公开(公告)号：CN105552046B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201510877778.5

申请日：2015-12-04

申请人： 成都锐华光电技术有限责任公司

发明人： 邱德龙 ,  王启东 ,  侯峰泽 ,  曹立强

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/473

摘要： 本发明属于半导体散热领域，尤其涉及一种新型封装内芯片散热组件及散热系统，其特征在于：所述芯片散热组件设有散热组件1、散热组件2、焊盘和组件内管道，散热组件1固定设在芯片基板上，并位于芯片侧面四周；散热组件2设在芯片顶部，散热组件1和散热组件2通过焊盘连接成密闭管道；组件内管道分布于组件1和组件2中，用于通入冷却剂，组件内管道还设有组件内管道进口和组件内管道出口，组件内管道进口和组件内管道出口穿过芯片基板与外部所需装置连接。本发明中散热组件/系统大幅度提高了整个器件的散热效率，在封装体内/外集成，实现小型化，实用性强，可应用于多个领域，广泛推广。

公开(公告)号：CN105118827A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510487847.1

申请日：2015-08-10

申请人： 成都锐华光电技术有限责任公司

发明人： 侯峰泽

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/15311

摘要： 本发明提供一种基于柔性基板的三维芯片堆叠封装结构及封装方法，该封装结构包括条状柔性基板和2(N+1)个倒装芯片，其中N≥1，所有的倒装芯片堆叠放置，条状柔性基板穿插在倒装芯片之间，且分别与各倒装芯片通过焊盘连接。该封装方法主要包括：制作柔性基板；倒装芯片安装；折叠堆叠；固封成型。本发明开创性的采用柔性基板将倒装芯片三维堆叠起来，其工艺简单，容易实现，成本比较低，可实现多层堆叠(3层或3层以上芯片堆叠)，尤其可以实现相同尺寸芯片的三维多层堆叠。

公开(公告)号：CN103094068B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201110338301.1

申请日：2011-10-31

申请人： 成都锐华光电技术有限责任公司

发明人： 王惠娟 ,  万里兮

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/92

摘要： 本发明实施例公开了一种高密度嵌入式电容器及其制作方法，该方法包括：提供具有本体层和刻蚀阻挡层的基底；在本体层表面内形成多个垂直度良好且具有高深宽比的沟槽；对沟槽的底部、侧壁以及相邻沟槽间的本体层材料进行掺杂，得到该电容器的掺杂区，以在本体层与掺杂区接触区域形成三维PN结；形成该电容器的第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极的极性相反，且二者之间电学绝缘，第一电极位于掺杂区两侧或四周，第二电极位于掺杂区表面上。本发明实施例采用三维立体沟槽制作电容器的介质层，使介质层的有效面积远远大于常规电容器的介质层的有效面积，提高了电容器的电容密度，使该电容器能够同时满足低频退耦和高频退耦的要求。

公开(公告)号：CN102800598B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201110135359.6

申请日：2011-05-24

申请人： 成都锐华光电技术有限责任公司

发明人： 张霞 ,  万里兮

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H05K1/18 ,  H05K3/30

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种在基板中埋置有源元件的方法。该方法包括：在第一承载板的导电层上形成第一内层电路图形；将有源元件连接至第一承载板上的第一内层电路图形；在介质板上有源元件的对应位置加工空穴，空穴的长度和宽度均等于或大于有源元件的长度和宽度；将第二承载板、带有空穴的介质板和带有有源元件的第一承载板依次对准堆叠，形成有源元件埋入模块，第一承载板上的有源元件位于有源元件埋入模块的内部，置入介质板上的空穴；将有源元件埋入模块进行热压，形成埋置有源元件的基板，热压的温度大于等于介质板的玻璃转化温度。本发明具有工艺步骤简单、生产率高、成本低以及可进行返修等优点。

公开(公告)号：CN103137508B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201110378944.9

申请日：2011-11-24

申请人： 成都锐华光电技术有限责任公司

发明人： 万里兮 ,  郭学平 ,  宋崇申

IPC分类号： H01L21/603

摘要： 本发明公开了一种键合装置，包括：压力罩和贴合于所述压力罩开口处的弹性压力膜。由于弹性压力膜可以跟随所接触物体的表面而形变，以使弹性压力膜上的压强相同，因此弹性压力膜可以均匀的对第一待键合物施加压力。当第一待键合物由多个不同厚度的键合物组成时，本发明对这些不同厚度的键合物施加的压强也相同，因此它们的键合效果相同，可以提高产品的合格率。

