3D公司
发明人： S·布拉德·赫纳
IPC分类号： H01L27/102
CPC分类号： H01L27/1021
摘要： 本发明描述一种用于形成具有减小的编程电压的非易失性一次性可编程存储器单元的方法。将相连式p-i-n二极管与介电破裂反熔丝配成对，所述介电破裂反熔丝由具有大于约8的介电常数的高介电常数材料形成。在优选实施例中，通过原子层沉积形成所述高介电常数材料。所述二极管优选地由与硅化物接触而结晶的沉积的低缺陷半导体材料形成。可在晶片衬底上方的经堆叠存储器层级中形成此类单元的单片三维存储器阵列。
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公开(公告)号：CN101924541B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010221360.6
申请日：2006-03-31
申请人： 桑迪士克3D公司
IPC分类号： H03K17/22
CPC分类号： H03K5/153 , H03K17/145 , H03K17/223
摘要： 本发明阐述用于提供自适应跳闸点检测器电路的设备和方法，所述自适应跳闸点检测器电路在输入信号节点处接收输入信号且在输出信号节点处产生输出信号，当所述输入信号超出跳闸点参考值时，所述输出信号从第一值改变至第二值。特定而言，调节所述跳闸点参考值以补偿工艺或温度的变化，而不需要外部供应的参考信号。
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公开(公告)号：CN102201254B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110073431.7
申请日：2005-12-16
申请人： 桑迪士克3D公司
IPC分类号： G11C5/06
CPC分类号： G11C8/10 , G11C16/08 , Y10T29/49002
摘要： 本申请涉及用于解码存储器阵列和制造包含存储器阵列的产品的方法。一种包括耦合到存储器单元的第一类型和第二类型阵列线的存储器阵列包含第一分层解码器电路，所述第一分层解码器电路用于解码地址信息和选择一个或一个以上所述第一类型阵列线。所述第一分层解码器电路包含至少两个分层级的多头解码器电路。所述第一分层解码器电路可包含：第一级解码器电路，其用于解码多个地址信号输入和产生多个第一级经解码的输出；多个第二级多头解码器电路，每一相应的第二级多头解码器电路耦合到相应的第一级经解码的输出，每一第二级多头解码器电路用于提供相应的多个第二级经解码的输出；和多个第三级多头解码器电路，每一相应的第三级多头解码器电路耦合到相应的第二级经解码的输出，每一第三级多头解码器电路用于提供耦合到所述存储器阵列的相应多个第三级经解码的输出。
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公开(公告)号：CN101506898B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200780031665.7
申请日：2007-07-31
申请人： 桑迪士克3D公司
发明人： 卢卡·G·法索利 , 克里斯托弗·J·佩蒂 , 罗伊·E·朔伊尔莱因
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： G11C8/14
摘要： 本发明描述用于对可编程且在一些实施例中可重写的无源元件存储器单元的示范性存储器阵列进行解码的电路和方法，所述电路和方法尤其对具有一个以上存储器平面的极为密集的三维存储器阵列有用。另外，本发明描述用于选择此存储器阵列的一个或一个以上阵列区块、用于选择选定阵列区块内的一个或一个以上字线和位线、用于向选定阵列区块内的选定存储器单元传递数据信息和从其传递数据信息以及用于向未选定阵列区块传递未选定偏置条件的电路和方法。
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公开(公告)号：CN101720508B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880022667.4
申请日：2008-06-27
申请人： 桑迪士克3D公司
IPC分类号： H01L27/102 , H01L21/822 , H01L27/06 , H01L27/24 , H01L45/00 , H01L27/10
CPC分类号： H01L27/102 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/24
摘要： 提供了一种形成存储器单元的方法，包括：(1)在衬底上方形成第一导体(206)；(2)利用选择性生长工艺在第一导体上方形成可逆电阻切换元件；(3)在第一导体上方形成二极管(204)；以及(4)在二极管和可逆电阻切换元件上方形成第二导体(208)以获得交叉点存储器件。切换元件也可以通过一个TFT控向。切换元件包含难以刻蚀的材料如TiO2，并且该切换元件不是通过刻蚀该材料形成的，而是通过氧化其它的材料如Ti或者TiN形成的。
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