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公开(公告)号：CN100430393C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200410095970.0
申请日：2004-10-27
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C07D405/14 , C09K11/06 , G09F9/30
CPC分类号： C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/1088 , H01L51/0051 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y10S428/917
摘要： 公开了一种能易于应用真空汽相沉积且呈长波长光的发光化合物。另外，还公开了不具有由于汽相沉积期间发光化合物的碳化导致的劣质发光性能的发光元件；以及包括该发光元件的发光设备。吡喃衍生物由下述通式1表示，其中R1是氢元素或烷氧基。
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公开(公告)号：CN101044624A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580036112.1
申请日：2005-10-13
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L51/0579 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/04 , H01L27/112 , H01L27/115 , H01L51/0051 , H01L51/0059
摘要： 本发明的目的在于提供一种半导体器件，其中能够在制造半导体器件以外的时候写入数据，并且能够防止出现仿冒品。此外，本发明的另一个目的在于提供一种包括具有简单的结构的存储器的廉价半导体器件。所述半导体器件包括：形成于单晶半导体衬底之上的场效应晶体管，形成于所述场效应晶体管之上的第一导电层，形成于所述第一导电层之上的有机化合物层，以及形成于所述有机化合物层之上的第二导电层，一种存储元件包括：第一导电层、有机化合物和第二导电层。根据上述结构，可以通过设置天线提供一种能够执行非接触数据发射/接收的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1829702A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480022166.8
申请日：2004-07-09
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C07D241/42 , C09K11/06 , H05B33/14
CPC分类号： C09K11/06 , C07D241/42 , C09K2211/1044 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H05B33/14
摘要： 本发明的课题在于提供具有双极性且有发光性的有机化合物、进一步还具有耐热性的有机化合物。提供由通式(1)所示的喹喔啉衍生物。式中A表示亚烷基链、硅(Si)、氧(O)、氮(N)、硫(S)中的任一个。R1～R8可分别相同或不同，表示低级烷基、芳基、或者杂环残基中的任何一个。R9～R24可分别相同或不同，表示氢原子、卤原子、低级烷基、烷氧基、酰基、硝基、氰基、氨基、二烷基氨基、二芳基氨基、乙烯基、可有取代基的芳基、或杂环残基中的任何一个。
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公开(公告)号：CN1717130A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510081154.9
申请日：2005-06-29
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： G09G3/3216 , G09G3/2018 , G09G3/3283 , G09G3/3291 , G09G2300/0426 , G09G2320/0233 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043
摘要： 当出现环境温度改变或随时间改变时，发光元件的亮度变化。考虑到这一点，本发明提供了一种显示器件，其中，能够抑制环境温度改变和随时间改变所造成的发光元件电流值变化的影响。本发明的显示器件包括用恒定电流驱动的监测元件，且施加到监测元件的电压被探测，并被输入到发光元件。换言之，用小电流来驱动监测元件，且施加到监测元件的电压被输入到发光元件，致使发光元件被恒定电流驱动。
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公开(公告)号：CN1629158A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410095970.0
申请日：2004-10-27
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C07D405/14 , C09K11/06 , G09F9/30
CPC分类号： C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/1088 , H01L51/0051 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y10S428/917
摘要： 公开了一种能易于应用真空汽相沉积且呈长波长光的发光化合物。另外，还公开了不具有由于汽相沉积期间发光化合物的碳化导致的劣质发光性能的发光元件；以及包括该发光元件的发光设备。吡喃衍生物由右述通式1表示：其中R1是氢元素或烷氧基。
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公开(公告)号：CN1610465A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410032530.0
申请日：2004-04-08
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 安部宽子
CPC分类号： H01L51/504 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/1074 , C09K2211/185 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0077 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5253 , H05B33/14 , Y02B20/181 , Y10S428/917 , Y10T428/24942
摘要： 本发明的目的是提供一种发光元件，该发光元件能够容易地控制白色发光中的颜色平衡(白平衡，white balance)。发光元件的场致发光层包括第一发光层和第二发光层，其中，所述第一发光层包含一种或两种或更多种类的发光材料；所述第二发光层包含两种发光材料(主体材料和磷光材料)，并且，其中的磷光材料的浓度是10wt％至40wt％，优选12.5wt％至20wt％。通过形成有上述结构的元件，可以从第一发光层获取蓝色发光，并从第二发光层获取绿色发光和红色(或橙色)发光。另外，有这样结构的元件，由于和提高电流密度时的发光峰值强度以相同的比例发生变化，所以容易控制白平衡。
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