专利检索 cpc:"H01L2224/371" 第 1 页

1.

发明授权
用于扁平无引线封装的通用引线框架有权

公开(公告)号：CN105047637B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201510181241.5

申请日：2015-04-16

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 麦智皓 , R·R·A·阿利纳 , 黄钰雁 , N·莫斑

IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49541 , C23F1/00 , H01L21/4828 , H01L21/4832 , H01L21/4842 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L24/83 , H01L24/96 , H01L2224/371 , H01L2224/40225 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/85 , H01L2224/45099

摘要： 本公开涉及用于扁平无引线封装的通用引线框架。一种用于半导体封装的通用引线框架包括实心的引线框架板和多个栏，实心的引线框架板包括导电材料，并且多个栏被刻蚀到引线框架板中并且被以预定引线节距来分布，使得通用引线框架具有与栏相对的实心的第一主侧和与第一主侧相对的图形化的第二主侧。一种制造通用引线框架的方法包括提供导电材料的实心的引线框架板，以及将多个栏刻蚀到引线框架板中，使得栏以预定引线节距来分布并且通用引线框架具有与栏相对的实心的第一主侧和与第一主侧相对的图形化的第二主侧。还提供了一种使用通用引线框架制造模制半导体封装的方法。

2.

发明授权
具有超薄封装的高性能功率晶体管有权

公开(公告)号：CN102983114B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201210374536.0

申请日：2012-08-21

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： J·A·和布搜摩 , O·J·洛佩兹 , J·A·诺奇尔

IPC分类号： H01L23/495 , H01L29/78

CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49524 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/3716 , H01L2224/37599 , H01L2224/40245 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

摘要： 场效应晶体管封装包含具有第一线性厚度(150a)的引线框架和减小厚度的引线框架垫(151)；场效应晶体管芯片(140)的第一端附接到垫以及第二和第三端远离垫；第二线性厚度(1l0a)的金属板(110)连接第二晶体管端至封装端；第三线性厚度(112a)的金属板(112)连接第三晶体管端至封装端；第一线性厚度(约0.125mm)和第二线性厚度(约0.125mm)的总和加上附接材料(约0.05mm)构成封装厚度(约0.3mm)。

3.

发明授权
具有堆叠管芯布置的压力传感器封装有权

公开(公告)号：CN104697707B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201410730542.4

申请日：2014-12-05

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： S.比尔 , J.丹格尔迈尔 , H.托伊斯 , H.维乔克

IPC分类号： G01L17/00 , G01L9/00 , G01L1/00

CPC分类号： G01L19/0069 , G01L19/141 , H01L23/24 , H01L23/3135 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2224/04042 , H01L2224/06135 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/371 , H01L2224/40145 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/49109 , H01L2224/49175 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/92246 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/15151 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19107 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 本发明涉及具有堆叠管芯布置的压力传感器封装。压力传感器封装包括压力传感器，其包括具有压力传感器端口的第一侧、与第一侧相对的第二侧、以及电接触。堆叠在压力传感器上的逻辑管芯具有与压力传感器的第二侧附着的第一侧和具有电接触的与第一侧相对的第二侧。该逻辑管芯从压力传感器的电接触横向偏移，并且可操作为处理来自压力传感器的信号。电导体将压力传感器的电接触连接到逻辑管芯的电接触。模制化合物包封压力传感器、逻辑管芯和电导体，并且具有开口，该开口限定了通往压力传感器端口的开口通道。外部电接触被提供在该压力传感器封装的一侧处。

4.

发明授权
电力转换装置有权

公开(公告)号：CN104078455B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201410072526.0

申请日：2014-02-28

申请人： 本田技研工业株式会社

发明人： 米口麻子 , 大西利武 , 前田康宏 , 西尾仁志 , 须原良宣 , 今川良

IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/488 , H01L23/49

CPC分类号： H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/77 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/37013 , H01L2224/371 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/75272 , H01L2224/77272 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84138 , H01L2224/84801 , H01L2224/84815 , H01L2224/849 , H01L2924/00014 , H01L2224/45099 , H01L2924/014

摘要： 本发明提供一种在将母线和引线连接时能够吸收铅垂方向及水平方向的尺寸偏差而将母线和引线可靠地进行接合的电力转换装置。在构成电力转换装置(10)的壳体(12)上设有将第一母线(20)和多个半导体芯片(18a、18b)电连接的连接引线(24)，在该连接引线(24)的一端部形成有相对于水平方向而向下方折弯规定角度的弯曲部(42)，且该弯曲部(42)以面向所述第一母线(20)的铅垂壁(30)的方式设置。并且，铅垂形成的第一母线(20)的铅垂壁(30)和弯曲部(42)以成为锐角的接合角度(C)通过焊料(H)进行接合，并且所述铅垂壁(30)及弯曲部(42)与焊料H的接触端部(50)所成的浸润角(D)小于90°。

5.

