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公开(公告)号：CN108028059A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680053023.6
申请日：2016-03-03
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/1673 , G05F1/56 , G11C5/147 , G11C7/04 , G11C7/12 , G11C11/1697 , G11C11/4076 , G11C11/4094 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2207/002
摘要： 根据一个实施例，一种半导体存储器件包括第一存储体和第二存储体。所述第一存储体和所述第二存储体中的每一者包括具有可变电阻元件的存储单元、参考单元、具有与所述存储单元电耦接的第一输入端和与所述参考单元电耦接的第二输入端的读出放大器、以及电耦接所述存储单元和所述读出放大器的所述第一输入端的第一晶体管。所述第一存储体的所述第一晶体管的栅极和所述第二存储体的所述第一晶体管的栅极被独立地供给电压。
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公开(公告)号：CN106062945A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201480076776.X
申请日：2014-06-24
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L21/3065 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 根据一个实施例，磁存储器包括：包括第一金属的第一金属层；在第一金属层上的第二金属层，第二金属层包括比第一金属更易被氧化的第二金属，第二金属层具有接触第一金属层的第一侧壁部，第二金属层具有在第一侧壁部上面的第二侧壁部，第二侧壁部从第一侧壁部后退；在第二金属层上的磁阻元件；在磁阻元件上的第三金属层；以及接触磁阻元件的侧壁部和第二金属层的第二侧壁部的第一材料，第一材料包括第二金属的氧化物。
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公开(公告)号：CN103392172B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280010158.6
申请日：2012-02-10
申请人： SK海力士公司
IPC分类号： G06F11/10
CPC分类号： G06F11/108 , G06F2211/1045 , G06F2211/1057 , G06F2211/1059
摘要： 在一种用于在存储阵列中存储数据的方法中，写入数据被排列成“r”行和“n”列的页，每个页包括多个扇区。在所述页上使用多个水平和垂直擦除纠正码对所述写入数据进行编码。所述编码允许在r行的任何一行中从最多tr次擦除中恢复，在剩余r-1行的任何一行中从最多tr-1次擦除中恢复，在剩余r-2行的任何一行中从最多tr-2次擦除中恢复，依此类推，使得所述编码允许在最后一个剩余行中从最多t1次擦除中恢复。从所述编码输出编码后的写入数据。作为写入条带而写入所述编码后的写入数据，所述写入条带跨存储阵列中的n个存储设备。
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公开(公告)号：CN102473135B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080031745.4
申请日：2010-07-26
申请人： SK海力士公司
发明人： E·S·埃莱夫特里乌 , R·哈斯 , 胡晓宇
CPC分类号： B62D35/001 , G06F12/0246 , G06F2212/1044 , G06F2212/7205 , G06F2212/7211 , G11C16/349 , G11C16/3495
摘要： 一种存储器管理系统和管理计算机的存储设备的存储块的方法。所述系统包含：空闲块数据结构(12)，其包含供写入的空闲存储块(14)，并根据块写入擦除耐久循环计数以预定顺序排序空闲存储块，以及分别地接收更新现有数据的新的用户写入请求以及重定位现有数据的重定位写入请求；用户写入块池(IS)，用于接收持有来自所述空闲块数据结构的用户写入数据(即，任何频繁更新的页面)的最新块；重定位块池(20)，用于接收持有来自所述空闲块数据结构的重定位数据(即，任何不常更新的页面)的最旧块；以及垃圾收集池结构(24)，用于选择用户写入块和重定位块中的至少一个以便用于垃圾收集，其中选定块在被重定位和擦除后会被移回所述空闲块数据结构。
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公开(公告)号：CN110311035B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201811047858.8
申请日：2018-09-07
摘要： 本发明提供磁性装置及其制造方法。一实施方式的磁性装置具备磁阻效应元件。上述磁阻效应元件包含第1铁磁性体、导电体以及氧化物。上述氧化物设置于上述第1铁磁性体与上述导电体之间。上述氧化物包含稀土类元素的第1氧化物、和共价半径比上述稀土类元素小的元素的第2氧化物。
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公开(公告)号：CN108630805B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201710845287.1
申请日：2017-09-19
摘要： 根据一个实施例，磁存储装置包括磁阻元件，该磁阻元件包括具有可变磁化方向的第一磁性层(20)、具有固定磁化方向的第二磁性层(40)、以及设置在第一磁性层(20)和第二磁性层(40)之间的非磁性层(30)。第一磁性层(20)包括第一子磁性层和第二子磁性层(21，22)，每个至少包含铁(Fe)和硼(B)，以及在第一子磁性层(21)中包含的硼(B)的浓度与在第二子磁性层(22)中包含的硼(B)的浓度不同。
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公开(公告)号：CN108885893B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201680033285.6
申请日：2016-03-14
IPC分类号： G11C13/00 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105
摘要： 根据实施例，一种阻变存储器包括：半导体衬底，具有控制端子、第一端子和第二端子的晶体管，所述晶体管设置在半导体衬底上，覆盖所述晶体管的绝缘层，连接到所述第一端子且设置在所述绝缘层上的第一导线，设置在所述绝缘层上的第二导线，以及连接在所述第二端子和所述第二导线之间的阻变元件。在所述第一导线和所述第二导线的布置方向上，所述第一导线的宽度大于所述第二导线的宽度。
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公开(公告)号：CN105378844A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480016748.9
申请日：2014-03-11
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C7/12 , G11C7/1039 , G11C7/222 , G11C8/10 , G11C8/12 , G11C8/18 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
摘要： 根据一个实施例，存储器包括具有存储体的存储器单元阵列，每个存储体包括行；对应于行提供的第一字线；锁存第一行地址信号的地址锁存电路；激活第一字线中的一个第一字线的行译码器；以及控制电路，该控制电路被配置为执行当加载第一命令时基于存储体地址信号激活存储体中的一个存储体的第一操作，以及在地址锁存电路中锁存第一行地址信号的第二操作，并且执行当在第一命令之后加载第二命令时，基于第二行地址信号和被锁存在地址锁存电路中的第一行地址信号，通过行译码器激活第一字线中的一个第一字线的第三操作。
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公开(公告)号：CN102498522B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201080040772.8
申请日：2010-09-14
申请人： SK海力士公司
发明人： E·S·埃莱夫特里乌 , R·哈斯 , 胡晓宇
IPC分类号： G11C16/34
CPC分类号： G11C16/349 , G11C16/3495
摘要： 提供了固态存储器件(300)和方法。配置多个块(310、315)作为固态存储器件(300)的存储器，且每个块包括多个页。配置控制器(305)以操作所述固态存储器件(300)。所述控制器(305)将标记级别分配给所述多个块中的一个空闲块(310)。对于所述多个页中的特定页，每个特定数据页被写入所述多个块中具有与所述控制器(305)针对该特定页计算的动态性级别对应的标记级别的块(300)。
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