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公开(公告)号：CN102933490B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201180019467.5
申请日：2011-06-06
IPC: C01B31/02
CPC classification number: C01B31/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/18 , Y10S977/773
Abstract: 本发明提供洋葱状碳的制作方法，其以低成本制作洋葱状碳(OLC)。在本发明中，在作为第一步骤的DLC粉末制作处理中，通过以烃系气体为材料气体的等离子体CVD法制作硬质碳粉，即DLC粉末。接着，在作为第二步骤的DLC-OLC转换处理中，在真空中或惰性气体环境中加热器加热该DLC粉末。由此，DLC粉末转换成OLC，也就是说，制成了该OLC。这样，根据本发明，将烃系气体作为起始原料制作OLC，因此，能够以极低成本制作该OLC。
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公开(公告)号：CN102017819A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115842.9
申请日：2009-04-30
CPC classification number: H05K3/3489 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29109 , H01L2224/75 , H01L2224/751 , H01L2224/7525 , H01L2224/757 , H01L2224/8101 , H01L2224/81011 , H01L2224/81022 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/83801 , H01L2224/83894 , H01L2924/00011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1579 , H01L2924/3025 , H05K3/3436 , H05K2201/10674 , H05K2203/1163 , H01L2924/0132 , H01L2924/00014 , H01L2224/83205
Abstract: 不会使被接合物彼此的电气的接触性恶化，而容易地在低温下接合。对在外部引出电极(5)的表面上具有突起电极(6)的半导体芯片(2)以及中间基板(3)的突起电极(8)的表面，通过氢自由基进行氧化膜还原处理，之后，对半导体芯片(2)以及中间基板(3)的外部引出电极(8)以及突起电极(6)进行对位，并且之后，施加载荷而接合。
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公开(公告)号：CN117397369A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280038015.X
申请日：2022-05-27
IPC: H05H1/46
Abstract: 为了能够在容量更大的容器内产生密度更高的等离子体，本公开所涉及的等离子体产生装置具备：高频电路(20)，其具有感性负载以及向该感性负载供给高频电力的高频电源(22)；以及反应容器，其构成为能够减压，通过对感性负载施加高频电力来在该反应容器中产生等离子体。感性负载由螺旋状的天线线圈(21)构成，天线线圈(21)以包围反应容器的周围的方式配置，天线线圈被分割为至少两个以上的天线线圈。高频电路(20)具有多个路径(23)，分割所得的至少两个以上的天线线圈(21)分别设置于多个路径(23)。
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公开(公告)号：CN100455394C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200580005221.7
申请日：2005-02-16
Applicant: 神港精机株式会社
IPC: B23K1/20
CPC classification number: B23K3/087 , B23K1/008 , B23K35/26 , B23K2101/42 , C22C13/00 , H05K3/3463 , H05K3/3489
Abstract: 本发明要解决的技术问题是，进行品质良好的焊接。解决该技术问题的技术手段是，使配置着具有固体状的焊锡的被处理物(10)的真空室(2)减压到真空状态，该固体状的焊锡只是锡或者含有银、铅、铜、铋、铟、锌中的一种或者两种以上的成分以及锡。产生游离基气体，除去上述焊锡的氧化膜后，停止上述游离基气体的产生，在无氧化环境中，使上述焊锡达到焊锡的熔点以上的温度，熔融焊锡。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1451504A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03122512.8
申请日：2003-04-16
Applicant: 须贺唯知 , 神港精机株式会社 , 千住金属工业株式会社
CPC classification number: H05K3/3489 , B23K1/008 , B23K1/206 , H05K2203/043 , H05K2203/087
Abstract: 一种钎焊方法，包括使部件上的包含钎料粉末和焊剂的钎料膏暴露于自由基气体下，加热所述钎料膏而使钎料膏回流，并使钎料膏中的活性组分汽化。因为没有任何活性组分的残留物，所以在钎焊之后不必进行清洗而去除焊剂残留物。
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公开(公告)号：CN102933490A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180019467.5
申请日：2011-06-06
IPC: C01B31/02
CPC classification number: C01B31/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/18 , Y10S977/773
Abstract: 本发明提供洋葱状碳的制作方法，其以低成本制作洋葱状碳(OLC)。在本发明中，在作为第一步骤的DLC粉末制作处理中，通过以烃系气体为材料气体的等离子体CVD法制作硬质碳粉，即DLC粉末。接着，在作为第二步骤的DLC-OLC转换处理中，在真空中或惰性气体环境中加热器加热该DLC粉末。由此，DLC粉末转换成OLC，也就是说，制成了该OLC。这样，根据本发明，将烃系气体作为起始原料制作OLC，因此，能够以极低成本制作该OLC。
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公开(公告)号：CN1301173C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN03122512.8
申请日：2003-04-16
Applicant: 须贺唯知 , 神港精机株式会社 , 千住金属工业株式会社
IPC: B23K1/008 , B23K101/42 , B23K35/36 , B23K35/38
CPC classification number: H05K3/3489 , B23K1/008 , B23K1/206 , H05K2203/043 , H05K2203/087
Abstract: 一种钎焊方法，包括使部件上的包含钎料粉末和焊剂的钎料膏暴露于自由基气体下，加热所述钎料膏而使钎料膏回流，并使钎料膏中的活性组分汽化。因为没有任何活性组分的残留物，所以在钎焊之后不必进行清洗而去除焊剂残留物。
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公开(公告)号：CN102017819B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN200980115842.9
申请日：2009-04-30
CPC classification number: H05K3/3489 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29109 , H01L2224/75 , H01L2224/751 , H01L2224/7525 , H01L2224/757 , H01L2224/8101 , H01L2224/81011 , H01L2224/81022 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/83801 , H01L2224/83894 , H01L2924/00011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1579 , H01L2924/3025 , H05K3/3436 , H05K2201/10674 , H05K2203/1163 , H01L2924/0132 , H01L2924/00014 , H01L2224/83205
Abstract: 不会使被接合物彼此的电气的接触性恶化，而容易地在低温下接合。对在外部引出电极(5)的表面上具有突起电极(6)的半导体芯片(2)以及中间基板(3)的突起电极(8)的表面，通过氢自由基进行氧化膜还原处理，之后，对半导体芯片(2)以及中间基板(3)的外部引出电极(8)以及突起电极(6)进行对位，并且之后，施加载荷而接合。
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公开(公告)号：CN1921977A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005221.7
申请日：2005-02-16
Applicant: 神港精机株式会社
IPC: B23K1/20
CPC classification number: B23K3/087 , B23K1/008 , B23K35/26 , B23K2101/42 , C22C13/00 , H05K3/3463 , H05K3/3489
Abstract: 本发明要解决的技术问题是，进行品质良好的焊接。解决该技术问题的技术手段是，使配置着具有固体状的焊锡的被处理物(10)的真空室(2)减压到真空状态，该固体状的焊锡只是锡或者含有银、铅、铜、铋、铟、锌中的一种或者两种以上的成分以及锡。产生游离基气体，除去上述焊锡的氧化膜后，停止上述游离基气体的产生，在无氧化环境中，使上述焊锡达到焊锡的熔点以上的温度，熔融焊锡。
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