发明授权
具有多层裸片组块的半导体封装失效

公开(公告)号：CN104425429B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201410432996.3

申请日：2014-08-28

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 吴国财

IPC分类号： H01L23/495 , H01L25/07 , H01L21/50 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/13 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L23/49562 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L24/89 , H01L25/0652 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32105 , H01L2224/32145 , H01L2224/32237 , H01L2224/32257 , H01L2224/33181 , H01L2224/33505 , H01L2224/371 , H01L2224/37599 , H01L2224/40101 , H01L2224/40137 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/48101 , H01L2224/48137 , H01L2224/49096 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/83851 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/0781 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099

摘要： 一种包括组块的半导体封装，具有第一侧，与第一侧相对的第二侧，以及从第二侧朝向第一侧延伸的凹陷区域，使得组块在凹陷区域中具有较薄部分并且在凹陷区域之外具有较厚部分。半导体封装进一步包括每一个具有相对的第一和第二侧的第一半导体裸片和第二半导体裸片。第一半导体裸片布置在组块的凹陷区域中并且在第一半导体裸片的第一侧处附接至组块的较薄部分。第二半导体裸片在第二半导体裸片的第一侧处附接至第一半导体裸片的第二侧。

6.

发明授权
具有源极向下和感测配置的半导体裸片和封装体有权

公开(公告)号：CN104282652B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201410327670.4

申请日：2014-07-10

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： R·奥特雷姆巴 , J·赫格劳尔 , G·诺鲍尔 , M·珀尔齐尔

IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/481 , H01L23/48 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/072 , H01L29/407 , H01L29/66477 , H01L29/7397 , H01L29/7803 , H01L29/7813 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/40137 , H01L2224/40245 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73221 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L2224/84

摘要： 一种半导体裸片，包括：半导体主体；晶体管器件，布置在所述半导体主体中并且具有栅极、源极和漏极；感测器件，布置在所述半导体主体中并且可操作用于感测与所述晶体管器件相关联的参数。该裸片进一步包括：源极焊盘，在所述半导体主体的第一侧处并且电连接到所述晶体管器件的源极；漏极焊盘，在与所述第一侧相对的所述半导体主体的第二侧处并且电连接到所述晶体管器件的漏极；以及感测焊盘，在所述半导体主体的第二侧处并且与所述漏极焊盘间隔开。所述感测焊盘电连接到所述感测器件。还公开了对应的封装体和制造方法。

7.

发明授权
半导体器件有权

公开(公告)号：CN103843122B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201180073865.5

申请日：2011-09-30

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 金泽孝光 , 秋山悟

IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/822 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/04

CPC分类号： H01L25/072 , H01L21/8213 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L27/0207 , H01L27/0617 , H01L27/088 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/3701 , H01L2224/3702 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40105 , H01L2224/40145 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2224/84

摘要： 提供一种能够提高半导体器件的可靠性的技术。在本发明中，形成在半导体芯片（CHP1）的表面的栅极焊盘（GPj）以相较于其他引线（漏极引线（DL）和栅极引线（GL））更靠近源极引线（SL）的方式配置。其结果为，根据本发明，能够缩短栅极焊盘（GPj）与源极引线（SL）之间的距离，因此，能够缩短连接栅极焊盘（GPj）和源极引线（SL）的导线（Wgj）的长度。由此可知，根据本发明，能够充分地降低存在于导线（Wgj）的寄生电感。

8.

发明授权
半导体器件有权

公开(公告)号：CN102956619B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210308191.9

申请日：2012-08-24

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 宇野友彰 , 女屋佳隆 , 加藤浩一 , 工藤良太郎 , 七种耕治

IPC分类号： H01L23/544 , H01L25/07 , H02M1/08

CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/823487 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L25/074 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H02M1/32 , H02M3/156 , H02M2001/0009 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014

摘要： 本发明的实施例涉及半导体器件。在可靠性上改进一种半导体器件。在一个半导体芯片中形成用于切换的功率MOSFET以及面积比功率MOSFET更小的、用于感测功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET。在芯片装配部分之上装配并且在树脂中密封半导体芯片。金属板键合到用于输出功率MOSFET中流动的电流的第一源极焊盘和第二源极焊盘。用于感测功率MOSFET的源极电压的第三源极焊盘在未与金属板重叠的位置。在形成第三焊盘的源极接线与形成第一焊盘和第二焊盘的另一源极接线之间的耦合部分在与金属板重叠的位置。

9.

发明公开
半导体模块有权

公开(公告)号：CN106133896A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201480077596.3

申请日：2014-04-04

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 谷昌和 , 出口善行

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/40 , H01L23/3675 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/84 , H01L2224/37028 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40139 , H01L2224/40245 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2224/8482 , H01L2224/8484 , H01L2224/8485 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014

摘要： 本发明所涉及的半导体模块中，用于将配置于基板或母线的半导体元件与其他电子元器件电连接的导电构件具备如下结构：即、该结构具有可挠性，能够降低与半导体元件间的接合部处因导电构件与半导体元件间的线膨胀系数差而造成的冷热应力，并能吸收连接对象的尺寸公差，其结果是，既能增大半导体装置的电流容量，又能提高半导体模块的可靠性。