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公开(公告)号：CN101165934A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710100842.4
申请日：2007-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: C23C16/305 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种制造相变存储器的方法和形成该相变存储器中的相变层的方法。制造相变存储器的方法包括供应包括Ge的二价第一前体到其上将形成所述相变层的底层上。所述相变层利用MOCVD、循环CVD和ALD方法中的一种形成，并且所述相变层的成分通过沉积压力、沉积温度或反应气体的供应速率控制。所述沉积压力范围为0.001托－10托，所述沉积温度范围为150－350℃，并且所述反应气体的供应速率范围为0－1slm。
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公开(公告)号：CN101226987A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810009536.4
申请日：2008-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C14/0623 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种相变层和形成相变层的方法以及包括该相变层的相变存储器件和该相变存储器件的制造和操作方法。该相变层由包括铟(In)的数量在大约15at.％至大约20at.％范围内的四元化合物形成。该相变层可以是InaGebSbcTed，其中锗(Ge)的数量在大约10at.％≤b≤大约15at.％范围内，锑(Sb)的数量在大约20at.％≤c≤大约25at.％范围内，以及碲(Te)的数量在大约40at.％≤d≤大约55at.％范围内。
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公开(公告)号：CN101222020A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810009514.8
申请日：2008-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , C25D3/56 , C25D5/50 , C25D7/12 , C25D9/08 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/1641 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了一种形成相变层的方法，一种采用形成相变层的方法制造存储节点的方法，以及一种采用制造存储节点的方法来制造相变存储器件的方法。形成相变层的方法可以采用电化学沉积(ECD)方法。形成相变层的方法可以包括：通过混合溶剂和前驱体形成电解液，每个前驱体包括相变层的元素；将阳极板和阴极板浸在电解液中以相互隔离，其中阴极板可以为将在其上沉积相变层的衬底；设定相变层的沉积条件；以及在阳极板和阴极板之间供应电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101192650A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710306140.1
申请日：2007-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , C23C16/305 , C23C16/45531 , C23C16/45553 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种利用Ge化合物形成相变层的方法和利用其制造相变存储器件的方法。制造相变层存储器件的方法包括在待于其上形成相变层的底层上提供第一前体，其中第一前体是包含锗(Ge)且具有环状结构的二价前体。第一前体可以是具有Ge－N键的环亚甲锗烷基基于Ge的化合物或大环亚甲锗烷基基于Ge的化合物。可以利用MOCVD方法、循环CVD方法或ALD方法形成相变层。相变层的组成可以由在0.001－10托范围内的沉积压力、在150℃－350℃范围内的沉积温度和/或在0－1slm范围内的反应气体流量控制。
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公开(公告)号：CN101162758A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710096084.3
申请日：2007-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1683 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1616
Abstract: 提供一种包含相变层表面处理工艺的制备相变存储装置的方法，所述方法包含：在形成相变层之前，在其上欲形成相变层的底层表面上形成涂层，其中所述涂层具有有助于烷基容易地粘附到所述底层表面的化学结构。在形成涂层之后，采用原子层沉积(ALD)法形成相变层。
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公开(公告)号：CN101093873A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200610136260.7
申请日：2006-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/148 , C23C16/0272 , C23C16/305 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
Abstract: 本发明公开了在非晶材料层上制造具有良好结晶性和良好表面形貌的GeSbTe薄膜的方法，以及使用该GeSbTe薄膜制造方法制造相变随机访问存储器的方法及相变随机访问存储器。制造GeSbTe薄膜的方法包括如下操作：通过向非晶材料层上表面供给选自由Ge前驱体、Sb前驱体及Te前驱体组成的组中的一种或两种，由此获得由Ge、Sb、Te、Sb2Te3或掺Sb的Ge形成的籽晶层；以及通过向籽晶层的上表面供给Ge前驱体、Sb前驱体和Te前驱体而形成GeSbTe薄膜。
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公开(公告)号：CN115955909A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211135996.8
申请日：2022-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置能够通过调整包括在用于支撑下电极的电极支撑件中的穿透图案的布置来改善装置的性能和可靠性。该半导体装置包括：多个下电极，在基底上沿着第一方向和与第一方向不同的第二方向重复布置；以及第一电极支撑件，支撑所述多个下电极，并且包括多个第一穿透图案，其中，第一电极支撑件包括中心区域和沿着中心区域的周界限定的边缘区域，其中，第一穿透图案包括在中心区域中以第一间隔间隔开的中心穿透图案，并且其中，第一穿透图案包括在边缘区域中以第二间隔间隔开的边缘穿透图案，第二间隔不同于第一间隔。
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公开(公告)号：CN101162758B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200710096084.3
申请日：2007-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1683 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1616
Abstract: 提供一种包含相变层表面处理工艺的制备相变存储装置的方法，所述方法包含：在形成相变层之前，在其上欲形成相变层的底层表面上形成涂层，其中所述涂层具有有助于烷基容易地粘附到所述底层表面的化学结构。在形成涂层之后，采用原子层沉积(ALD)法形成相变层。
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