公开(公告)号：CN102856303B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201110174980.3

申请日：2011-06-27

申请人： 成都锐华光电技术有限责任公司

发明人： 李宝霞 ,  万里兮

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L23/00 ,  H01L23/485

摘要： 公开了一种半导体芯片，包括：一半导体衬底以及若干穿透半导体衬底的导电硅通孔；所述半导体衬底上设有平板电容结构。本发明中，通过提高芯片上电源分配网络超宽带退耦能力，在超宽频带范围增强半导体芯片抑制电源噪声的产生和互扰，以及抵御外来电源噪声干扰的能力，从而提高半导体芯片性能。

公开(公告)号：CN101295941B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200710097875.8

申请日：2007-04-23

申请人： 成都锐华光电技术有限责任公司

发明人： 万里兮

IPC分类号： H02N2/18

摘要： 本发明是将氧化锌纳米棒阵列与微电机结构相结合，利用氧化锌纳米棒受力弯曲变形所产生压电效应，将作用在微电机结构上的机械振动能转换成电能，构成交流纳米发电机。再利用串联多个这种发电机或二极管—电容升压装置，将微小电压升高至一定的电压。本发明可向一般电子电路提供所需电源，应用于不能使用蓄电池或其电源的场合。

公开(公告)号：CN102064143A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010543507.3

申请日：2010-11-15

申请人： 成都锐华光电技术有限责任公司

发明人： 张宇

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L2224/73204

摘要： 本发明公开了一种光模块，包括基板及与基板倒装焊接的芯片，基板与芯片间采用透明硅胶灌封，基板与芯片外部采用灌封胶灌封。本发明还公开一种光模块的制造方法。本发明采用普通的灌封剂，利用二次灌封工艺，成功的解决了光模块中芯片和基板的CTE失配导致的封装失效问题。

公开(公告)号：CN105428260A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510970167.5

申请日：2015-12-22

申请人： 成都锐华光电技术有限责任公司

发明人： 苏梅英 ,  侯峰泽 ,  徐成

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L24/01 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/01 ,  H01L2224/02 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/80

摘要： 本发明属于电子封装领域，尤其涉及一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征包括：在载板上涂覆临时键合胶或热剥离薄膜,其上贴装只有正面带有多层再布线层的TSV转接板;TSV转接板上倒装焊有裸片或多叠层芯片组件;对载片上的TSV转接板及裸片或多叠层芯片组件进行塑封;去除底部载板及临时键合胶或热剥离薄膜;在转接板背面涂覆第一层钝化层,并开窗;采用物理气相沉积第一层种子层Ti/Cu;电镀一层Cu质RDL；涂覆第二层钝化层，并开窗；再制造第二层种子层Ti/Cu；电镀Cu基；植焊球。本发明制造出的结构可实现系统级封装，降低生产成本；有利于减小翘曲，减小芯片偏移量，提高工艺的可行性及封装体的可靠性。

公开(公告)号：CN105428260B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201510970167.5

申请日：2015-12-22

申请人： 成都锐华光电技术有限责任公司

发明人： 苏梅英 ,  侯峰泽 ,  徐成

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明属于电子封装领域，尤其涉及一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征包括：在载板上涂覆临时键合胶或热剥离薄膜,其上贴装只有正面带有多层再布线层的TSV转接板;TSV转接板上倒装焊有裸片或多叠层芯片组件;对载片上的TSV转接板及裸片或多叠层芯片组件进行塑封;去除底部载板及临时键合胶或热剥离薄膜;在转接板背面涂覆第一层钝化层,并开窗;采用物理气相沉积第一层种子层Ti/Cu;电镀一层Cu质RDL；涂覆第二层钝化层，并开窗；再制造第二层种子层Ti/Cu；电镀Cu基；植焊球。本发明制造出的结构可实现系统级封装，降低生产成本；有利于减小翘曲，减小芯片偏移量，提高工艺的可行性及封装体的可靠性。