光伏装置及薄膜太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN102299197B

    公开(公告)日:2014-06-04

    申请号:CN201010552495.0

    申请日:2010-11-17

    发明人: 涂志强 陈俊郎

    IPC分类号: H01L31/18

    摘要: 本发明公开光伏装置及薄膜太阳能电池的制备方法。本光伏装置的制造方法包括利用纳米压印(nanoimprint)技术定义光伏装置的各个电池单元,以制备光伏电池。本方法可包括提供一基板;在基板上形成第一导电层;以纳米压印及蚀刻工艺在第一导电层中形成第一凹槽;在第一导电层上形成吸收层,该吸收层填入第一凹槽中;以纳米压印工艺在吸收层中形成第二凹槽;在吸收层上形成第二导电层,该第二导电层填入第二凹槽中;在第二导电层及吸收层中形成第三凹槽,从而定义光伏电池单元。本发明的纳米压印提供高准确图案化,光伏电池中对位可因而提升。再者,纳米压印技术与传统制造方法相反,可轻易的进行传统的卷轴式制造工艺,而简化光伏装置的制造,并降低制造成本。

    用于将薄膜器件划分成单独的单元的方法及设备

    公开(公告)号:CN103688361A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201280035235.3

    申请日:2012-07-13

    发明人: A·N·布伦顿

    IPC分类号: H01L27/32 H01L27/142

    摘要: 一种用于将具有第一层、第二层和第三层的薄膜器件划分成单独的单元的方法以及装置,所述第一层为下电极层,所述第二层为活性层,所述第三层为上电极层,所有的所述层在所述器件的范围内连续,所述单独的单元串联地电气性互连。所述单元的划分和相邻单元之间的电气连接都通过加工头跨越所述器件的单个行程被执行。所述加工头的第一部分上的喷墨印刷头被使用以将不导电材料沉积到第一切口中。至少一个切口通过使用从所述加工头的第二部分朝第一层、第二层和第三层从所述器件的上侧指向的激光束来形成。所述薄膜器件可以是太阳能板、照明板或电池。

    集成薄膜太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN102160190B

    公开(公告)日:2013-11-06

    申请号:CN200980137203.2

    申请日:2009-09-14

    IPC分类号: H01L31/04

    CPC分类号: H01L31/0463 Y02E10/50

    摘要: 一种集成薄膜太阳能电池,包括:多个串组,具有形成在透明绝缘基板上的多个薄膜光电转换元件,薄膜光电转换元件被相互串联电连接,薄膜光电转换元件具有积层在透明绝缘基板上的透明的第一电极层,积层在第一电极层上的光电转换层,和积层在光电转换层上的第二电极层,多个串组被沿串联连接方向延伸的一个或多个串组分离沟槽分隔开,多个串组沿与串联连接方向垂直的方向被排列在同一透明绝缘基板上,串组分离沟槽包括除去第一电极层形成第一沟槽,和除去光电转换层和第二电极层形成宽度大于第一沟槽的第二沟槽,串联连接方向上任意位置处的薄膜光电转换元件是并联连接元件并联连接元件中一部分被串组分离沟槽除去、剩余部分连成一体从而沿与串联连接方向垂直的方向延伸,并联连接元件并联电连接多个串组。

    薄膜太阳能电池的制造方法及薄膜太阳能电池

    公开(公告)号:CN103270426A

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201180061745.3

    申请日:2011-11-08

    摘要: 本发明提供一种薄膜太阳能电池的制造方法及薄膜太阳能电池,薄膜太阳能电池的制造方法包括:在形成于基板(1)上的第一电极层(2)形成第一分离槽部(5、5A),从而形成各自电气性独立的多个第一电极部(2a)的工序(S101);使测定端子(15)分别与多个第一电极部(2a)中的彼此邻接的第一电极部(2a)接触,从而确认邻接的第一电极部(2a)彼此之间的绝缘性的绝缘试验工序(S102)。薄膜太阳能电池的制造方法包括:在第一电极层(2)上形成光电转换层(3)的工序(S103);在光电转换层(3)形成接触线用槽部(6)的工序(S104)。还包括:在光电转换层(3)上形成第二电极层(4),并且在接触线用槽部(6)内形成将第一电极层(2)与第二电极层(4)连接的接触线的工序(S105);至少在第二电极层(4)形成第二分离槽部(7)的工序(S106);形成从第二电极层(4)到达第一电极层(2)的、将发电区域与非发电区域分开的第三分离槽部(16)的工序(S107)。在第一电极部(2a)中,测定端子(15)所接触的区域包含在非发电区域内。

