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公开(公告)号：CN110060936B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910025777.6
申请日：2019-01-11
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种晶圆测量设备、一种晶圆测量系统以及一种制造半导体装置的方法。用于测量形成在晶圆上的第一测量目标的可测量特性的晶圆测量系统包括存储器和处理器。存储器配置为存储晶圆的图像、均包括至少一条线的多个模板以及测量程序。处理器可访问存储器并且配置为执行包括在测量程序中的多个模块。模块包括：模板选择模块，配置为接收模板，并且选择与第一测量目标的形状对应的测量模板；模板匹配模块，配置为将测量模板与第一测量目标进行匹配；测量模块，配置为基于测量模板的位置信息来测量第一测量目标的可测量特性。
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公开(公告)号：CN109390245B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201810902836.9
申请日：2018-08-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/66 , G06V10/774 , G06V10/764 , G06T7/00
摘要： 一种使用晶片图分析器分析晶片图的方法包括：产生多个第一晶片图，所述多个第一晶片图各自显示出对于多个信道中的对应信道而言第一晶片的特性。对所述多个第一晶片图一同进行自动编码以提取第一特征。所述方法还包括：判断所述第一特征是否是是有效图案；在所述第一特征是有效图案时，基于非监督学习对所述第一特征的类型进行分类；以及提取被分类成与所述第一特征同一类型的特征的代表性图像。
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公开(公告)号：CN105976349B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201610135002.0
申请日：2016-03-10
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明提供一种使用高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)图像的晶粒分析方法和系统。所述方法涉及分析纳米晶粒，包括：接收HRTEM图像，针对HRTEM图像设置每个具有预定大小的局部窗口，对通过局部窗口确定的像素数据执行至少一次快速傅里叶变换以计算局部转换数据，基于局部转换数据分析晶粒。
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公开(公告)号：CN109390245A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810902836.9
申请日：2018-08-09
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种使用晶片图分析器分析晶片图的方法包括：产生多个第一晶片图，所述多个第一晶片图各自显示出对于多个信道中的对应信道而言第一晶片的特性。对所述多个第一晶片图一同进行自动编码以提取第一特征。所述方法还包括：判断所述第一特征是否是是有效图案；在所述第一特征是有效图案时，基于非监督学习对所述第一特征的类型进行分类；以及提取被分类成与所述第一特征同一类型的特征的代表性图像。
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公开(公告)号：CN108171660A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711252449.7
申请日：2017-12-01
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G06T17/205 , G06K9/00201 , G06K9/40 , G06K9/6267 , G06T5/002 , G06F17/5018 , G06T17/20
摘要： 一种降低结构噪声的方法、装置及基于计算机的电子系统。为降低结构噪声，所述方法包括获得表示输入结构的输入数据且通过将所述输入数据的多个结构元素中的每一个结构元素的数据分类成信号分量或噪声分量来设定边界条件。基于所述边界条件对所述输入数据执行平滑运算。通过降低所述输入结构的噪声来提供表示输出结构的输出数据。
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公开(公告)号：CN108171660B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201711252449.7
申请日：2017-12-01
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种降低结构噪声的方法、装置及基于计算机的电子系统。为降低结构噪声，所述方法包括获得表示输入结构的输入数据且通过将所述输入数据的多个结构元素中的每一个结构元素的数据分类成信号分量或噪声分量来设定边界条件。基于所述边界条件对所述输入数据执行平滑运算。通过降低所述输入结构的噪声来提供表示输出结构的输出数据。
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公开(公告)号：CN106601642B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201610899136.X
申请日：2016-10-14
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开了一种测量厚度的方法、处理图像的方法和执行其的电子系统。可以基于结构的原始图像来测量在结构中的第一层的厚度。可以在原始图像中识别第一层的第一边界。可以通过基于第一边界将原始图像转换为第一图像并且基于对第一图像滤波生成第二图像来识别在原始图像中基本难以辨识的第二边界。可以基于将原始图像的局部图像部分调整为使第一边界的标识与轴线对准来生成第一图像，使得第一图像包括与轴线基本平行地延伸的第一边界的标识。可以从第二图像识别第二边界，可以基于识别的第一边界与第二边界来确定层的厚度。
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公开(公告)号：CN106601642A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610899136.X
申请日：2016-10-14
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G06T7/0004 , G06T5/002 , G06T7/12 , G06T7/62 , G06T2207/10061 , G06T2207/20024 , G06T2207/20048 , G06T2207/20216 , G06T2207/30148 , H01L22/12 , G01B15/02 , G06T5/50
摘要： 公开了一种测量厚度的方法、处理图像的方法和执行其的电子系统。可以基于结构的原始图像来测量在结构中的第一层的厚度。可以在原始图像中识别第一层的第一边界。可以通过基于第一边界将原始图像转换为第一图像并且基于对第一图像滤波生成第二图像来识别在原始图像中基本难以辨识的第二边界。可以基于将原始图像的局部图像部分调整为使第一边界的标识与轴线对准来生成第一图像，使得第一图像包括与轴线基本平行地延伸的第一边界的标识。可以从第二图像识别第二边界，可以基于识别的第一边界与第二边界来确定层的厚度。
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公开(公告)号：CN109426698B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201810999604.X
申请日：2018-08-29
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/336 , G06N3/084 , G06N7/01 , G06F30/20 , G06F30/39 , G06N3/048
摘要： 提供了一种良率预测装置。良率预测装置可以包括耦接到至少一个非暂时性计算机可读介质的至少一个处理器。所述至少一个处理器可以被配置为：接收与半导体器件的工作特性相关联的第一变量；对半导体器件的工作特性执行模拟；使用模拟结果执行神经网络回归分析，以确定针对第一变量的第一函数；以及基于高级蒙特卡罗模拟来预测半导体集成电路的良率。高级蒙特卡罗模拟的输入可以包括所确定的第一函数。
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