公开(公告)号：CN104124221B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310143571.6

申请日：2013-04-23

申请人： 万国半导体(开曼)股份有限公司

发明人： 龚玉平 ,  薛彦迅 ,  鲁明朕 ,  黄平 ,  鲁军 ,  哈姆扎·耶尔马兹

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/13 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/37 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/41 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明一般涉及一种功率器件，尤其是涉及超薄型的功率器件及其制备方法，包括一基板，和贯穿基板厚度的开口，开口对准第二套接触焊盘中的没有与第一套接触焊盘中任何接触焊盘进行电性连接的一个接触焊盘，一个芯片被安装在开口中的，多个导电结构将芯片正面的多个电极分别相对应的电性连接到第一套接触焊盘中的多个接触焊盘上。

公开(公告)号：CN103811446B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201210459713.5

申请日：2012-11-15

申请人： 万国半导体(开曼)股份有限公司

发明人： 潘华 ,  何约瑟 ,  鲁军 ,  鲁明朕 ,  牛志强 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L29/41 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48482 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01079

摘要： 本发明涉及一种封装有金属片的半导体器件中铜线键接的结构及其制作方法，通过键接金线在芯片表面的第二镀层上形成一个金的凸块，以增加覆盖在第一镀层上方、作为铜线键接缓冲层的厚度，因此，在焊接金属片和芯片时的高温回流焊过程中，能够有效防止下方镍的第一镀层扩散到上方金的第二镀层及凸块上，从而在铜线键接至凸块上时保证铜线连接的可靠性。并且，当便清洗由于助焊剂挥发在芯片表面产生的污染物。因此，本发明能够有效解决铜线键接时的NSOP第一焊点问题，保证半导体器件的产品质量。

公开(公告)号：CN102403295B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201010282198.9

申请日：2010-09-07

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 薛彦迅 ,  安荷·叭剌 ,  鲁军

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L2224/32245 ,  H01L2224/37 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种金属键接的半导体封装方法，其特点是，提供一引线框架，引线框架包括芯片基座及引脚，在芯片基座上表面设置至少一个基座凹槽，基座凹槽将整个芯片基座区分为多个芯片安装区域；提供多个芯片，通过粘合物将多个芯片安装在对应的芯片基座的各个芯片安装区域；提供至少一个金属片，用于芯片之间的连接；提供引线，用于芯片与引脚之间的连接；提供一塑封体，塑封体塑封上述结构；塑封完毕之后将基座凹槽底部切断，从而将相互连接的芯片安装区域分割为互不连接的各个芯片安装区域。本发明的封装方法能有效的防止芯片安装时粘合物的溢出所造成的对芯片安装设备的污染，并且增加了封装体内芯片的利用率，降低封装成本。

公开(公告)号：CN102222660B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201010167961.3

申请日：2010-04-16

申请人： 万国半导体有限公司

发明人： 刘凯 ,  石磊 ,  鲁军 ,  安荷·叭剌

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L2224/37 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

摘要： 本发明公开了一种双引线框架多芯片共同封装体及其制造方法，包括两个引线框架；多个芯片，多个芯片包括第一芯片、第二芯片及第三芯片；第一芯片设置在第一引线框架上，第二芯片及第三芯片共同设置在第二个引线框架上，第三芯片为旁路电容；两个连接片，分别为顶部连接片和立体连接片，顶部连接片连接第二芯片的顶部接触区及第一引线框架的外部引脚，并且顶部连接片同时连接第三芯片的顶部接触区。本发明简化了多框架多芯片的封装制成工艺，降低了芯片之间的电阻和电感，并且在封装中集成了一个旁路电容，降低了封装过程中的寄生电感，从而提高了整个器件的能量转换效率，并且减小了半导体封装的尺寸，此外，本发明工艺操作简单，制造成本低。

公开(公告)号：CN103515370A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210212518.2

申请日：2012-06-21

申请人： 尼克森微电子股份有限公司

发明人： 谢智正 ,  冷中明

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/36 ,  H01L23/488 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L2224/05554 ,  H01L2224/37 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 一种功率半导体封装体及其制造方法在此揭露，其中功率半导体封装体包含引线框架、第一芯片、第二芯片与单一连接片。引线框架具有电源引线板、接地板、输出引线板、第一栅极引线板与一第二栅极引线板，彼此分开设置。第一芯片设置于电源引线板上，第一芯片内部的高侧功率晶体管的栅极接至第一栅极引线板；第二芯片设置于接地板上，第二芯片内部的低侧功率晶体管的栅极接至第二栅极引线板。连接片设置于第一、第二芯片与输出引线板上，电气连接高侧功率晶体管的源极与低侧功率晶体管的漏极。

