包含氨基甲酸酯组分的光刻胶

    公开(公告)号:CN104216224B

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201410242646.0

    申请日:2014-06-03

    IPC分类号: G03F7/004 G03F7/20

    摘要: 本发明提供了新的光刻胶组合物,该组合物包含氨基甲酸酯化合物,所述氨基甲酸酯化合物包含1)氨基甲酸酯基团和2)酯基团。本发明优选的光刻胶可以包含:具有对酸不稳定的基团的树脂;酸生成剂化合物;以及氨基甲酸酯化合物,该化合物可以用来减少光致生成的酸扩散到光刻胶涂层的未曝光区域以外的不利现象。

    间隙填充方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104701238B

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201410858332.3

    申请日:2014-11-14

    IPC分类号: H01L21/762

    摘要: 间隙填充方法。提供了间隙填充方法,所述方法包括:(a)提供半导体衬底,所述衬底在衬底的表面上具有起伏图案,起伏图案包括将被填充的多个间隙;(b)在起伏图案上应用间隙填充组合物,其中间隙填充组合物包含可自交联聚合物和溶剂,其中可自交联聚合物包括第一单元,该第一单元包含聚合主链和侧接到主链的可自交联基团;以及(c)在使得聚合物产生自交联的温度下加热间隙填充组分。

    光致酸生成剂、光刻胶、涂覆的基材以及形成电子器件的方法

    公开(公告)号:CN104423151B

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201410431486.4

    申请日:2014-08-28

    摘要: 一种具有通式(1)的光致酸生成剂化合物:其中,n是0或1;以及R1‑R6各自独立地是氢、卤素、未取代或取代的C1‑20直链或支链烷基、C3‑20环烷基、C6‑20芳基、C3‑20杂芳基或具有以下结构的酸生成基团:其中L是未取代或取代的C1‑50二价基团;Z‑是单价阴离子基团;M+是碘鎓离子或锍阳离子。成对的R基团可与它们所相连的碳结合以形成环,只要形成的这种环不超过两个即可。R1‑R6中的至少一个包括酸生成基团,或者两个成对的R基团结合形成酸生成基团。本发明还描述了包含所述光致酸生成剂化合物的光刻胶组合物、包含所述光刻胶组合物的层的涂覆的基材,以及使用所述光刻胶组合物的层形成电子器件的方法。

    光刻胶图案修剪方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103913946B

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201310757477.X

    申请日:2013-12-31

    IPC分类号: G03F7/00 G03F7/40 H01L21/027

    摘要: 光刻胶图案修剪方法。提供修剪光刻胶图案的方法。该方法包括:(a)提供半导体衬底;(b)在衬底上形成光刻胶图案,其中由化学放大光刻胶组合物来形成光刻胶图案,该化学放大光刻胶组合物包括含有酸不稳定性基团的母体聚合物;光生酸剂和溶剂;(c)将光刻胶修剪组合物涂覆到衬底上的光刻胶图案之上,其中,该修剪组合物包括:母体聚合物,不含氟的芳香酸;以及溶剂;(d)加热涂覆后的衬底,从而改变光刻胶图案表面区域中的光刻胶母体聚合物的极性;以及(e)使光刻胶图案接触清洗剂,除去光刻胶图案的表面区域,从而形成经修剪的光刻胶图案。该方法特别适用于半导体装置的制造中。