公开(公告)号：CN100397651C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610023694.6

申请日：2006-01-26

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 孙佳胤 ,  陈静 ,  王曦

IPC分类号： H01L27/12

摘要： 本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料，其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅——绝缘埋层——单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成独立的硅岛且硅岛下面保留一部分的绝缘埋层；硅岛各平行边之间的垂直距离小于外延氮化镓厚度的两倍；硅岛下面绝缘埋层剩余部分的截面积S2小于硅岛面积S1/4，而大于S1/25；本发明的图形化衬底材料具有大尺寸、低成本优点，可提高吸收异质外延的应力，提高外延生长的GaN晶体的质量。

公开(公告)号：CN101005110A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710036455.9

申请日：2007-01-12

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 欧欣 ,  王曦 ,  陈静 ,  孙佳胤 ,  武爱民

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 本发明涉及一种采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法。本发明采用扩散键合形式的金属键合工艺使在蓝宝石上生长制作的氮化镓发光二极管键合到低阻硅片上并实现欧姆接触。本发明通过采用扩散键合形式的金属键合工艺实现硅基氮化镓发光二极管的制作，具有键合工艺稳定、器件良率高、面积小且充分利用发光层的材料、衬底导电且导热性好的优点。

公开(公告)号：CN1261974C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN03151253.4

申请日：2003-09-26

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 董业民 ,  王曦 ,  陈猛 ,  陈静

IPC分类号： H01L21/00

摘要： 本发明涉及了一种采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法，属于微电子技术领域，依次包括纳米侧墙的生成，以侧墙为掩模刻蚀出阻挡离子注入的掩模，离子注入和高温退火等步骤，其特征在于：(1)采用常规工艺形成纳米侧墙，其厚度为30～100nm；(2)以侧墙为掩模刻蚀下层薄膜形成阻挡离子注入的掩模，厚度为100～800nm；(3)注入离子的能量为20～200keV，相应的剂量为1.0～7.0×1017cm-2，衬底温度为400～700℃；(4)退火温度为1200～1375℃，退火时间为1～24个小时，退火气氛为Ar与O2的混合气体，其中O2的含量为0.1%～20%。采用本发明的方法可以在不用电子束曝光的条件下制备在埋氧中有纳米硅通道的SOI材料，可以在CMOS和MEMS工艺中得到应用。

公开(公告)号：CN1779989A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510029987.0

申请日：2005-09-23

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 张恩霞 ,  张正选 ,  王曦 ,  陈静 ,  孙佳胤

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及抗辐射加固的特殊体接触的SOIMOSFET及源漏极的注入方法。其特征在于在绝缘体上硅场效应晶体管结构中，源和漏的结深不同，漏极深度与顶层硅膜厚度一致，源极的结深小于顶层硅膜的厚度，体从源极下面与器件末端的体接触相连；对于n型金属氧化物半导体场效应晶体管与源极相邻的是重掺杂p型区域，用作体接触；且源、漏极分步注入形成。在浅源极下面引入重掺杂的体接触，这种体接触结构能够大幅度地减少辐射引起的背沟漏电流，因此具有抗总剂量辐射的优越性能，而且不用特殊制备氧化埋层，适用于商业化生产。

公开(公告)号：CN1687800A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN200510025136.9

申请日：2005-04-15

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 孙佳胤 ,  张正选 ,  王曦 ,  林成鲁 ,  陈静 ,  张恩霞

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/27

摘要： 本发明提供一种绝缘体上硅(SOI)的电学参数的表征方法，属于微电子与固体电子学、硅基集成光电子器件材料的一种表征方法。其特征在于所述的方法以四探针测试平台为基础，附加导电样品台，搭建起一套赝MOS(Metal－Oxide－Semiconductor：金属－氧化物－半导体)系统，采用类似于MOSFET的分析手段表征绝缘体上的硅材料的埋层氧化物电荷密度，界面态密度等电学参数。具有简便易行、成本低、测试过程迅速等优点，可以作为SOI材料规模化生产的在线表征方法。

公开(公告)号：CN1431717A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN03115425.5

申请日：2003-02-14

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 董业民 ,  王曦 ,  陈猛 ,  陈静 ,  王湘

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

摘要： 本发明提出了一种降低全耗尽绝缘体上的硅(SOI)金属－氧化物－半导体场效应晶体管(MOSFET)源漏串联电阻的新结构，其特征在于源漏区的顶层硅比沟道区的顶层硅厚，从而有效地降低了源漏串联电阻；同时，源漏区和沟道区的表面在同一平面上。这种降低全耗尽SOI MOSFET源漏串联电阻的新结构是采用图形化注氧隔离(SIMOX)技术来实现的。方法之一是通过控制不同区域埋氧的深度使SOI MOSTET源漏区的顶层硅比沟道区的顶层硅厚；方法之二是通过控制不同区域埋氧的厚度使SOI MOSTET源漏区的顶层硅比沟道区的顶层硅厚。源漏区的顶层硅比沟道区的顶层硅厚30～100nm，可以有效地降低源漏串联电阻。

