公开(公告)号：CN107799464B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201710794636.1

申请日：2017-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔正宪 ,  金桢益 ,  梁明 ,  金哲性 ,  玄尚镇

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/535 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层中包括有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比；在第一沟槽和第二沟槽中的阻挡层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述阻挡层上的籽晶层；在籽晶层上并填充在第一沟槽中的第一体层；和在籽晶层上并填充在第二沟槽中的第二体层，其中第二体层的平均晶粒大小大于第一体层的平均晶粒大小。

公开(公告)号：CN105448911B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201510603877.4

申请日：2015-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严大耳 ,  李宣姃 ,  崔正宪

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底上的N型鳍和P型鳍；第一栅电极，其被构造为与N型鳍交叉，并覆盖N型鳍的侧表面；第二栅电极，其被构造为与P型鳍交叉，并覆盖P型鳍的侧表面；第一源极/漏极，其位于N型鳍上，邻近于第一栅电极；第二源极/漏极，其位于P型鳍上，邻近于第二栅电极；缓冲层，其位于第二源极/漏极的表面上，并包括不同于第二源极/漏极的材料；层间绝缘层，其位于缓冲层和第一源极/漏极上；第一插塞，其连接至第一源极/漏极，并且穿过层间绝缘层；以及第二插塞，其连接至第二源极/漏极，并且穿过层间绝缘层和缓冲层。

公开(公告)号：CN105448911A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510603877.4

申请日：2015-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严大耳 ,  李宣姃 ,  崔正宪

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底上的N型鳍和P型鳍；第一栅电极，其被构造为与N型鳍交叉，并覆盖N型鳍的侧表面；第二栅电极，其被构造为与P型鳍交叉，并覆盖P型鳍的侧表面；第一源极/漏极，其位于N型鳍上，邻近于第一栅电极；第二源极/漏极，其位于P型鳍上，邻近于第二栅电极；缓冲层，其位于第二源极/漏极的表面上，并包括不同于第二源极/漏极的材料；层间绝缘层，其位于缓冲层和第一源极/漏极上；第一插塞，其连接至第一源极/漏极，并且穿过层间绝缘层；以及第二插塞，其连接至第二源极/漏极，并且穿过层间绝缘层和缓冲层。

公开(公告)号：CN107452719A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710400074.8

申请日：2017-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔正宪 ,  金永倬 ,  严大耳 ,  李宣姃

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/7851 ,  H01L23/647

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：绝缘层；绝缘层上的金属电阻图案；金属电阻图案的侧壁上的间隔物；以及与间隔物间隔开的栅接触，栅接触延伸到绝缘层中，其中绝缘层包括从其凸出的凸起，该凸起接触栅接触。

公开(公告)号：CN106972015A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610944717.0

申请日：2016-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成洙 ,  朴起宽 ,  崔正宪 ,  柳庚玟 ,  李宣姃

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42356

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其包括第一区和第二区；第一区的衬底上的第一栅极结构和第二栅极结构；第二区的衬底上的第三栅极结构和第四栅极结构；第一层间绝缘膜，其位于第一区的衬底上，并且包括第一下层间绝缘膜和第一上层间绝缘膜；第二层间绝缘膜，其位于第二区的衬底上，并且包括第二下层间绝缘膜和第二上层间绝缘膜；第一接触部分，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间和第一层间绝缘膜中；以及第二接触部分，其形成在第三栅极结构与第四栅极结构之间，并且位于第二层间绝缘膜中。

公开(公告)号：CN105870167B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201610083064.1

申请日：2016-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔正宪 ,  严大耳 ,  李宣姃 ,  张星旭

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提供集成电路器件。一种集成电路器件包括：源极/漏极区域，其具有在其顶部中的凹陷；接触插塞，其在源极/漏极区域上从凹陷内部延伸；以及金属硅化物层，其用作凹陷的衬里，并具有覆盖接触插塞的底面的第一部分和与第一部分成一体并覆盖接触插塞的侧面的下部的第二部分。硅化物层的第二部分可以具有与硅化物层的第一部分的厚度不同的厚度。硅化物层在相对低的温度形成，以在源极/漏极区域与接触插塞之间提供改善的电阻特性。

公开(公告)号：CN107799464A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710794636.1

申请日：2017-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔正宪 ,  金桢益 ,  梁明 ,  金哲性 ,  玄尚镇

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/535 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L21/76862 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/535 ,  H01L29/4236 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5283 ,  H01L29/45

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层中包括有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比；在第一沟槽和第二沟槽中的阻挡层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述阻挡层上的籽晶层；在籽晶层上并填充在第一沟槽中的第一体层；和在籽晶层上并填充在第二沟槽中的第二体层，其中第二体层的平均晶粒大小大于第一体层的平均晶粒大小。

公开(公告)号：CN105870167A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610083064.1

申请日：2016-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔正宪 ,  严大耳 ,  李宣姃 ,  张星旭

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1604 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42356

Abstract: 本公开提供集成电路器件。一种集成电路器件包括：源极/漏极区域，其具有在其顶部中的凹陷；接触插塞，其在源极/漏极区域上从凹陷内部延伸；以及金属硅化物层，其用作凹陷的衬里，并具有覆盖接触插塞的底面的第一部分和与第一部分成一体并覆盖接触插塞的侧面的下部的第二部分。硅化物层的第二部分可以具有与硅化物层的第一部分的厚度不同的厚度。硅化物层在相对低的温度形成，以在源极/漏极区域与接触插塞之间提供改善的电阻特性。

公开(公告)号：CN107452719B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201710400074.8

申请日：2017-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔正宪 ,  金永倬 ,  严大耳 ,  李宣姃

IPC: H01L23/64

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：绝缘层；绝缘层上的金属电阻图案；金属电阻图案的侧壁上的间隔物；以及与间隔物间隔开的栅接触，栅接触延伸到绝缘层中，其中绝缘层包括从其凸出的凸起，该凸起接触栅接触。

公开(公告)号：CN106972015B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201610944717.0

申请日：2016-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成洙 ,  朴起宽 ,  崔正宪 ,  柳庚玟 ,  李宣姃

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其包括第一区和第二区；第一区的衬底上的第一栅极结构和第二栅极结构；第二区的衬底上的第三栅极结构和第四栅极结构；第一层间绝缘膜，其位于第一区的衬底上，并且包括第一下层间绝缘膜和第一上层间绝缘膜；第二层间绝缘膜，其位于第二区的衬底上，并且包括第二下层间绝缘膜和第二上层间绝缘膜；第一接触部分，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间和第一层间绝缘膜中；以及第二接触部分，其形成在第三栅极结构与第四栅极结构之间，并且位于第二层间绝缘膜中。