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公开(公告)号:CN108140628A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201680058117.2
申请日:2016-10-07
申请人: 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L27/146
CPC分类号: H01L24/05 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/03828 , H01L2224/039 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05082 , H01L2224/05157 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05547 , H01L2224/05548 , H01L2224/05571 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/48463 , H01L2224/73257 , H01L2224/81011 , H01L2224/81022 , H01L2224/81065 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81469 , H01L2224/8182 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
摘要: 本发明涉及摄像装置,所述摄像装置包括第一半导体元件,所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘。所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层。所述摄像装置包括第二半导体元件,所述第二半导体元件包括至少一个电极。所述摄像装置包括微凸块,所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极。所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部,并且所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元。
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公开(公告)号:CN104303278B
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201380025827.1
申请日:2013-03-15
申请人: 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号: H01L21/60 , B23K35/363 , B23K20/10
CPC分类号: B23K35/3612 , B23K35/362 , B23K35/365 , H01L23/3121 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/7501 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75343 , H01L2224/75349 , H01L2224/75353 , H01L2224/75701 , H01L2224/75745 , H01L2224/75753 , H01L2224/75804 , H01L2224/75822 , H01L2224/75824 , H01L2224/759 , H01L2224/81002 , H01L2224/81011 , H01L2224/81022 , H01L2224/81024 , H01L2224/81055 , H01L2224/81085 , H01L2224/81132 , H01L2224/81149 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81447 , H01L2224/81801 , H01L2224/81912 , H01L2224/81914 , H01L2924/12041 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要: 本发明在将半导体元件安装在基板上时,容易把握接合辅助剂的残留量,使接合辅助剂的供给量稳定,防止接合辅助剂的不足。另外,为了可以高效地进行安装装置的维护,使用通过使着色剂溶解在具有除去金属的表面氧化膜的作用的还原性溶剂中而调整的用于辅助金属彼此的接合的接合辅助剂。接合辅助剂是采用具有将具有除去金属的表面氧化膜的作用的还原性溶剂与对于所述溶剂具有溶解性的着色剂进行混合的工序的制造方法而得到的。
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公开(公告)号:CN103377956B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201310129982.X
申请日:2013-04-15
申请人: 亚太优势微系统股份有限公司
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L23/49866 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L21/76251 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32146 , H01L2224/32148 , H01L2224/32235 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48228 , H01L2224/48463 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81825 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83121 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/92147 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2924/00015 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 本发明提供一种基材的接合方法,包含:首先提供一第一基材和一第二基材,其中一第一银层覆盖第一基材之表面,一第二银层覆盖第二基材之表面以及一金属层覆盖第二银层,其中金属层包含一第一锡层,接着进行一接合制程,将第一基材与第二基材对准,使得金属层和第一银层接触,并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物,最后降温并移除负载,完成接合制程。本发明的有益效果是改良接合晶圆之质量,使技术能实际应用于产品量产之上。
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公开(公告)号:CN102017819B
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN200980115842.9
申请日:2009-04-30
CPC分类号: H05K3/3489 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29109 , H01L2224/75 , H01L2224/751 , H01L2224/7525 , H01L2224/757 , H01L2224/8101 , H01L2224/81011 , H01L2224/81022 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/83801 , H01L2224/83894 , H01L2924/00011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1579 , H01L2924/3025 , H05K3/3436 , H05K2201/10674 , H05K2203/1163 , H01L2924/0132 , H01L2924/00014 , H01L2224/83205
摘要: 不会使被接合物彼此的电气的接触性恶化,而容易地在低温下接合。对在外部引出电极(5)的表面上具有突起电极(6)的半导体芯片(2)以及中间基板(3)的突起电极(8)的表面,通过氢自由基进行氧化膜还原处理,之后,对半导体芯片(2)以及中间基板(3)的外部引出电极(8)以及突起电极(6)进行对位,并且之后,施加载荷而接合。
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公开(公告)号:CN103887191A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201310651453.6
申请日:2013-12-06
申请人: 新科金朋有限公司
IPC分类号: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/488
CPC分类号: H01L2224/16225 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L23/49811 , H01L21/4867 , H01L23/49816 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/0381 , H01L2224/1132 , H01L2224/17517 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/81007 , H01L2224/81022 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/81986 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
摘要: 本发明涉及半导体器件和用于制作无凸块倒装芯片互连结构的方法。一种半导体器件包括具有接触焊盘的衬底。将掩模设置在衬底上。将铝可湿润性导电浆料印刷在衬底的接触焊盘上。将半导体管芯设置在铝可湿润性导电浆料上。使该铝可湿润性导电浆料回流以在衬底的接触焊盘上形成互连结构。接触焊盘包括铝。将半导体管芯的接触焊盘设置在铝可湿润性导电浆料上。使铝可湿润性导电浆料回流以在半导体管芯的接触焊盘和衬底的接触焊盘之间形成互连结构。将该互连结构直接形成在衬底和半导体管芯的接触焊盘上。在使铝可湿润性导电浆料回流之前对半导体管芯的接触焊盘进行蚀刻。环氧预点保持半导体管芯和衬底之间的分离。
