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公开(公告)号:CN112713208B
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202010679051.7
申请日:2020-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供了超光学器件及其制造方法以及电子装置。一种配置为感测入射光的超光学器件包括多个纳米棒,每个纳米棒具有比入射光的波长小的形状尺寸。每个纳米棒包括第一导电类型半导体层、本征半导体层以及第二导电类型半导体层。超光学器件可以分离并感测入射光的波长。
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公开(公告)号:CN107462983A
公开(公告)日:2017-12-12
申请号:CN201710151679.8
申请日:2017-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B27/58 , G02B1/02 , G02B3/08 , G02B5/1809 , G02B5/1876 , G02B21/0072 , G02B21/02 , G02B19/0004 , G02B21/002
Abstract: 本发明提供了电磁波聚焦装置、光学设备和显微镜。电磁波聚焦装置可以包括位于离参考点不同距离处的多个材料构件。材料构件的间隔和/或宽度可以随着距参考点的距离而变化。例如,材料构件的间隔和/或宽度可以随着距参考点的距离而增加或减小。可以控制材料构件的间隔和/或宽度以满足与电磁波的空间相干条件。
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公开(公告)号:CN106816809A
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201610852546.9
申请日:2016-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/24 , H01S5/0206 , H01S5/0425 , H01S5/0653 , H01S5/1017 , H01S5/1032 , H01S5/1042 , H01S5/1075 , H01S5/1082 , H01S5/2027 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/3211 , H01S5/343 , H01S2301/16 , H01S2301/176 , H01S5/3407 , H01S5/347
Abstract: 一种半导体激光谐振器以及包括其的半导体激光装置,该半导体激光谐振器配置为产生激光束,其包括增益介质层,增益介质层包括半导体材料且包括由至少一个沟槽形成的至少一个突起以在增益介质层的上部中突出。在半导体激光谐振器中,至少一个突起配置为将激光束限制为在至少一个突起中的驻波。
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公开(公告)号:CN101587812B
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN200910007066.2
申请日:2009-02-09
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
Abstract: 本发明公开了一种电子束聚焦电极以及利用该电极的电子枪,所述电子束聚焦电极包括:板,所述板具有多边形通孔;形成在所述通孔的至少一条边上的至少一个突出部分。通过利用这种电子束聚焦电极,可以减小矩形横截面的电子束的发散现象。此外,可以提高电子枪的输出,并容易聚焦电子束。
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公开(公告)号:CN101587812A
公开(公告)日:2009-11-25
申请号:CN200910007066.2
申请日:2009-02-09
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
Abstract: 本发明公开了一种电子束聚焦电极以及利用该电极的电子枪,所述电子束聚焦电极包括:板,所述板具有多边形通孔;形成在所述通孔的至少一条边上的至少一个突出部分。通过利用这种电子束聚焦电极,可以减小矩形横截面的电子束的发散现象。此外,可以提高电子枪的输出,并容易聚焦电子束。
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公开(公告)号:CN101552184A
公开(公告)日:2009-10-07
申请号:CN200810161724.9
申请日:2008-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L21/48 , H01L23/48 , H01L23/522
CPC classification number: C23C14/16 , C23C14/022 , C23C14/5806 , H01L21/30655 , H01L2924/0002 , Y10T428/24917 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供基板结构及其形成方法与太赫装置及其制造方法。形成基板结构的方法可包括:蚀刻基板,以形成具有垂直表面的蚀刻部分;在整个基板或者基板的部分上形成扩散材料层;对扩散材料层进行退火处理,以形成向下、朝着蚀刻部分的表面扩散的籽晶层;以及在籽晶层上形成金属层。因此,基板的蚀刻部分的表面特性由于籽晶层而增强,因此,可以在蚀刻部分的垂直表面上形成具有改进粘合性且厚度均匀的金属层。
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