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公开(公告)号：CN116352210B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202310479228.2
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石电烙铁及其制备方法，本发明要解决现有金属制烙铁头容易在高温下产生氧化、不沾锡、被酸性助焊剂腐蚀等问题。金刚石电烙铁的制备方法：一、将金刚石块件放置在激光切割机样品台上，用激光将金刚石块件切割成条状；二、再用激光将烙铁头基体的一端切割成多棱锥状，作为电烙铁头的接触端；三、使用磨床将烙铁头基体接触端的尖棱锥磨出圆角；四、在烙铁头基体表面镀上钛膜或钨膜，然后在惰性气氛下以600～900℃原位退火处理；五、将金属化后的烙铁头基体与热单元和外壳装配组装。本发明通过使用金刚石制备电烙铁头，使电烙铁头具有抗腐蚀抗氧化、导热快热效应高、超高硬度抗磨损、易沾锡、绝缘无电感、不损伤电子元器件等优点。
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公开(公告)号：CN116475418B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310479246.0
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F3/24 , B23B51/00 , B22F5/00 , B22F7/06 , C23C14/34 , C23C14/10 , G01K7/02 , G01K1/14 , G01K1/143 , E21B10/46
Abstract: 带有嵌入式薄膜热电偶阵列聚晶金刚石刀具的制备方法，本发明的目的是为了解决针对聚晶金刚石刀具传统的接触式测温中热电偶距离刀尖太远难以获得精确瞬态温度值的问题。制备方法：一、在聚晶金刚石的碳化钨硬质合金层加工出多个浅槽；二、抛光；三、超声清洗；四、沉积第一SiO2绝缘层；五、采用掩膜或者光刻工艺暴露出阵列图案A；六、沉积热电偶材料A薄膜；七、采用掩膜或者光刻工艺暴露出阵列图案B；八、沉积热电偶材料B薄膜；九、胶连补偿线；十、沉积第二SiO2绝缘层；十一、焊接。本发明通过在聚晶金刚石刀具后刀面集成大量微型薄膜热电偶组成阵列，能够精准测量切削刃‑工件界面温度与热流分布，发现热应力集中点。
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公开(公告)号：CN118262948A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410357811.0
申请日：2024-03-27
IPC: G21H1/06 , H01L31/075 , H01L31/0336
Abstract: 基于TiO2调制p型金刚石与n型氧化镓异质结界面的高内建电场同位素电池及其制备方法，本发明旨在解决金刚石肖特基结同位素电池无法进一步提升电池开路电压的问题。本发明高内建电场同位素电池采用垂直型结构，在p区欧姆接触电极的下表面设置有惰性金属保护层，在p区欧姆接触电极的上表面由下至上依次设置有掺硼金刚石衬底、金刚石外延本征层、超薄氧化钛层、n型氧化镓层、n区欧姆接触电极和放射性辐射源形成层叠结构。本发明利用n型宽禁带半导体材料高费米能级位置的特点与p型金刚石形成高费米能级差，从而增大内建电场，由辐射源激发的电子空穴对在更强的电场力作用下被有效分离，提高了同位素电池的开路电压。
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公开(公告)号：CN116580869B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202310479247.5
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含金刚石颗粒的烧结银浆料的制备方法及利用其进行焊接的方法，本发明涉及烧结银浆料的制备方法及利用其进行焊接的方法。本发明要解决现有银烧结浆料烧结温度高，且对于大尺寸表面的连接需要施加压力，而压力过大对器件的可靠性影响大，而无压烧结通常仅适用于小尺寸连接，烧结层致密度较低，导致低连接强度以及热导率低于块体银，并且烧结后溶剂有机物部分残留，会引起长期可靠性下降的问题。方法：一、柠檬酸处理；二、混合；三、分散；四、离心收集并干燥；五、制备含有稀释剂的浆料；六、去除稀释剂。本发明用于含金刚石颗粒的烧结银浆料的制备及利用其进行焊接。
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公开(公告)号：CN114068681B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111361547.0