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公开(公告)号:CN105097564B
公开(公告)日:2018-03-30
申请号:CN201410198249.8
申请日:2014-05-12
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人: 王奇峰
CPC分类号: H01L24/11 , H01J37/32 , H01L21/02068 , H01L21/50 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/0231 , H01L2224/0239 , H01L2224/034 , H01L2224/0361 , H01L2224/0381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05567 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/1181 , H01L2224/13024 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13166 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/07025 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014
摘要: 一种芯片封装结构的处理方法。本发明采用O2或N2中的至少一种气体的等离子体轰击第一电连接结构、第二电连接结构及暴露所述第一电连接结构、第二电连接结构的绝缘层。上述轰击过程中,O2或N2所产生的等离子体会与沉积在绝缘层表面的金属阳离子反应生成金属原子或金属化合物,上述金属原子、金属化合物为电中性,因而与绝缘层之间无静电吸附,易于脱离绝缘层表面,且上述金属原子、金属化合物也不易反粘至绝缘层表面,对等离子体腔室抽真空即可将上述金属原子、金属化合物排出。
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公开(公告)号:CN106711131A
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201610730201.6
申请日:2016-08-26
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L25/065 , H01L23/48 , H01L21/98
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/76898 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2224/04 , H01L2224/0401 , H01L2224/05557 , H01L2224/05638 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/0569 , H01L2224/08145 , H01L2224/1161 , H01L2224/11616 , H01L2224/11831 , H01L2224/13009 , H01L2224/13019 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13184 , H01L2224/1601 , H01L2224/16012 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/73201 , H01L2224/73204 , H01L2224/80075 , H01L2224/80203 , H01L2224/80896 , H01L2224/8101 , H01L2224/81011 , H01L2224/81012 , H01L2224/81022 , H01L2224/81075 , H01L2224/81203 , H01L2224/81895 , H01L2224/83075 , H01L2224/83104 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/1434 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2924/01014 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2924/00014 , H01L2924/07025 , H01L2224/83 , H01L2224/80 , H01L2924/00012 , H01L2224/08 , H01L2224/16 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供了一种半导体封装件,该半导体封装件包括具有第一连接表面的第一器件、至少部分地从第一连接表面突出的第一导电组件、具有面向第一连接表面的第二连接表面的第二器件和至少从第二连接表面暴露出的第二导电组件。第一导电组件和第二导电组件形成具有第一喙的接头。第一喙指向第一连接表面或第二连接表面。本发明的实施例还涉及半导体封装件的形成方法。
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公开(公告)号:CN103367292A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201310096187.5
申请日:2013-03-25
申请人: 奥林巴斯株式会社
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L21/563 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/11318 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/1184 , H01L2224/11845 , H01L2224/119 , H01L2224/11901 , H01L2224/13005 , H01L2224/13018 , H01L2224/13023 , H01L2224/13078 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1403 , H01L2224/141 , H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81012 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/83104 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/113
摘要: 本发明提供一种电极形成体、布线基板以及半导体装置,其中,该电极形成体能够适当地降低硅晶片直接接合时的荷重,该电极形成体(1)具有:具有规定厚度的基材(10);以及在基材的厚度方向的一个表面上形成的电极部(20),在该电极形成体(1)中,电极部(20)具有:基础突起(21),其形成为大致柱状,在基材(10)上突出;以及脆弱突起(22),其以与基础突起(21)金属键合的方式独立于基础突起而形成。
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公开(公告)号:CN102017819A
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200980115842.9
申请日:2009-04-30
CPC分类号: H05K3/3489 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29109 , H01L2224/75 , H01L2224/751 , H01L2224/7525 , H01L2224/757 , H01L2224/8101 , H01L2224/81011 , H01L2224/81022 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/83801 , H01L2224/83894 , H01L2924/00011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1579 , H01L2924/3025 , H05K3/3436 , H05K2201/10674 , H05K2203/1163 , H01L2924/0132 , H01L2924/00014 , H01L2224/83205
摘要: 不会使被接合物彼此的电气的接触性恶化,而容易地在低温下接合。对在外部引出电极(5)的表面上具有突起电极(6)的半导体芯片(2)以及中间基板(3)的突起电极(8)的表面,通过氢自由基进行氧化膜还原处理,之后,对半导体芯片(2)以及中间基板(3)的外部引出电极(8)以及突起电极(6)进行对位,并且之后,施加载荷而接合。
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公开(公告)号:CN1140389A
公开(公告)日:1997-01-15
申请号:CN96100295.6
申请日:1996-05-17
申请人: 株式会社日立制作所
IPC分类号: H05K3/00
CPC分类号: H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/1181 , H01L2224/13111 , H01L2224/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/75 , H01L2224/7501 , H01L2224/81014 , H01L2224/81022 , H01L2224/81801 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/16152 , H01L2924/166 , H05K3/3457 , H05K3/3489 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T29/49174 , H01L2924/00
摘要: 提供一种应用金属表面处理方法,不使用助焊剂就可进行焊接的电子电路的制造方法。上述金属表面处理方法不必使用复杂的工艺就可以简单且不给电子装置或电路基板带来不利影响地除去金属表面的氧化膜或有机物、炭等等。在用焊料连接电子装置和电路基板之际,先向焊料上照射激光以净化焊料,然后把电子装置进行位置对准并装配到上述电路基板上,再在低氧浓度气氛中加热熔融焊料把电子装置和电路基板连起来。
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