    用于将薄膜器件划分为单独的单元格的方法和设备

    公开(公告)号:CN103119731A

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:CN201180045897.4

    申请日:2011-09-16

    发明人: A·N·布伦顿

    摘要: 用于将薄膜器件划分为单独的单元格的方法和设备,薄膜器件具有为下电极层的第一层、为活性层的第二层和为上电极层的第三层,层在器件上各为连续,单元格各具有宽度W,并被互连结构串联互连。单元格的划分和在相邻单元格之间的互连结构的形成由加工头实现,加工头设置为能在在器件上来回经过的序列中同时在多于一个互连上操作,加工头进行以下步骤:a)制造穿过第一层、第二层和第三层的第一切口;b)制造穿过第二层和第三层的第二切口,第二切口邻近第一切口;c)制造穿过第三层的第三切口,第三切口邻近进第二切口,并且在第二切口的与第一切口相对的一侧上;d)使用第一喷墨印制头将非传导材料沉积到第一切口内;以及e)使用第二喷墨印制头来施加传导材料,以在第一切口中的非传导材料上搭桥,并且完全或者部分填充第二切口,以便在第一层和第三层之间形成电连接,其中,步骤a)先于步骤d)、步骤d)先于步骤e)、并且步骤b)先于步骤e)(,除此以外,可以在加工头横跨器件的单次经过中以任何顺序实行步骤)。并且在至少一次使加工头在器件上经过的期间,步骤中的至少两个步骤各自在单独的互连结构上被实行。薄膜器件可为太阳能板、照明板或电池。

    太阳能电池的制造方法
    87.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102144300B

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:CN200980134879.6

    申请日:2009-09-17

    IPC分类号: H01L31/04

    摘要: 本发明涉及太阳能电池的制造方法,所述太阳能电池具有基板、以及在该基板上将第一导电层、光电转换层和第二导电层依次重叠而成的结构体,该结构体按照各规定尺寸在电气上被分区而形成多个分区单元,彼此相邻的所述分区单元之间被电连接,所述太阳能电池的制造方法包括:缺陷区域确定工序,从所述多个分区单元中确定出存在结构缺陷的区域;以及修复工序,对所述区域或其周围照射激光光线,来去除所述结构缺陷,所述修复工序包括:工序α,对所述结构体照射第一激光,来去除或分离所述区域;以及工序β,对因所述去除或分离而产生的所述结构体的端部照射第二激光,来清除所述端部,所述第二激光使用将所述第一激光散焦以使所述第一激光的聚焦位置远离所述基板后得到的激光。

    集成薄膜太阳能电池
    89.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102144299B

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN200980134780.6

    申请日:2009-08-05

    IPC分类号: H01L31/04

    摘要: 一种集成薄膜太阳能电池,包括:包括形成在透明绝缘基板上并互相串联电连接的多个薄膜光电转换元件的串,和一个或更多个与所述串电连接的集电电极。每个薄膜光电转换元件具有布置在所述透明绝缘基板上的第一透明电极层、布置在所述第一电极层上的光电转换层和布置在所述光电转换层上的第二电极层。每个集电电极电连接到串中的任意薄膜光电转换元件的第二电极层。串具有通过移除相邻两个薄膜光电转换元件之间的第二电极层和光电转换层而形成的元件隔离槽。各个薄膜光电转换元件的第一电极层具有一端穿过元件隔离槽延伸进入相邻薄膜光电转换元件区域的延伸部分,所述第一电极层通过电极隔离线与相邻的薄膜光电转换元件的第一电极层电绝缘。每个薄膜光电转换元件的第二电极层经由穿过光电转换层的导电部分与相邻的薄膜光电转换元件的第一电极层的延伸部分电连接。在与集电电极相连的任意薄膜光电转换元件中,第一电极的至少在集电电极正下方的一部分与其它部分通过电极隔离线和绝缘线中的至少其一互相绝缘并隔离。

    薄膜型太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN101604713B

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN200910147805.8

    申请日:2009-06-12

    发明人: 金宰湖 黃喆周

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/05

    摘要: 本发明公开了一种薄膜型太阳能电池及其制造方法,其中,薄膜型太阳能电池的制造方法包括:在衬底上顺序地沉积前电极层和半导体层;通过除去前电极层和半导体层的预定部分形成第一分隔槽;通过除去半导体层的预定部分形成接触部分和第二分隔槽;在第一分隔槽中形成第一绝缘层;以及多个后电极通过插置于其间的第二分隔槽以固定间隔形成,其中,各个后电极通过接触部分与前电极层电连接。与需要三次清洁工艺的现有技术不同,本发明在进行激光划片工艺后只需一次清洁工艺,因而由于简化的制造工艺使产量提高。与现有技术不同,根据本发明,不需要交替地将衬底装入真空沉积设备和激光划片设备,因而设备结构简单并且制造时间减少,由此使产量增加。