申请日：2021-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 基于金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件及其制备方法，它要解决现有高集成度的电子元器件等由于发热导致电路不能正常工作的问题。本发明基于金刚石肖特基二极管的逻辑器件在金刚石衬底上沉积有掺硼或者掺磷金刚石层，在掺硼或者掺磷金刚石层表面上沉积有选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层，选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层位于掺硼或者掺磷金刚石层表面的两侧，选择性生长金属掩膜作为欧姆电极，在选择性同质外延生长层上沉积至少两个肖特基电极，欧姆电极作为信号输出端；欧姆电极通过导线连接负载电阻，在负载电阻的另一端施加偏置电压。本发明的金刚石逻辑与门在600K及以上高温正常工作，实现逻辑与门的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116836444A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310481691.0
申请日：2023-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本申请提供了用于表面增强拉曼散射的MOF复合物薄膜及其制备方法与应用，制备方法包括以下步骤：提供碱性的水相纤维素分散液，水相纤维素分散液包括含有羧基的氧化纤维素纳米纤维；将金属前驱体与水相纤维素分散液进行混合，金属前驱体中的金属离子吸附于水相纤维素分散液中的氧化纤维素纳米纤维上，得到复合纤维素分散液；将复合纤维素分散液进行成膜处理，得到初阶复合物薄膜；将初阶复合物薄膜与金属‑有机框架连接体溶液混合，进行反应，得到用于表面增强拉曼散射的MOF复合物薄膜。制备了可应用于特异性表面拉曼增强检测的固相金属‑有机框架材料，开拓了特异性表面拉曼增强检测的应用，工艺条件简单、反应快捷，利于批量生产。
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公开(公告)号：CN116555907A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310479229.7
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 仿生自清洁多晶金刚石的制备方法，本发明的目的是为了解决多晶金刚石表面易吸附粉尘的问题。制备方法：一、超声清洗多晶金刚石；二、金刚石放入化学气相沉积设备中；三、通入反应气体H2与O2，使金刚石表面温度保持在500～900℃之间进行氧刻蚀1～3h；四、通入Ar、N2与CH4，进行纳米金刚石的外延生长0.5～3h；五、通入H2，使金刚石表面温度保持在500～900℃之间进行氢刻蚀1～3h；六、关闭设备；七、滴入氟硅烷进行表面化学修饰。本发明采用三步法分别对金刚石进行氧刻蚀、外延生长和氢刻蚀，在多晶金刚石表面形成高比表面积的双重微纳结构，实现了多晶金刚石表面的超疏水，并且具有优异的自清洁功能。
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公开(公告)号：CN116154019A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211104765.0
申请日：2022-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 氧化物介质层改进的金刚石肖特基结界面的日盲紫外探测器及其制备方法，本发明要解决现有日盲紫外探测器件工作电压高、响应度低、可探测度低的问题。本发明日盲紫外探测器在掺硼金刚石衬底的上表面沉积有金刚石本征层，在掺硼金刚石衬底的下表面沉积金属膜层作为欧姆电极，在金刚石本征层的上表面沉积氧化物介质层，在氧化物介质层上沉积金属电极作为肖特基电极；其中氧化物介质层为TiO2、ZrO2、Al2O3或者SiO2等。本发明氧化物改进的金刚石肖特基结界面的金刚石肖特基结，具有较高的开启电压，施加紫外光照后，光线使得器件提前开启，从而获得很高的光电流响应。同时具有高的光电流响应与低的暗电流，保证了器件的高可探测度。
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公开(公告)号：CN115513125A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110691142.7
申请日：2021-06-22
IPC: H01L21/768
Abstract: 本申请实施例公开了一种垂直互连结构及其制造方法，属于芯片制造技术领域。该方法包括提供金刚石衬底，所述金刚石衬底具有孔。在所述孔中形成导电柱。所述导电柱与孔壁接触的表面的材料为钛、钨、锰、铁、铬、镍、铂、金、银中的至少一种。金属钛、钨、锰、铁、铬、镍、铂、金、银与金刚石之间的浸润性较好，能够使导电柱与金刚石衬底形成良好的结合，从而避免导电柱脱落。
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公开(公告)号：CN114605696B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210356731.4
申请日：2022-04-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二氧化硅/芳纶纳米纤维多功能复合隔热气凝胶的制备方法，它涉及复合隔热气凝胶的制备方法。本发明要解决纯二氧化硅气凝胶无法同时兼具优异的隔热性能、力学性能、热稳定性能和疏水性的问题。制备方法：一、制备内部结构均一的羟基化芳纶纳米纤维水凝胶基体；二、在芳纶纳米纤维凝胶内部构建二氧化硅凝胶体系；三、两步干燥法制备二氧化硅/芳纶纳米纤维复合气凝胶。本发明用于二氧化硅/芳纶纳米纤维多功能复合隔热气凝胶的制备。
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