公开(公告)号：CN118939103A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410891649.0

申请日：2024-07-04

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  张江国家实验室

发明人： 陈静 ,  赵瑞勇 ,  肖寒 ,  刘玉兰 ,  刘源祯

IPC分类号： G06F1/3287 ,  G06F9/4401 ,  G06F15/78 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06

摘要： 本发明提供了一种实现模拟存算一体SRAM低功耗工作的电路，包括：SRAM存储单元；动态模拟乘积累加运算单元，与SRAM存储单元存储数位的端口连接，并包括特征数据输入端口和运算使能信号输入端口；特征数据输入端口用于接收来自外部输入或前级处理的二值化特征数据；运算使能信号输入端口控制该单动态比特乘法运算是否执行的动态信号接口；动态模拟乘积累加运算单元被配置为在存储模式下关闭，在计算模式下将二值化特征数据与从SRAM存储单元中获得的存储数位做乘法运算并将结果输出。本发明通过一种采用单元内电流隔离机制的存算一体11T SRAM单元和SRAM阵列的可编程区块休眠策略，实现低功耗的模拟存算一体SRAM。本发明设计一个存算一体SRAM单元，用于降低存算一体SRAM进行存内计算工作时的功耗，并实现可编程的SRAM区块休眠，达到更高的能效比，进而提高芯片效率。

公开(公告)号：CN112819148B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202011638759.4

申请日：2020-12-31

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海华力微电子有限公司

发明人： 王青 ,  陈静 ,  吕迎欢 ,  谢甜甜 ,  赵瑞勇

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06N3/063

摘要： 本发明提供了一种基于浮栅晶体管的脉冲神经元网络，包括多节点输入单元和脉冲产生单元：所述多节点输入单元包括一多输入端浮栅晶体管，多输入端浮栅晶体管的多个栅极输入端分别连接外部的多个仿生传感器输入信号，源极接地，漏极接脉冲产生单元的正极；脉冲产生单元包括一Mott忆阻器，Mott忆阻器的负极连接工作电压，正极连接晶体管的漏极，并作为所述脉冲神经元网络的脉冲输出端。本发明给出了一种全新的电子传入神经元实现架构。该架构面向硬件神经形态脉冲神经网络的应用，实现了模拟信号到脉冲信号的转换，具有结构简单、功能多、功耗低等优点，更加适应于脉冲神经网络。

公开(公告)号：CN118412023A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410669749.9

申请日：2024-05-27

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海华力集成电路制造有限公司

发明人： 陈静 ,  肖寒 ,  赵瑞勇 ,  刘玉兰 ,  刘源祯 ,  曹永峰 ,  黄冠群 ,  邵华

IPC分类号： G11C11/412 ,  G11C11/419 ,  G11C7/18 ,  G11C7/12 ,  G11C7/10 ,  G11C5/06

摘要： 本发明公开了一种存算一体单元结构，包括：SRAM存储单元和功能切换单元。功能切换单元包括：连接在两位线之间的第一和第二存储数据控制管，串联中间节点和第二行信号线之间的行和列信号控制管，4个控制管的栅极连接分别连接第一和第二存储节点以及第一行信号线和列信号线。行和列信号控制管截止时为存储器配置状态。多布尔逻辑运算器配置状态在预充放状态下，行信号控制管截止，列信号控制管导通，第一和第二位线的电平相同且和第二行信号线的电平相反；在运算状态下，进行运算的两行单元的行信号控制管导通，两条位线上分别输出两行存储信号的第一和第二逻辑运算结果。本发明能实现存储、多布尔逻辑运算，还能实现CAM搜索功能。

公开(公告)号：CN112765922B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202011639121.2

申请日：2020-12-31

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海华力微电子有限公司

发明人： 陈静 ,  谢甜甜 ,  王青 ,  吕迎欢 ,  葛浩

IPC分类号： G06F30/367

摘要： 本发明提供了一种采用SOI衬底的射频晶体管的仿真模型，包括：核心器件，所述核心器件为一晶体管，包括源极、漏极、正栅、以及SOI衬底的背栅；所述核心器件的外围电路包括：栅极电阻、栅极到接触孔的电阻、源极和漏极电阻、栅极到源极的边缘电容、栅极到源极的寄生电容、栅极到漏极的边缘电容、栅极到漏极的寄生电容、埋层氧化物层电容、源端下方的埋层氧化物电容、漏端下面的埋层氧化物电容、埋层氧化物下方的阱区域的分布式电阻、衬底部分的电阻和电容、以及背栅电阻。本发明综合考虑了FDSOI衬底的特点，重新设计了一套更适合射频FDSOI领域的合适的器件模型，对比结果显示其于测试值高度吻合。