公开(公告)号：CN117619685A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311064575.5

申请日：2023-08-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李茂松 ,  尹详皓 ,  金炯局

IPC分类号： B05D1/00 ,  B05D3/12 ,  B05D3/00 ,  B05D7/24 ,  H01L33/44

摘要： 提供了旋涂机和通过使用该旋涂机来制造半导体器件的方法。所述方法包括：向晶片提供粘性溶液；使所述晶片自旋以用所述粘性溶液涂布所述晶片的至少一部分；以及通过使用声波来处理涂布有所述粘性溶液的所述晶片，其中，所述声波的频率和涂布有所述粘性溶液的所述晶片的本征频率是相同的。

公开(公告)号：CN117153820A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310194515.9

申请日：2023-03-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李茂松 ,  金真善 ,  郭仁浩 ,  朴道炫 ,  韩睿恩 ,  尹详皓 ,  李承润 ,  金暖莹

IPC分类号： H01L23/544

摘要： 一种半导体器件包括：衬底，具有键区域；在键区域上的虚设有源图案，该虚设有源图案包括第一杂质区域和第二杂质区域；线结构，设置在第一杂质区域上并在第一方向上延伸；虚设栅电极，设置在第一杂质区域和第二杂质区域之间并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及虚设接触部，被设置为与线结构的一侧相邻并连接到第二杂质区域。虚设接触部包括在第二方向上布置的多个长接触部。

公开(公告)号：CN118412293A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410092266.7

申请日：2024-01-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李旻洙 ,  姜旼秀 ,  尹详皓 ,  黄灿

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/544

摘要： 提供了检测图案重叠的方法和使用其形成图案的方法。该检测图案重叠的方法包括在衬底上形成下图案和上图案。绘制与下图案有公切线的样本图案。使用公切线计算下图案的真实重心的位置。

公开(公告)号：CN118197905A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311692230.4

申请日：2023-12-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴炳善 ,  尹详皓 ,  郑宇陈

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/66 ,  G03F7/20

摘要： 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在晶片上形成叠层，其中，所述叠层包括多个层；在所述叠层上形成光刻胶图案；确定所述叠层的所述多个层当中的至少一个层的材料是否已经改变以及用于形成所述叠层的所述多个层的多个工艺当中的至少一个工艺是否已经改变；在确定出所述至少一个层的材料或所述至少一个工艺已经改变时，改变用于套刻测量的第一波长；以及使用改变后的用于套刻测量的第一波长来测量套刻。

公开(公告)号：CN117991582A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311458657.8

申请日：2023-11-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 宋玟承 ,  金壮勋 ,  尹详皓 ,  黄灿

IPC分类号： G03F1/70 ,  G03F1/22

摘要： 一种制造极紫外掩模的方法，包括：准备初步布局；通过使用经由使用初步布局而形成的多个初步间隔物图案来形成多个初步目标图案；评估所述多个初步目标图案之中的异常目标图案的存在或不存在；当所述多个初步目标图案包括异常目标图案时，通过修改初步布局来准备配置为形成多个间隔物图案的布局；以及用所述布局制造极紫外掩模以通过使用所述多个间隔物图案形成多个目标图案，其中，所述多个初步间隔物图案在一个方向上延伸。

公开(公告)号：CN117812910A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311243233.X

申请日：2023-09-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金壮勋 ,  尹详皓 ,  黄灿

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种制造半导体器件的方法，通过在基板的不同区域上分别形成以不同间隔设置的多个线图案并对多个线图案应用双重图案化工艺，即使没有在不同区域中的任何一个上额外执行曝光工艺，也可以实现期望的掩模图案。这种方法可以提高半导体器件的产品可靠性和制造经济可行性。

公开(公告)号：CN117590699A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310907578.4

申请日：2023-07-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 梁原浚 ,  尹详皓 ,  郑宇陈 ,  姜旼秀

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F9/00

摘要： 提供了一种重叠测量方法，包括：设置基底上的重叠偏移，通过照射电子束获得单元图像，以及基于单元图像获得上图案的第一图像和下图案的第二图像，将第一图像与第二图像合并，测量合并图像的重叠，以及校正用于测量重叠的测量参数，以提高所述重叠偏移与所述重叠的测量结果值之间的一致性，其中，测量参数基于所述重叠的结果值中的被分类为测量失败的测量失败值的数量而被校正。

公开(公告)号：CN117524900A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310832208.9

申请日：2023-07-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 孔秀彬 ,  尹详皓 ,  郑宇陈

IPC分类号： H01L21/66 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

摘要： 本公开涉及临界尺寸检查方法及使用该方法的半导体器件制造方法。一种用于检查临界尺寸的方法可以包括：提供衬底；在所述衬底上施加光刻胶；可变地将一定剂量的光照射到所述光刻胶上；执行光刻工艺以对所述光刻胶进行显影，从而形成光刻胶图案；使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模执行蚀刻工艺以形成多个图案；测量所述多个图案中的每一个图案的宽度和所述多个图案中的相邻图案之间的间距；以及基于所述测出的宽度和所述测出的间距来识别所述光刻工艺中的缺陷的原因。

公开(公告)号：CN114156268A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202110571210.6

申请日：2021-05-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 林东均 ,  金永信 ,  朴基振 ,  宋昊柱 ,  杨同官 ,  尹详皓 ,  李奎贤 ,  李知垠 ,  韩昇煜 ,  洪润基

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/423 ,  H01L21/027 ,  H01L21/266

摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅极结构，位于基底上；第一间隔件结构和第二间隔件结构，分别位于栅极结构的彼此相对的第一侧壁和第二侧壁上；以及第一源极/漏极层和第二源极/漏极层，分别位于基底的与栅极结构的第一侧壁相邻的上部和基底的与栅极结构的第二侧壁相邻的上部处。栅极结构的上表面具有参照作为基准面的基底的上表面从栅极结构的中心部分到栅极结构的第一侧壁减小并且从栅极结构的中心部分到栅极结构的第二侧壁基本恒定的高度。