公开(公告)号：CN106030369A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580008998.2

申请日：2015-01-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 千想模 ,  李章元 ,  金彦庭 ,  金震恩 ,  卢永瑾 ,  朴研相 ,  白瓒郁 ,  李在崇

IPC分类号： G02B26/00

CPC分类号： G02B17/004 ,  F21K9/64 ,  G02B5/008 ,  G02B26/00

摘要： 提供了光学器件以及控制来自光学器件的光的方向的方法。该光学器件包括：基板；在基板上的金属层；第一狭槽，提供在金属层中；以及至少一个光源，提供在第一狭槽中，其中光从所述至少一个光源朝第一狭槽的顶部或第一狭槽的底部的方向发射。

公开(公告)号：CN107462983B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201710151679.8

申请日：2017-03-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑熙静 ,  白瓒郁 ,  李章元

IPC分类号： G02B19/00 ,  G02B21/00

摘要： 本发明提供了电磁波聚焦装置、光学设备和显微镜。电磁波聚焦装置可以包括位于离参考点不同距离处的多个材料构件。材料构件的间隔和/或宽度可以随着距参考点的距离而变化。例如，材料构件的间隔和/或宽度可以随着距参考点的距离而增加或减小。可以控制材料构件的间隔和/或宽度以满足与电磁波的空间相干条件。

公开(公告)号：CN101325218B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200810110124.X

申请日：2008-06-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑现钟 ,  郑兰珠 ,  徐顺爱 ,  金东彻 ,  李章元

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/12 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/18 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/11807 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/7606 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法。所述场效应晶体管可包括：双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、漏区以及沟道区以单片结构形成；栅电极，位于沟道区上；绝缘层，隔离栅电极与双极性层，其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接。

公开(公告)号：CN106030369B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201580008998.2

申请日：2015-01-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 千想模 ,  李章元 ,  金彦庭 ,  金震恩 ,  卢永瑾 ,  朴研相 ,  白瓒郁 ,  李在崇

IPC分类号： G02B26/00

摘要： 提供了光学器件以及控制来自光学器件的光的方向的方法。该光学器件包括：基板；在基板上的金属层；第一狭槽，提供在金属层中；以及至少一个光源，提供在第一狭槽中，其中光从所述至少一个光源朝第一狭槽的顶部或第一狭槽的底部的方向发射。

公开(公告)号：CN107462983A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710151679.8

申请日：2017-03-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑熙静 ,  白瓒郁 ,  李章元

IPC分类号： G02B19/00 ,  G02B21/00

CPC分类号： G02B27/58 ,  G02B1/02 ,  G02B3/08 ,  G02B5/1809 ,  G02B5/1876 ,  G02B21/0072 ,  G02B21/02 ,  G02B19/0004 ,  G02B21/002

摘要： 本发明提供了电磁波聚焦装置、光学设备和显微镜。电磁波聚焦装置可以包括位于离参考点不同距离处的多个材料构件。材料构件的间隔和/或宽度可以随着距参考点的距离而变化。例如，材料构件的间隔和/或宽度可以随着距参考点的距离而增加或减小。可以控制材料构件的间隔和/或宽度以满足与电磁波的空间相干条件。

公开(公告)号：CN101325218A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810110124.X

申请日：2008-06-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑现钟 ,  郑兰珠 ,  徐顺爱 ,  金东彻 ,  李章元

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/12 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/18 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/11807 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/7606 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法。所述场效应晶体管可包括：双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、漏区以及沟道区以单片结构形成；栅电极，位于沟道区上；绝缘层，隔离栅电极与双极性层，其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接。