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公开(公告)号：CN112557343B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202011367161.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法，系统包括光生电流瞬态谱装置，能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数，进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影响效应。系统基于光生电流瞬态谱测试方法，配备低温微电流输运恒温台，并利用LABVIEW等编程软件自主编制相应的接口程序、测量和数据采集处理程序，构建了计算机控制的光生电流瞬态谱测试平台，实现了半导体深能级缺陷表征功能。系统集成了低温光电导测试功能和可获取载流子俘获特性来分析缺陷行为功能。为研究半导体材料内部复杂的深能级缺陷及其对器件电学性能的影响机制提供关键可靠的表征手段。
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公开(公告)号：CN115896697A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211379414.0
申请日：2022-11-04
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3薄膜禁带宽度调控的工艺方法，采用共溅射法，选择合适的掺杂剂，实现了Ga2O3薄膜禁带宽度的可控调节。将Ga2O3和作为掺杂剂的ZnO、B2O3、In2O3或Al2O3靶材分别置于射频靶位上，利用磁控共溅射的方法得到掺杂的Ga2O3薄膜，从而调控Ga2O3薄膜禁带宽度。改变Ga2O3薄膜中掺入的元素种类可控制其禁带宽度调控的方向。改变靶的溅射功率，可以控制Ga2O3薄膜中元素掺入的量，从而控制Ga2O3薄膜禁带宽度改变的大小。再将所得的Ga2O3薄膜进行退火处理，使其结构更加均匀致密。本禁带宽度调控方法操作简单、成本较低、效果显著。本发明得到的不同禁带宽度的Ga2O3薄膜，能够更好地应用在紫外探测、发光器件、太阳能电池等领域。
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公开(公告)号：CN113504268A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110647239.8
申请日：2021-06-10
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了一种用于卤化物钙钛矿器件的系统级电学性能测试装置，提供真空测试条件，提供不同温度测试条件，减少器件的拆取，减少夹具对器件的损失，将测试系统与数据采集进行自动化处理。所述测试装置包括真空装置、夹具装置、测试仪器、控制程序。所述测试凹台由塑料材质与金属外壳进行绝缘处理，测试台上方铜制平台及上方铜制弹片通过铜丝导线与电学测试接口连接。本发明构建了一套完整的电学测试系统，解决了钙钛矿材料测试引起的材料水解、材料水氧反应等引起的测试不稳定问题，实现了低温下和变温条件下的电学测试，实现了电学测试金属屏蔽，实现了程序自动化测试，提高了电学测试的准确性。
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公开(公告)号：CN112926280A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110114675.9
申请日：2021-01-27
Applicant: 上海大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于MATLAB的核脉冲信号的仿真与测试方法。其中，仿真和测试包括如下步骤：(1)仿真核辐射探测器的信号特征；(2)仿真前置放大器的输出信号；(3)仿真主放大器的输出信号；(4)设计梯形滤波成形算法；(5)对实际核脉冲信号进行测试，与仿真结果比对，采用本申请的仿真与测试方法，其仿真结果与实际的信号能够达到基本一致，为仿核脉冲信号发生器的研究打下基础。
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公开(公告)号：CN112557343A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011367161.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法，系统包括光生电流瞬态谱装置，能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数，进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影响效应。系统基于光生电流瞬态谱测试方法，配备低温微电流输运恒温台，并利用LABVIEW等编程软件自主编制相应的接口程序、测量和数据采集处理程序，构建了计算机控制的光生电流瞬态谱测试平台，实现了半导体深能级缺陷表征功能。系统集成了低温光电导测试功能和可获取载流子俘获特性来分析缺陷行为功能。为研究半导体材料内部复杂的深能级缺陷及其对器件电学性能的影响机制提供关键可靠的表征手段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112349797A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011093126.X
申请日：2020-10-13
IPC: H01L31/0336 , H01L31/119 , H01L31/18 , G01T1/24
Abstract: 一种碲锌镉探测器的器件结构，包括有：由CZT及Si构成的复合晶体；设于复合晶体两端的电极及设于复合晶体侧壁的弗里希栅极；一种碲锌镉探测器的制备工艺，针对此结构的探测器进行。形成依次的：硅片预处理、碲锌镉表面处理、单晶硅与碲锌镉进行低温键合、电极制备、表面钝化、弗里希栅制备工序。本发明的一种碲锌镉探测器的器件结构及其制备工艺，从结构本身的设置及工艺方面，在着重探测器的探测效率及能量分辨率基础上，兼顾考量漏电流问题及键合问题，最终形成漏电流小、系统的信噪比高、构成探测器的复合晶体内部键合强度高的一种高探测效率及高能量分辨率的探测器。
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公开(公告)号：CN112103350A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010835636.3
申请日：2020-08-19
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有复合钝化层的CZT膜复合材料、核辐射探测器件及其制备方法，属半导体探测材料制造技术领域。本方法是先通过近空升华法在导电玻璃衬底上沉积碲锌镉膜，在进行抛光和腐蚀之后，再在碲锌镉膜上通过磁控溅射方法依此沉积碲化镉、硫化锌的复合钝化层。之后在N2氛围下进行退火。经过光刻和干法刻蚀后，使用电子束蒸发方法继续在膜上上沉积金电极。钝化层的存在使得抛光、腐蚀后的碲锌镉膜表面受到良好的保护，碲锌镉膜表面漏电流减小，从而改善碲锌镉探测器的性能，本发明制备的薄膜材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
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公开(公告)号：CN111883619A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010771843.7
申请日：2020-08-04
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/08 , C30B33/10
Abstract: 一种核辐射探测器用电极的构成及晶体的制备方法，采用移动加热器法完成晶体的生长，依次包括由生长炉温度场分布的设定、各组分化学计量比的配比完成、合料形成多晶料锭、建立回溶控制步序、单晶晶片的切割制成、制备电极阴阳极面的区分、晶体表面处理、电极制备、钝化处理构成的工序。本发明的一种核辐射探测器用电极的构成及晶体的制备方法，通过上述步序形成的晶体生长控制与电极结构设置，完成了具有载流子迁移率高、表面光滑、成分均匀的晶体及高质量的欧姆接触特性的探测器用复合电极的制备，为探测器的优秀能谱响应提供了保障。
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公开(公告)号：CN108615786B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810538191.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/119 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法，在碲锌镉衬底上形成辐射敏感场效应晶体管，该器件的栅极绝缘层为高阻碲锌镉薄膜，加强了探测器对于高能射线的捕获能力和灵敏度。低阻碲锌镉衬底作为沟道层，与绝缘层晶格常数匹配，增加了器件的稳定性。对于低阻碲锌镉衬底进行离子注入工艺，引入高浓度的杂质陷阱，可以有效调节器件的阈值电压，减小源漏接触电阻，增加器件灵敏度。该RadFET结构探测器工艺简单，对于碲锌镉晶体要求较低，适用于辐射剂量的探测，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110299287A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910547459.6
申请日：2019-06-24
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/463 , H01L21/465 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉薄膜的表面抛光工艺方法，所述CdZnTe薄膜表面进行机械抛光和化学抛光，即依次进行使用Al2O3抛光粉的物理机械抛光和使用溴甲醇溶液的化学腐蚀抛光。相比于未经表面处理的CdZnTe薄膜，本发明所采用的表面处理得到的CdZnTe薄膜表面缺陷和杂质更少，表面粗糙度更小，薄膜表面质量更好。本发明制备的薄膜材料对于射线探测、辐射探测、天体物理、国防安保以及医疗检测等方面具有重要意义和应用前景。
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