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公开(公告)号：CN103811446A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201210459713.5
申请日：2012-11-15
申请人： 万国半导体(开曼)股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L29/41 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2224/32245 , H01L2224/37 , H01L2224/37147 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2224/48 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48482 , H01L2224/48499 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/85051 , H01L2224/92247 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01079
摘要： 本发明涉及一种封装有金属片的半导体器件中铜线键接的结构及其制作方法，通过键接金线在芯片表面的第二镀层上形成一个金的凸块，以增加覆盖在第一镀层上方、作为铜线键接缓冲层的厚度，因此，在焊接金属片和芯片时的高温回流焊过程中，能够有效防止下方镍的第一镀层扩散到上方金的第二镀层及凸块上，从而在铜线键接至凸块上时保证铜线连接的可靠性。并且，当便清洗由于助焊剂挥发在芯片表面产生的污染物。因此，本发明能够有效解决铜线键接时的NSOP第一焊点问题，保证半导体器件的产品质量。
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公开(公告)号：CN107464788A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610396568.9
申请日：2016-06-06
申请人： 万国半导体(开曼)股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种晶圆级芯片尺寸封装结构及其制备方法，可通过在上层环氧树脂浇灌之前，先对晶圆进行预切割，并一直切到下面保护膜层中，但不切透该保护膜层，然后再进行环氧树脂浇灌以及后续制程，进而在两种不同材料结合面形成凹凸结构，而形成在两种不同材料结合面的凹凸结构可将产品开裂等缺陷的风险减少到最低，从而提高产品的良率、品质及可靠性。
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公开(公告)号：CN103187382B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201110461629.2
申请日：2011-12-27
申请人： 万国半导体(开曼)股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/15724 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种引线框架，更确切的说，本发明旨在提供一种应用在功率半导体元器件中的铝合金引线框架。本发明提供了铝合金混合材料中各基本材料的种类及其比例关系，以及利用该混合材料所制备的铝合金引线框架。并先在引线框架上电镀一层第一金属电镀层，然后再在第一金属电镀层上电镀第二金属电镀层和第三金属电镀层。将镀有第一、第二、第三金属电镀层的引线框架用来完成芯片粘贴、引线键合和塑封工艺等制造流程。完成塑封工艺之后，还需要在第三金属电镀层裸露在塑封材料之外的区域上电镀第四金属电镀层。
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公开(公告)号：CN104979306A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410146382.9
申请日：2014-04-11
申请人： 万国半导体(开曼)股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L21/58
CPC分类号： H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明主要涉及功率半导体封装，更确切地说，是设计一种具备小尺寸贴片印迹面积的功率半导体及其制备方法。具有一个基座，及分别粘附于基座的正面和背面的第一、第二芯片；和设于第一芯片正面的一个或多个互联片和设于第二芯片正面的一个或多个互联片；和包括包覆所述第一、第二芯片、及基座和各互联片的塑封体，其包覆方式为至少使每个互联片的一个侧缘面从塑封体的一个侧缘面中予以外露。
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公开(公告)号：CN104851867A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510315743.2
申请日：2011-12-27
申请人： 万国半导体(开曼)股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/15724 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种引线框架，更确切的说，本发明旨在提供一种应用在功率半导体元器件中的铝合金引线框架。本发明提供了铝合金混合材料中各基本材料的种类及其比例关系，以及利用该混合材料所制备的铝合金引线框架。并先在引线框架上电镀一层第一金属电镀层，然后再在第一金属电镀层上电镀第二金属电镀层和第三金属电镀层。将镀有第一、第二、第三金属电镀层的引线框架用来完成芯片粘贴、引线键合和塑封工艺等制造流程。完成塑封工艺之后，还需要在第三金属电镀层裸露在塑封材料之外的区域上电镀第四金属电镀层。
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公开(公告)号：CN104124221B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310143571.6
申请日：2013-04-23
申请人： 万国半导体(开曼)股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/13 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/41 , H01L2224/4103 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49111 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明一般涉及一种功率器件，尤其是涉及超薄型的功率器件及其制备方法，包括一基板，和贯穿基板厚度的开口，开口对准第二套接触焊盘中的没有与第一套接触焊盘中任何接触焊盘进行电性连接的一个接触焊盘，一个芯片被安装在开口中的，多个导电结构将芯片正面的多个电极分别相对应的电性连接到第一套接触焊盘中的多个接触焊盘上。
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公开(公告)号：CN103811446B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201210459713.5
申请日：2012-11-15
申请人： 万国半导体(开曼)股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L29/41 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2224/32245 , H01L2224/37 , H01L2224/37147 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2224/48 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48482 , H01L2224/48499 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/85051 , H01L2224/92247 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01079
摘要： 本发明涉及一种封装有金属片的半导体器件中铜线键接的结构及其制作方法，通过键接金线在芯片表面的第二镀层上形成一个金的凸块，以增加覆盖在第一镀层上方、作为铜线键接缓冲层的厚度，因此，在焊接金属片和芯片时的高温回流焊过程中，能够有效防止下方镍的第一镀层扩散到上方金的第二镀层及凸块上，从而在铜线键接至凸块上时保证铜线连接的可靠性。并且，当便清洗由于助焊剂挥发在芯片表面产生的污染物。因此，本发明能够有效解决铜线键接时的NSOP第一焊点问题，保证半导体器件的产品质量。
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公开(公告)号：CN104851867B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510315743.2
申请日：2011-12-27
申请人： 万国半导体(开曼)股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/15724 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种引线框架，更确切的说，本发明旨在提供一种应用在功率半导体元器件中的铝合金引线框架。本发明提供了铝合金混合材料中各基本材料的种类及其比例关系，以及利用该混合材料所制备的铝合金引线框架。并先在引线框架上电镀一层第一金属电镀层，然后再在第一金属电镀层上电镀第二金属电镀层和第三金属电镀层。将镀有第一、第二、第三金属电镀层的引线框架用来完成芯片粘贴、引线键合和塑封工艺等制造流程。完成塑封工艺之后，还需要在第三金属电镀层裸露在塑封材料之外的区域上电镀第四金属电镀层。
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公开(公告)号：CN104124221A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201310143571.6
申请日：2013-04-23
申请人： 万国半导体(开曼)股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/13 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/41 , H01L2224/4103 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49111 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明一般涉及一种功率器件，尤其是涉及超薄型的功率器件及其制备方法，包括一基板，和贯穿基板厚度的开口，开口对准第二套接触焊盘中的没有与第一套接触焊盘中任何接触焊盘进行电性连接的一个接触焊盘，一个芯片被安装在开口中的，多个导电结构将芯片正面的多个电极分别相对应的电性连接到第一套接触焊盘中的多个接触焊盘上。
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公开(公告)号：CN104979306B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201410146382.9
申请日：2014-04-11
申请人： 万国半导体(开曼)股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L21/58
CPC分类号： H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明主要涉及功率半导体封装，更确切地说，是设计一种具备小尺寸贴片印迹面积的功率半导体及其制备方法。具有一个基座，及分别粘附于基座的正面和背面的第一、第二芯片；和设于第一芯片正面的一个或多个互联片和设于第二芯片正面的一个或多个互联片；和包括包覆所述第一、第二芯片、及基座和各互联片的塑封体，其包覆方式为至少使每个互联片的一个侧缘面从塑封体的一个侧缘面中予以外露。
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