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公开(公告)号：CN101174646A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710110328.9
申请日：2007-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L27/22 , H01L23/522
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/22 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , G11C2213/76
Abstract: 公开了一种半导体存储器件和字线接触部的布局结构，其中，所述半导体存储器件包括：有源区、多个存储单元和字线接触部。有源区沿作为长度方向的第一方向设置在半导体衬底上，并且用作字线。多个存储单元沿第一方向设置在有源区上，并且每一个均由一个可变电阻器件和一个二极管器件组成。在字线接触部中，在各单元之间设置至少一个字线接触部，其中每一个单元均由有源区上的预定数目的存储单元构成。可以防止或大大减少诸如相邻字线之间的短路之类的桥接效应。
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公开(公告)号：CN1697082A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510071683.0
申请日：2005-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C2013/0078 , G11C2013/0088 , G11C2013/0092
Abstract: 一种编程相变型存储器阵列的方法和一种相变型存储器件的电路，所述阵列和存储器件都具有多个相变型存储单元，该方法和器件可以使其中所有的相变型存储单元被改变或者设置为置位电阻状态，并且可以减少将该相变型存储器阵列改变为置位电阻状态所需的时间。在这个方法中，可以将具有第一到第n等级的置位电流脉冲施加于该阵列的单元以将这些单元改变为置位电阻状态。按任何等级的施加于相变型存储单元的置位电流脉冲的最小电流电平可以高于该阵列的单元的基准电流电平。置位电流脉冲的指定电流电平可以按顺序逐个等级减小。
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公开(公告)号：CN1664953A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510006246.0
申请日：2005-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092
Abstract: 相变单元存储器件包括数个相变存储单元、地址电路、写驱动器和写驱动器控制电路。相变存储单元的每一个都包括可在非晶态和晶态之间可编程的一块材料。地址电路选择至少一个存储单元，写驱动器生成将地址电路选择的存储单元编程(program)为非晶态的复位脉冲电流，以及将地址电路选择的存储单元编程为晶态的置位脉冲电流。写驱动器控制电路根据写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载，改变复位脉冲电流和置位脉冲电流中的至少一个的脉冲宽度和脉冲计数中的至少一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1996493B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610171783.5
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56 , H01L27/24 , H01L23/522
CPC classification number: G11C8/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 提供了一种相变存储器件。所述相变存储器件包括：相变存储单元阵列，其包括：具有多个相变存储单元的第一存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于多条位线中的每一条和第一字线之间，具有多个相变存储单元的第二存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于所述多条位线中的每一条和第二字线之间，以及第一和第二下拉晶体管，其下拉所述第一和第二字线的每一电压电平，并共享节点；以及行驱动器，其包括用于上拉所述第一和第二字线中的每一电压电平的第一和第二上拉晶体管。
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公开(公告)号：CN1975927B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200610163200.4
申请日：2006-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种相可变存储器件以及读取数据的相关方法。存储器件由存储单元、高电压电路、预充电电路、偏置电路、以及读出放大器组成。每一个存储单元包括相可变材料和与位线相连的二极管。高电压电路根据电源提供高电压。预充电电路在将位线充电到电源电压之后，将位线升高到高电压。偏置电路借助于高电压向位线提供读取电流。读出放大器借助于高电压将位线的电压与基准电压相比较，并且从存储单元读取数据。存储器件能够减少预充电操作期间高电压电路的负荷，从而确保在读出期间足够的读出裕度。
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公开(公告)号：CN101051526A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710092124.7
申请日：2007-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C8/10 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/72
Abstract: 公开了一种相变存储器装置。其包括：存储单元阵列，包括关于相变材料编程的多个存储单元；以及写入驱动器电路，被配置为向选定存储单元提供置位电流与复位电流。该写入驱动器电路包含被配置为提供置位电流的置位电流驱动器以及被配置为提供复位电流的复位电流驱动器。
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公开(公告)号：CN1996493A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610171783.5
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56 , H01L27/24 , H01L23/522
CPC classification number: G11C8/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 提供了一种相变存储器件。所述相变存储器件包括：相变存储单元阵列，其包括：具有多个相变存储单元的第一存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于多条位线中的每一条和第一字线之间，具有多个相变存储单元的第二存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于所述多条位线中的每一条和第二字线之间，以及第一和第二下拉晶体管，其下拉所述第一和第二字线的每一电压电平，并共享节点；以及行驱动器，其包括用于上拉所述第一和第二字线中的每一电压电平的第一和第二上拉晶体管。
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公开(公告)号：CN1975927A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163200.4
申请日：2006-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种相可变存储器件以及读取数据的相关方法。存储器件由存储单元、高电压电路、预充电电路、偏置电路、以及读出放大器组成。每一个存储单元包括相可变材料和与位线相连的二极管。高电压电路根据电源提供高电压。预充电电路在将位线充电到电源电压之后，将位线升高到高电压。偏置电路借助于高电压向位线提供读取电流。读出放大器借助于高电压将位线的电压与基准电压相比较，并且从存储单元读取数据。存储器件能够减少预充电操作期间高电压电路的负荷，从而确保在读出期间足够的读出裕度。
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