公开(公告)号：CN103413851A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310346331.6

申请日：2013-08-10

申请人： 冯春阳 ,  浙江美晶科技有限公司

发明人： 冯春阳 ,  戴胜强 ,  高圣超

IPC分类号： H01L31/048 ,  H01L23/373

CPC分类号： H01L2224/37 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及太阳能发电技术，特别涉及光伏旁路器件及应用该器件的保护电路、接线盒及发电系统。本发明是通过以下技术方案得以实现的：光伏旁路器件，包括塑封体、设于所述塑封体的旁路二极管芯片、裸露于所述塑封体外的散热片及设于所述旁路二极管芯片与所述散热片之间且实现所述旁路二极管与所述散热片电气绝缘的高导热陶瓷基片；所述陶瓷基片的一表面上设有用于焊接所述旁路二极管芯片的焊盘一；所述陶瓷基片另一表面上设有用于焊接所述散热片的焊盘二。本发明具有良好的散热效果。

公开(公告)号：CN103383932A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310293382.7

申请日：2013-07-12

申请人： 苏州固锝电子股份有限公司

发明人： 张雄杰 ,  何洪运 ,  程琳

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L2224/37 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40475 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明一种用于提高芯片电性能的封装结构，其第一引线条一端的支撑区连接到整流芯片下表面，该整流芯片下表面通过焊锡膏与该第一引线条的支撑区电连接；位于第二引线条一端的焊接区与连接片的第一焊接面连接；连接片第二焊接面与整流芯片上表面通过焊锡膏电连接；连接片的第一焊接面和第二焊接面之间具有一中间区，此中间区与第一焊接面和第二焊接面之间分别设有第一折弯处和第二折弯处，所述连接片的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口。本发明封装结构可以自适应吸收多余的焊料，既保证了焊接区域铺展有足够面积的焊料，又避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效，提高了产品电性、可靠性和良率。

公开(公告)号：CN102468249A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110173436.7

申请日：2011-06-23

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 张范植

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/492 ,  H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L23/142 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92157 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 在此公开了一种功率封装模块及制造该功率封装模块的方法，包括：基底；多个高功率芯片和多个低功率芯片，该多个高功率芯片和多个低功率芯片电连接到所述基底；以及多个金属导板，该多个金属导板将所述多个高功率芯片和所述多个低功率芯片电连接到所述基底。

公开(公告)号：CN101819955B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201010164154.6

申请日：2004-12-20

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： 弗朗西斯·J·卡尔尼 ,  迈克尔·J·瑟登

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L2224/32245 ,  H01L2224/37 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/41 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 具有增强散热性的半导体封装结构。在一实施例中，一具有增强散热性的封装的半导体装置包括一引线框架和一半导体芯片，所述半导体芯片包括一主载流电极或发热电极。所述半导体芯片的所述主载流电极面对所述封装的顶面或远离下一级装配。所述封装的半导体装置进一步包括一不平的、阶跃形的或波动形的连接结构，所述连接结构将所述载流电极连接到所述引线框架上。高热导率的成型材料的使用和薄的封装外形进一步增强了散热性。

公开(公告)号：CN102163580A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110062725.X

申请日：2011-03-15

申请人： 上海凯虹电子有限公司

发明人： 莱纳凯斯特纳 ,  柳丹娜 ,  弗兰克德博斯舒茨 ,  李彬 ,  金新城

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/495 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/32245 ,  H01L2224/37 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种薄型封装体，包括：引线框，所述引线框包括芯片贴装部和引脚；芯片，所述芯片设置在引线框的芯片贴装部上；金属片，所述金属片电学连接芯片与引线框对应引脚；塑封体，所述塑封体至少包裹所述芯片、金属片以及金属片分别与芯片和引脚的连接处；所述金属片以及引线框与金属片连接的引脚上均设置有至少一个横向的弯折，以缓冲芯片工作时产生的热应力，塑封体进一步包裹引脚上的弯折部分。本发明的优点在于，通过在金属片和与之连接的引脚上设置横向的弯折结构，缓冲芯片工作时对封装体产生的热应力，并且横线弯折结构还能够避免金属片以及引脚与塑封体之间产生相对滑动，提高了封装体的可靠性。