栅极驱动电路及其操控方法

    公开(公告)号:CN110168928B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN201780082762.2

    申请日:2017-12-08

    摘要: 一种栅极驱动电路包括:下限钳位电路,上限钳位电路,和平均电路。下限钳位电路将晶体管的输入节点钳位在相对于晶体管的公共节点的最小电压,而上限钳位电路将晶体管的输入节点钳位在相对于晶体管的公共节点的最大电压,以及,平均电路设置输入节点相对于公共节点在特定时间段期间的平均电压值。晶体管包括公共节点,输出节点,和接收输入信号的输入节点。控制上限、下限和平均值连同下限和上限之间的快速转换控制输入信号的占空比。

    用于改变发电机的视在源阻抗的方法和装置

    公开(公告)号:CN111357076B

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN201880074254.4

    申请日:2018-10-11

    IPC分类号: H01J37/32 H03H7/40

    摘要: 一种用于控制连接到负载的发电机的方法,该方法涉及获得与根据参考阻抗(Z?c#191)计算出的正向功率有关的第一测量值(M1)。该方法涉及调节发电机的输出,使得M1趋于第一设定值。该方法还涉及调节第一设定值,以便将常规发电机输出测量的第二测量值(M2)朝向第二设定值调节,其中,根据参考阻抗(Zc)计算出的正向功率等于公式(I),其中v是参考点处的电压,该参考点可以在发电机和负载输入之间,并且i是参考点处相对于负载流动的电流(例如,朝向负载的电流或朝向发电机的电流的负值)。

    等离子体功率输送系统的周期间控制系统及其操作方法

    公开(公告)号:CN110870039B

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN201880045502.2

    申请日:2018-07-05

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 一种发生器产生输出,例如输送的功率、电压、电流、正向功率等,其遵循预定的输出对时间的规定模式,其中,通过基于在过去的一个或多个重复周期中进行的测量来控制模式的各部分而以重复周期重复该模式。可变阻抗匹配网络可以控制呈现给射频发生器的阻抗,同时发生器产生的输出遵循规定输出对时间变化的模式,其中,通过基于在过去的一个或多个重复周期取得的测量结果控制所述模式的部分期间的匹配中可变阻抗元件,所述模式以重复周期重复。

    用于减少玻璃涂层中的龟裂的二极管盒的应用

    公开(公告)号:CN109844899B

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN201780060510.X

    申请日:2017-07-26

    摘要: 公开了用于减少沉积在大面积基底(诸如玻璃,例如建筑玻璃)上的薄膜堆叠体中的龟裂的系统、方法和设备。一旦沉积了导体‑绝缘体‑导体系列的膜,就会发生龟裂,从而有效地形成电容器,并且在基底跨越多个沉积腔室的情况下,腔室之间的耦合可以导致有效的电容器电压击穿两个导体层之间的绝缘体层。通过将辅助导体层之一的沉积的AC电源的输出接地来减少(如果未消除)。接地是通过整流通道,诸如二极管或二极管的串,使得避免了AC电源的输出降至地电位以下。

    匹配的源阻抗驱动系统以及对其进行操作的方法

    公开(公告)号:CN111433883A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN201880078420.8

    申请日:2018-10-11

    IPC分类号: H01J37/32 H03H7/40

    摘要: 在参考点处(例如,在发生器输出端处)具有有效源阻抗Zg的射频(RF)发生器包括参考输入端,并在所述参考点处,控制K(v+Zgi)的幅值以及相对于在参考输入端处接收到的信号的相位,其中v和i分别是参考点处的电压和在参考点处从发生器流出的电流,并且K是标量。发生器在传输功率时和在吸收功率时保持对K(v+Zgi)的控制。

    用于校准开关模式离子能量分布系统的系统和方法

    公开(公告)号:CN104756228A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201380056217.8

    申请日:2013-08-26

    IPC分类号: H01L21/02

    摘要: 公开了用于调节离子能量和离子能量分布以及校准偏置电源和等离子体处理室的系统、方法和装置。示范性方法包括将周期电压函数施加到负载仿真器,所述负载仿真器仿真等离子体负载和诸如e-卡盘之类的相关电子设备的电气特性。可以针对不同电气参数测量所述负载仿真器,并且可以将所述负载仿真器与由所述偏置电源产生的预期参数相比较。在测量值与预期值之间的差可以用于识别并且校正所述偏置电源、所述室或用于激励并且维持所述等离子体的电源中的故障和异常。一旦校准了所述偏置电源,就可以通过测量并且计算有效电容来校准所述室,所述有效电容包括所述衬底支撑部与可选的所述衬底的串联和并联电容。